学術雑誌掲載論文
- Y. Kiuchi, H. Kitai, H. Shiomi, M. Tsujimura, D. Nakata, S. Harada, Y. Yonezawa, K. Fukuda, K. Sakamoto, K. Yamasaki, H. Yano, and H. Okumura, “Characterization of Themally Oxidized SiO2/SiC Interfaces by Leakage Current under High Electric Field, Cathode Luminescence (CL), X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS), and High-resolution Rutherford Backscattering Spectroscopy (HR-RBS)”, Mater. Sci. Forum, Vol. 858, pp.449-452 (2016). DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.858.449
- T. Hatakeyama, K. Takao, Y. Yonezawa, and H. Yano, “Pragmatic Approach to the Characterization of SiC/SiO2 Interface Traps near the Conduction Band with Split C-V and Hall Measurements”, Mater. Sci. Forum, Vol. 858, pp.477-480 (2016).DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.858.477
- T. Murakami, T. Masuda, S. Inoue, H. Yano, N. Iwamuro, and T. Shimoda, “Photoelectron yield spectroscopy and inverse photoemissin spectroscopy evaluations of p-type amorphous silicon carbide films prepared using liquid materials,” AIP Advances, vol.6, 055021 (2016) DOI:10.1063/1.4952592
- Junjie An, Masaki Namai, and Noriyuki Iwamuro, “Experimental and theoretical analyses of gate oxide and junction reliability for 4H-SiC MOSFET under short-circuit operation,” Japanese Journal of Applied Physics, vol.55, 124102-1~4, (2016) DOI:10.7567/JJAP.55.124102
- 安俊傑、生井正輝、岡本大、矢野裕司、只野博、岩室憲幸、‘‘Unclamped Inductive Switching試験による4H-SiC MOSFETの最大接合温度の評価”、電気学会論文誌C、137巻 2号 C分冊、pp.216-221 (2017) DOI: 10.1541/ieejeiss.137.216
- 岩室憲幸、坂東章、矢野浩司、宮澤哲哉、江口博臣、三浦喜直、鹿内洋志、池田成明、上本康裕、平岩篤、”新材料パワーデバイスの最新技術”、電気学会論文誌C、137巻1号C分冊、pp.13-19 (2017) DOI:10.1541/ieejeiss.137.13
- D. Okamoto, M. Sometani, S. Harada, R. Kosugi, Y. Yonezawa, and H. Yano, “Effect of boron incorporation on slow interface traps in SiO2/4H‑SiC structures,” Applied Physics A, vol. 123, p.133, 2017.
- Noriyuki Iwamuro and Thomas Laska, “IGBT History, State-of-the-Art, and Future Prospects,” IEEE Trans. on Electron Devices, vol.64, no.3, pp.741-752, (2017) DOI:10.1109/TED.2017.2654599
- (Noriyuki Iwamuro and Thomas Laska, “Correction of IGBT History, State-of-the-Art, and Future Prospects,” IEEE Trans. on Electron Devices, vol.65, no.6, pp.2675, (2018))
- 丹羽章雅, 小島領太, 木村友則, 笹谷卓也, 磯部高範, 只野 博，「SiC-MOSFETの逆回復損失低減に関する実験的考察」，電気学会論文誌C, Vol. 137, No. 2, pp. 208-215 (2017) DOI:10.1541/ieejeiss.137.208
学会・研究会発表（国際学会）
- R. Barrera-Cardenas, T. Isobe, M. Molinas, “Comparative study of semiconductor devices based on a meta-parameterised approach: SiC MOSFET vs Si IGBT technologies”, in IPEMC 2016 ECCE Asia, Hefei, China, 22-25 May 2016. DOI:10.1109/IPEMC.2016.7512838
- T. Isobe, Y. Yamada and H. Tadano, “Compensated permanent magnet synchronous generator for power generation in EV and HEV,” in EVTeC2016, Yokohama, Japan, 25-27 May 2016.
- R. Barrera-Cardenas, T. Isobe, M. Molinas, “Quantifying the benefits of SiC MOSFET on efficiency and power density of EV power converter unit”, in EVTeC2016, Yokohama, Japan, 25-27 May 2016.
- T. Isobe, L. Zhang, H. Tadano, J. A. Suul, M. Molinas, “Control of DC-capacitor peak voltage in reduced capacitance single-phase STATCOM” in COMPEL 2016, Trondheim, Norway, 27-30 June 2016. DOI:10.1109/COMPEL.2016.7556773
- R. Barrera-Cardenas, T. Isobe, M. Molinas, “Optimal design of air-core inductor for medium/high power DC-DC converters” in COMPEL 2016, Trondheim, Norway, 27-30 June 2016. DOI:10.1109/COMPEL.2016.7556774
- J. An, M. Namai, D. Okamoto, H. Yano, H. Tadano, and N. Iwamuro, “Evaluation of Maximum Junction Temperature for 4H-SiC MOSFET during Unclamped Inductive Switching Test,” in ICEE 2016, ID 90276, July, 2016.
- Takanori Isobe, Rene A. Barrera-Cardenas, Hiroshi Tadano, “Capacitor size reduction of MMC-based STATCOM for medium voltage power distribution network”, in EPE2016 ECCE Europe, Karlsluhe, Germany, 5-9 September, 2016. DOI:10.1109/EPE.2016.7695609
- K. Okuda, T. Isobe, H. Tadano, and N. Iwamuro, “A dead-time minimized inverter by using complementary topology and its experimental evaluation of harmonics reduction”, in EPE2016 ECCE Europe, Karlsluhe, Germany, 5-9 September, 2016. DOI: 10.1109/EPE.2016.7695673
- Ryuji Iijima, Takanori Isobe, Hiroshi Tadano, “Loss analysis of Z-source inverter using SiC-MOSFET from the perspective of current path in the short-through mode”, in EPE2016 ECCE Europe, Karlsluhe, Germany, 5-9 September, 2016. DOI: 10.1109/EPE.2016.7695676
- Rene A. Barrera-Cardenas, Takanori Isobe, Marta Molinas, “Meta-parameterisation of Power Semiconductor Devices for Studies of Efficiency and Power Density in High Power Converters”, in EPE2016 ECCE Europe, Karlsluhe, Germany, 5-9 September, 2016. DOI: 10.1109/EPE.2016.7695625
- T. Senanayake, R. Iijima, T. Isobe and H. Tadano, “Z-source with rectangular wave modulation inverter for Hybrid/Electric vehicles,” , in EPE2016 ECCE Europe, Karlsluhe, Germany, 5-9 September, 2016. DOI: 10.1109/EPE.2016.7695682
- Takanori Isobe, Long Zhang, Ryuji Iijima, Hiroshi Tadano, Yasuhiko Kawanami, Katsushi Terazono , “Experimental verification of capacitance reduction in MMC-Based STATCOM,” in ECCE 2016, Milwaukee, WI, United States, 18-22 September, 2016. DOI: 10.1109/ECCE.2016.7855101
- Xufang Zhang, Dai Okamoto, Tetsuo Hatakeyama, Mitsuru Sometani, Shinsuke Harada, Ryoji Kosugi, Noriyuki Iwamuro, and Hiroshi Yano, “A Distributed Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Capacitors,” in 47th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference, San Diego, CA, United States, 2016.12.9
- Tetsuo Hatakeyama, Yuji Kiuchi, Mitsuru Sometani, Dai Okamoto, Shinsuke Harada, Hiroshi Yano, Yoshiyuki Yonezawa, Hajime Okumura, “Characterization of Traps at Nitrided SiO2/ SiC Interfaces near the Conduction Band Edge by using Hall Effect Measurements,” in 47th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference, San Diego, CA, United States, 2016.12.9
- Junjie An, Masaki Namai, Mikiko Tanabe, Dai Okamoto, Hiroshi Yano, and Noriyuki Iwamuro, “Experimental Demonstration of -730V Vertical SiC p-MOSFET with High Short Circuit Withstand Capability for Complementary Inverter Applications”, in 62nd International Electron Device Meeting, IEDM 2016, 10.7, San Fancisco, United Sates, 4-7 Dec, 2016. DOI: 10.1109/IEDM.2016.7838391
学会・研究会発表（国内）
- 岩室憲幸,”新材料パワー半導体デバイス（SiC/GaN/酸化ガリウム）の最新動向, ” 2016エレクトロニクス実装学会最先端実装技術シンポジウム, 2016年6月2日
- 内藤孝，福田憲司，岩室憲幸，徳地明，”高速・高電圧パルス電源の開発，” 第13回日本加速器学会年会，幕張メッセ国際会議場，2016年8月8日
- 岩室憲幸,”SiCパワー半導体デバイスの現状と課題”, エレクトロニクス実装学会 公開研究会, 2016年7月13日
- 嶋田隆一，”SiC-MOSFETによる無アーク低ノイズなハイブリッド開閉・接続装置”, 平成28年電気学会電力・エネルギー部門大会，九州工業大学 戸畑キャンパス, 2016年9月9日
- 田邉三紀子, 岩室憲幸, “チャージインバランスを考慮したSiC Superjunction MOSFETのオン抵抗-素子耐圧向上の検討,” 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ, 2016年9月
- 白井琢毬, 岩室憲幸, 福田憲司, “高電圧・高速パルス発生を目指したSiC-pinダイオードの逆回復解析” 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ, 2016年9月
- 岡本大, 張旭芳, 畠山哲夫, 染谷満, 原田信介, 小杉亮治, 岩室憲幸, 矢野裕司, “直列抵抗を考慮したインピーダンス測定によるSiC MOS界面解析,” 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ, 2016年9月16日
- 張旭芳, 岡本大, 畠山哲夫, 染谷満, 原田信介, 小杉亮治, 岩室憲幸, 矢野裕司, ” A Distributed Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Capacitors,” 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ, 2016年9月16日
- 王緒昆, 岡本大, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司, “窒化したSiC MOSFETに対するチャージポンピング特性の周波数依存性”, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ, 2016年9月16日
- 唐本祐樹, 岡本大, 原田信介, 染谷満, 畠山哲夫, 小杉亮治, 岩室憲幸, 矢野裕司, “窒化したp型SiC MOSキャパシタにおける反転層の形成,” 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ, 2016年9月16日
- 畠山哲夫, 木内祐治, 染谷満, 岡本大, 原田信介, 矢野裕司, 米澤喜幸, 奥村 元, “ホール効果測定による窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍における界面準位の評価,” 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ, 2016年9月16日
- 木内祐治, 染谷満, 岡本大, 畠山哲夫, 原田信介, 矢野裕司, 米澤喜幸, 奥村元, “4H-SiC熱酸化膜のリーク伝導機構に対する窒化処理の影響,” 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ, 2016年9月16日
- 張旭芳, 岡本大, 畠山哲夫, 染谷満, 原田信介, 小杉亮治, 岩室憲幸, 矢野裕司, “Quantitative estimation of near-interface traps with distributed circuit model for 4H-SiC MOS capacitors,” 先進パワー半導体分科会 第３回講演会, つくば国際会議場, 2016年11月8日
- 王緒昆, 岡本大, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司, “チャージポンピング法による4H-SiC MOSFETの界面近傍酸化膜欠陥の解析”, 先進パワー半導体分科会 第３回講演会, つくば国際会議場, 2016年11月8日
- 唐本祐樹, 岡本大, 原田信介, 染谷満, 畠山哲夫, 小杉亮治, 岩室憲幸, 矢野裕司, “窒化したp型SiC MOSキャパシタにおける反転層の形成,” 先進パワー半導体分科会 第３回講演会, つくば国際会議場, 2016年11月8日
- 畠山哲夫, 木内祐治, 染谷満, 岡本大, 原田信介, 矢野裕司, 米澤喜幸, 奥村 元, “ホール効果測定による窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍における界面準位の評価,” 先進パワー半導体分科会 第３回講演会, つくば国際会議場, 2016年11月8日
- 木内祐治, 染谷満, 岡本大, 畠山哲夫, 原田信介, 矢野裕司, 米澤喜幸, 奥村元, “4H-SiC熱酸化膜のリーク伝導機構に対する窒化処理の効果,” 先進パワー半導体分科会 第３回講演会, つくば国際会議場, 2016年11月8日
- 田邉三紀子,岩室憲幸,”チャージインバランスを考慮した SiC Superjunction MOSFETのオン抵抗-素子耐圧向上の検討,”先進パワー半導体分科会 第3回講演会, つくば国際会議場, 2016年11月8日
- 白井琢毬, 岩室憲幸, 福田憲司, “高電圧・高速パルス発生を目指したSiC-pinダイオードの逆回復特性解析,”先進パワー半導体分科会 第３回講演会, つくば国際会議場, 2016年11月8日
- 飯嶋竜司, 磯部高範, 只野博, “SiC-MOSFETを用いたZソースインバータのボディダイオード無通電運転に関する検討,”先進パワー半導体分科会 第3回講演会, つくば国際会議場, 2016年11月8日
- 生井正輝, 安俊傑, 岩室憲幸, “SiC MOSFET負荷短絡時の素子破壊メカニズム解析,” 第36回ナノテスティングシンポジウム, 千里ライフサイエンスセンター, 2016年11月9日
- 奥田一真, 磯部高範, 只野博, 岩室憲幸，”デッドタイムによる問題を解消する相補型インバータの研究”，電子デバイス/半導体電力変換合同研究会, 北九州（九州工業大学 戸畑キャンパス）, 2016年11月14・15日
- 吉田千恵, 奥田一真, 磯部高範, 只野博, “相補型インバータのスイッチング特性解析,” パワーエレクトロニクス学会第216回定例研究会, 立命館大学大阪・いばらきキャンパス(OIC), 2016年12月3日
- 鴨志田直樹, 飯嶋竜司, 磯部高範, 只野博, “ZソースインバータへのSJ-MOSFETの適用に関する研究 ,” パワーエレクトロニクス学会第216回定例研究会, 立命館大学大阪・いばらきキャンパス(OIC), 2016年12月3日
- 倉持拓弥, 磯部高範, 只野博, “High-side SiC-MOSFETのスイッチング動作に与える寄生インダクタンスの影響,” パワーエレクトロニクス学会第216回定例研究会, 立命館大学大阪・いばらきキャンパス(OIC), 2016年12月3日
- 張旭芳, 岡本大, 畠山哲夫, 染谷満, 原田信介, 小杉亮治, 岩室憲幸, 矢野裕司, “Verification of Modified Distributed Circuit Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Interface,” 電子デバイス界面テクノロジー研究会 第22回研究会, 東レ総合研修センター, 2017年1月20日
- 畠山哲夫, 木内祐治, 染谷満, 岡本大, 原田信介, 矢野裕司, 米澤喜幸, 奥村元, “ホール効果測定による窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位評価,” 電子デバイス界面テクノロジー研究会 第22回研究会, 東レ総合研修センター, 2017年1月20日
- 岩室憲幸, “パワー半導体デバイス～日本に残すべき体系的パワエレ技術～,” 電子デバイス界面テクノロジー研究会 第22回研究会, 東レ総合研修センター, 2017年1月20日
- 張龍, 賀子今, 磯部高範, 只野博, “単相STATCOMにおけるコンデンサ静電容量低減のためのピーク電圧制御と三相MMC構成における実験的検証,” 電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会, 久米島(イーフ情報プラザ 交流ホール), 2017年3月8日～3月10日
- 飯嶋竜司, 磯部高範, 只野博, “Superjunction MOSFETを用いたインバータの検討‐Zソーストポロジーの適用‐,” 電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会, 久米島(イーフ情報プラザ 交流ホール), 2017年3月8日～3月10日
- 陳偉夫, 鄒楊, 磯部高範, 只野博, “Dual Active BridgeコンバータのDuty比制御による損失低減運転の検証,” 電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会, 久米島(イーフ情報プラザ 交流ホール), 2017年3月8日～3月10日
- 白井琢毬, 岩室憲幸, 福田憲司, “SiC-p+/p-/n+型ダイオードの逆回復時におけるキャリアの掃出しとパルス生成の関係性解析”, 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 2017年3月15日
- 後藤大河, 白井琢毬, 岩室憲幸, 福田憲司 “SiC-p MOSFETのボディダイオードを用いたSiC-pinダイオードの逆回復特性解析” 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 2017年3月15日
- 岩室憲幸 “Siパワーデバイスプロセスの最新動向” 第64回応用物理学会春季学術講演会，パシフィコ横浜, 2017年3月16日
- 木内祐治, 染谷満, 岡本大, 畠山哲夫, 原田信介, 矢野裕司, 米澤喜幸, 奥村元, “4H-SiC C面熱酸化膜のリーク伝導機構に対する窒化処理の影響,” 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 2017年3月17日
- 天野貴章, 岡本大, 原田信介, 畠山哲夫, 岩室憲幸, 矢野裕司, “SiC MOSFETのホール移動度の温度依存性,” 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 2017年3月17日
- 王緒昆, 岡本大, 岩室憲幸, 矢野裕司, “窒化したSiC MOSFETに対するチャージポンピング特性のデューティ比依存性,” 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 2017年3月17日
- 倉持拓弥,磯部高範,只野博, “SiC-MOSFET動作時における誤ターンオンのHigh-sideゲート抵抗依存性に関する検討” 平成29年 電気学会全国大会, 富山大学 五福キャンパス, 2017年3月15日～3月17日
- 渡邊直也，只野博，磯部高範，“直列補償回路を用いた非接触給電システムにおける出力電力制御法の提案と実験的検証”，平成29年電気学会全国大会，富山大学五福キャンパス，2017年3月15日～3月17日
- 奥田一真，高嶋薫，磯部高範，只野博，岩室憲幸，“試作SiC-pチャネルMOSFETを適用したフル-SiC相補型インバータの実機検証”，平成29年電気学会全国大会，富山大学五福キャンパス，2017年3月15日～3月17日
- 張剣韜,磯部高範,只野博, “TPCM電流モードを用いた単相系統連系インバータに関する検討”，平成29年電気学会全国大会，富山大学五福キャンパス，2017年3月15日～3月17日
- 髙橋勇紀,飯嶋竜司,磯部高範,只野 博, 山崎長治, 長谷川智宏, “コンデンサ放電型パルス電圧発生回路への出力電圧補償回路の適用に関する検討”，平成29年電気学会全国大会，富山大学五福キャンパス，2017年3月15日～3月17日
- 大澤順,渡邊直也,只野博,磯部高範, “直列補償回路による非接触給電用高周波インバータのコイルパラメータに応じた効率最適化”,平成29年電気学会全国大会,富山大学五福キャンパス,2017年3月15日～3月17日
- 鴨志田直樹, 飯嶋竜司, 磯部高範, 只野博, “Zソースインバータ方式によるSJ-MOSFETのPWMインバータ適用の検討“, 平成29年電気学会全国大会, 富山大学五福キャンパス, 2017年3月15日~3月17日
- 岩室憲幸 “新材料パワー半導体デバイスの最新技術動向(SiC,GaN)” エレクトロニクス実装学会 公開研究会, 2017年3月21日
一般雑誌掲載記事
- Noriyuki Iwamuro, “Semiconductor Materials Seal Role in Power Devices”, ASIA ELECTRONICS INDUSTRY, 2016年9月号 電波新聞社
- 岩室憲幸, “筑波大学パワーエレクトロニクス寄附講座のご紹介”, SEAJ Journal 2016年4月号 （社）日本半導体製造装置協会
- 岩室憲幸, “次世代パワーエレクトロニクスを支えるSiCパワー半導体デバイスならびにその実装技術”, SEAJ Journal 2016年1月号 （社）日本半導体製造装置協会
講演
- 岩室憲幸,”パワーデバイスの動向およびSiC/GaN研究開発の最前線,” 電気学会産業応用フォーラムパワエレ道場, 2016年8月8日
書籍
- Rene A. Barrera-Cardenas, Marta Molinas, “Chapter: Modelling of power electronic components for evaluation of efficiency, power density and power-to-mass ratio of offshore wind power converters” in the Book Offshore Wind Farms, pp.193-261, March 2016. DOI: 10.1016/B978-0-08-100779-2.00009-X.
