下記のとおり本研究室主催の第8回筑波大学パワーエレクトロニクス未来技術研究会を開催します。皆様のご来場をお待ちしています。

第8回 筑波大学パワーエレクトロニクス未来技術研究会
「SiCパワーデバイス適用上の課題とその対策」

日時:2020年2月21日(金)13時15分~17時05分
場所:筑波大学東京キャンパス文京校舎1階134講義室

東京都文区大塚3-29-1(地下鉄丸ノ内線茗荷谷駅下車徒歩5分程度)
費用:参加費1,000円 (資料代を含む・別途意見交換会3000円・学生はどちらも無料)

プログラム

  • 13:15~13:20  ご挨拶
    SiCアライアンス会長 京都大学 名誉教授 松波 弘之
  • 13:20~13:30  筑波大学パワーエレクトロニクス研究室の近況ご紹介
    筑波大学 数理物質科学研究科 パワーエレクトロニクス研究室 教授 岩室 憲幸
  • 13:30~13:55 【講演】2019年度筑波大学パワエレ研発表-1
    「SBD内蔵SiCトレンチMOSFET (SWITCH-MOS)の負荷短絡耐量特性の解析」
    筑波大学 数理物質科学研究科 パワーエレクトロニクス研究室 修士2年 大川 雅貴
  • 13:55~14:20 【講演】2019年度筑波大学パワエレ研発表-2
    「負荷短絡耐量の無いデバイスを使用可能にするZソースインバータ」
    筑波大学 数理物質科学研究科 パワーエレクトロニクス研究室 修士2年 髙嶋 薫
  • 14:20~15:10 【講演】「SiCパワーデバイスのモジュール化による高速スイッチング動作と放熱」
    大阪大学大学院 電気電子情報工学専攻 教授 舟木 剛
  • 15:25~16:15 【講演】「SiCデバイス応用機器の開発動向と今後の課題・期待」
    三菱電機株式会社 先端技術総合研究所 パワーエレクトロニクス技術部門 主管技師長 大井 健史
  • 16:15~17:05 【講演】「Si-IGBTをSiCで置き換える際の課題
    パワーサイクル、信頼性、振動、そして製品付加価値」

    株式会社日立パワーデバイス ビジネスマネージメント本部 主管技師長 齊藤 克明
  • 17:30~19:30  意見交換会 (林野会館)

参加登録:SiCアライアンスホームページ(http://www.sicalliance.jp/)
2月7日(金) 締切

主催:筑波大学数理物質系
共催:一般社団法人 SiCアライアンス
後援:パワーエレクトロニクス学会
協賛:Tsukuba Power Electronics Constellations(TPEC)

[pdf] 第8回 筑波大学パワーエレクトロニクス未来技術研究会 開催案内