【雇用予定職名】

(常勤・非常勤)研究員または技術職員または技術補佐員(任期付)

募集人員

1名

採用予定日

なるべく早く(ご相談に応じます)

【任期】

平成30年3月31日(ただし予算、勤務状況等を勘案し、更新の可能性あり)

【業容】

  • (常勤・非常勤)研究員:SiC-MOSデバイスの電気特性および界面物性の評価・解析
  •  技術職員・技術補佐員:SiC-MOSデバイスの電気特性測定、測定装置の維持管理

本研究室が参画している内閣府SIP「次世代パワーエレクトロニクス」の「次世代SiCデバイス」におけるSiC酸化膜界面の研究に従事していただきます。SiC酸化膜界面物理の正確な理解を進め、MOSFET特性を向上させるための指針を得ることを目的に、種々の電気特性測定を行います。産総研をはじめ、複数の大学との連携を行っています。本プロジェクトは平成30年度まで継続予定です。

応募資格

①-1(常勤・非常勤)研究員:博士の学位を有すること。電子材料・素子の電気測定および解析経験を有することが望ましい。

①-2 技術職員または技術補佐員:電子材料・素子の電気特性測定または半導体関連技術の経験を有すること。

②協調性のある方。

 応募締切日

 

適任者が見つかるまで、随時受付

書類選考の後、採用候補者には別途面接いたします。

選考結果は、電話またはメールにてお知らせします。

 応募書類

応募される方は、希望される職種を明記の上、次の書類を下記応募先へ郵送または持参願います。郵送に当たっては、封筒に「研究員(技術職員、技術補佐員)応募書類在中」と朱書き願います。

非常勤研究員、技術補佐員を希望される方は、希望する週当たりの勤務日数、勤務時間を明記ください。

なお、応募書類は返却しませんのでご了承下さい。当方で責任を持って破棄します。

  • (常勤・非常勤)研究員

①    履歴書(筑波大学書式)

②    研究業績一覧(様式は任意。ただし、原著論文・著書・学会発表・特許・受賞等を網羅すること。)

③    これまでの研究の概要(2000字程度)

④    照会可能な方2名の氏名および連絡先

書式については、大学HP https://www.tsukuba.ac.jp/update/jobs/ の応募書類様式等を参照ください

  • 技術職員・技術補佐員

①    履歴書(メールアドレス明記のこと)

②    経験を有する電気特性測定または半導体関連技術の一覧(様式は任意。使用した装置の概要、測定対象など含む)

【勤間】

・常勤研究員:1日7時間45分勤務を基本とする裁量労働制

・非常勤研究員:週3~5日、1日5~7時間勤務(応相談)

・技術職員:1日7時間45分勤務

・技術補佐員:週3~5日、1日5~7時間勤務(応相談)

休日

土曜日、日曜日、国民の休日、年末年始(12/29-1/3)、その他大学の定める日

給与等

大学が定める規定により、学歴や職歴に応じて決定します(常勤研究員:年俸制、非常勤研究員:時給1790円~2220円、技術職員:年俸制、技術補佐員:820円~1130円)。

通勤手当支給(一定条件を満たす場合)、有給休暇(本学規定による)、雇用保険加入、条件によっては社会保険等加入あり。

 【応募先及び問い合わせ先】

不明な点がありましたら、下記までお気軽にお問い合わせ下さい。

〒305-8573 つくば市天王台1-1-1

筑波大学 数理物質系 物理工学域 パワーエレクトロニクス研究室

准教授 矢野裕司

電話:029-853-5781

E-mail: yano.hiroshi.fn(at)u.tsukuba.ac.jp   (at)は@に置き換えてください

【その他】

・面接時の交通費は支給しませんので、あらかじめご了承願います。

・研究室ウェブサイト http://power.bk.tsukuba.ac.jp/ をご覧ください。

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