2023年1月20日（金）
北村雄大君（修士2年）が「SiCデバイスの耐量向上」の研究が評価され、令和4年度TPEC奨励賞を見事受賞しました。表彰式は1月20日（金）開催の第21回TPECバリュー・戦略会議内（＠都内日本橋）で挙行され、SiCウェハでできた「楯」をいただきました。
おめでとうございます。
今後の活躍をお祈りします。