TSUKUBA POWER ELECTRONICS LABORATORY

岡本 大

岡本 大(おかもと だい)

居室: ベンチャービジネスラボラトリ401-1

E-mail: okamoto.dai.gb@u

TEL: 029-853-5600(内線91881)

専門分野: 超低損失SiCパワーデバイスを目指した革新的ゲート酸化膜形成技術、MOS界面制御

所属: 数理物質系 物理工学域 助教

学位: 博士(工学)

略歴

  • 2015/07-現在 筑波大学 数理物質系 物理工学域 助教
  • 2011/04-2015/07 産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター 研究員(テニュアトラック常勤職員)
  • 2009/04-2011/03 日本学術振興会 特別研究員(DC2)
  • 2006/04-2011/03 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 博士(工学)
  • 広島県三原市生まれ → 広島市 → 倉敷市 → 岡山市

主要な論文

  1. Dai Okamoto, Mitsuru Sometani, Shinsuke Harada, Ryoji Kosugi, Yoshiyuki Yonezawa, and Hiroshi Yano, “Improved Channel Mobility in 4H-SiC MOSFETs by Boron Passivation” IEEE Electron Device Lett., 35 (2014) 1176.
  2. Dai Okamoto, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, and Takashi Fuyuki, “Removal of Near-Interface Traps at SiO2/4H-SiC (0001) Interfaces by Phosphorus Incorporation” Appl. Phys. Lett., 96 (2010) 203508.
  3. Dai Okamoto, Hiroshi Yano, Kenji Hirata, Tomoaki Hatayama, and Takashi Fuyuki, “Improved Inversion Channel Mobility in 4H-SiC MOSFETs on Si face Utilizing Phosphorus-Doped Gate Oxide” IEEE Electron Device Lett., 31 (2010) 710.
  4. Dai Okamoto, Hiroshi Yano, Yuki Oshiro, Tomoaki Hatayama, Yukiharu Uraoka, and Takashi Fuyuki, “Investigation of Near-Interface Traps Generated by NO Direct Oxidation in C-face 4H-SiC Metal-Oxide-Semiconductor Structures” Appl. Phys. Express, 2 (2009) 021201.
  5. Dai Okamoto, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Yukiharu Uraoka, and Takashi Fuyuki, “Analysis of Anomalous Charge-Pumping Characteristics on 4H-SiC MOSFETs” IEEE Trans. Electron Devices, 55 (2008) 2013.

その他業績一覧(外部リンクGoogle Scholar)

賞罰

  • 2010 IEEE IMFEDK Best Paper Award
  • 2010 IEEE Kansai Section Student Paper Award
  • 2009 応用物理学会 SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会 研究奨励賞
  • 2007 Best Poster Award, 2007 NAIST/GIST Joint Symposium on Advanced Materials
  • 2006 電子情報通信学会関西支部 支部長賞(学生会奨励賞)

研究テーマ

  • SiCパワーMOSFETの特性を制限する界面欠陥の評価
    筑波大学と産総研が独自に考案した電気特性評価法を用いて、SiCパワーMOSFETの特性を劣化させているトラップの評価を行う。
    • X. Zhang et al., “A Distributed Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Capacitors,” in 47th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference, San Diego, CA, United States, 2016.12.9
    • D. Okamoto et al., “Effect of boron incorporation on slow interface traps in SiO2/4H‑SiC structures,” Applied Physics A 123, 133 (2017).
  • 新規界面原子導入による高移動度SiC MOSFETの試作
    筑波大学と産総研が独自に考案した新しいパッシベーション手法を用いて、高性能横型SiC MOSFETの試作を行う。
    • D. Okamotoet al., “Improved Channel Mobility in 4H-SiC MOSFETs by Boron Passivation” IEEE Electron Device Lett., 35 (2014) 1176.
    • D. Okamoto et al., “Improved Inversion Channel Mobility in 4H-SiC MOSFETs on Si face Utilizing Phosphorus-Doped Gate Oxide” IEEE Electron Device Lett., 31 (2010) 710.

所属学会

  • IEEE(Electron Device Society)
  • 応用物理学会(薄膜・表面物理分科会,先進パワー半導体分科会)

学会委員

  • 電子デバイス界面テクノロジー研究会 実行・プログラム委員(2017)
  • International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 実行委員(2016)
  • 応用物理学会 先進パワー半導体分科会第3回講演会 実行委員(2016)
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