筑波大学パワーエレクトロニクス研究室所属 修士1年)松井ケビン君が、令和2年電気学会全国大会にて発表しました論文「1.2 kV SBD内蔵SiCトレンチMOSFET(SWITCH-MOS)のターンオフ耐量解析」に対し、電気学会から”優秀論文発表賞”が授与されました。日ごろの研究の頑張りが結実した成果かと思います。おめでとうございます。