TSUKUBA POWER ELECTRONICS LABORATORY

Prof. Hiroshi Tadano

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Hiroshi Tadano (Professor)

只野 Office:VBL(Venture Business Laboratory Bldg.) 401-1

E-mail:tadano.hiroshi.fn@u

TEL:5398

Research Field:Semiconductor Power Device, Power Conversion Circuit

Affiliation: University of Tsukuba, Faculty of Pure and Applied Sciences, Division of Applied Physics

Degree: Doctor (Engineering)

Personal History

  • March, 1980          Graduated from Tohoku University
  • April, 1980~March, 2013  TOYOTA Central R&D Labs., Inc.
  • April, 2013~         University of Tsukuba

Papers

2017
  • 安俊傑、生井正輝、岡本大、矢野裕司、只野博、岩室憲幸、‘‘Unclamped Inductive Switching試験による4H-SiC MOSFETの最大接合温度の評価”、電気学会論文誌C、137巻 2号 C分冊、pp.216-221 (2017).
  • 丹羽章雅、小島領太、木村友則、笹谷卓也、磯部高範、只野博、”SiC-MOSFETの逆回復損失低減に関する実験的考察”、電気学会論文誌C、137巻 2号 C分冊、pp,208-215 (2017).
2016
  • 丹羽 章雅, 今澤 孝則, 木村 友則, 笹谷 卓也, 磯部 高範, 只野 博 “SiC-MOSFETの電流センサ機能を用いたデッドタイム制御回路” 電気学会論文誌D Vol.136、 No.2、pp145-151、(2016)
2015
  • Tomoyuki Shoji1, Akitaka Soeno, Hiroaki Toguchi, Sachiko Aoi, Yukihiko Watanabe and Hiroshi Tadano ”Theoretical analysis of short-circuit capability of SiC power MOSFETs” JJAP 54, 04DP03 (2015)
  • T. Shoji, S. Nishida, K. Hamada and H. Tadano “Observation and Analysis of Neutron-Induced Single-Event Burnout in Silicon Power Diodes” IEEE TPE, 30, 5, pp.2472-2480, (2015)
  • T. Shoji, S. Nishida, K. Hamada and H. Tadano “Analysis of neutron-induced single-event burnout in SiC power MOSFETs” Microelectronics Reliability, 55, pp.1517-1521, (2015)
2014
  • T. Shoji, S. Nishida, K. Hamada and H. Tadano  ”Experimental and simulation studies of neutron-induced single-event burnout in SiC power diodes” JJAP 53, 04EP03 (2014).
  • T.Shoji, S.Nishida, K.Hamada and H.Tadano “Observation and Analysis of Neutron-Induced Single-Event Burnout in Silicon Power Diode” IEEE Xplore Digital Library, (2014)

Presentations

2016
  • 飯嶋竜司、磯部高範、只野博 ”SiC-MOSFETを用いたZソースインバータにおけるボディーダイオードの無通電運転に関する検討” 電気学会産業応用部門半導体電力変換研究会 2016.
  • J.Ann, M.Namai, D.Okamoto, H.Yano, H.Tadano, N.Iwamuro, ”Electrothermal Evaluation of SiC MOSFETs during Unclamped Inductive Switching” 平成28年電気学会全国大会、2016.
  • 生井正輝、安俊傑、岡本大、矢野裕司、只野博、岩室憲幸 ”SiC-MOSFETのUIS耐量評価” 平成28年電気学会全国大会、2016.
  • 小島領太、丹羽章雅、山田隆弘、笹谷卓也、磯部高範、只野博 ”SiC-MOSFETボディーダイオードのデッドタイム短縮によるリカバリ損失低減効果” 平成28年電気学会全国大会、2016.
  • 張龍、飯島竜司、磯部高範、只野博、川波靖彦、寺園勝志 ”モジュラー・マルチレベル構成トランスレスSTATCOMのコンデンサの小型化に関する検討” 平成28年電気学会全国大会、2016.
  • 陳偉夫、飯島竜司、磯部高範、只野博、川波靖彦、寺園勝志 ”Dual Active Bridgeコンバータのデッドタイム最適化に関する実験的検討” 平成28年電気学会全国大会、2016.
  • 渡邊直也、大澤順、只野博、磯部高範 ”非接触給電システムにおける直列補償回路GCSCの適用効果に関する検討” 平成28年電気学会全国大会、2016.
  • 嶋田隆一、磯部高範、只野博、岩室憲幸 ”SiC-MOSFETによる無アーク低ノイズ開閉器” 平成28年電気学会全国大会、2016.
  • 飯嶋竜司、磯部高範、只野博 ”q-ZソースインバータにおけるMOSFETを用いたダイオードの損失低減に関する実験的検討” 平成28年電気学会全国大会、2016.
  • Thilak S., R.Iijima, T,Isobe, H,Tadano “Improved Impedance Source Inverter for Hybrid/Electric Vehicle Application with Continuous Conduction Operation” APEC2016, 2016.
  • 只野博 ”自動車用パワーエレクトロニクスの現状と今後” エレクトロニクス実装学会第30回春季講演大会 2016.
2015
  • 沈凌鋒、磯部高範、只野博 ”SiC-MOSFETを用いたDC-DCコンバータにおけるゲート抵抗及び外付SiC-SBDの有無とスイッチング損失の関係評価” 平成27年電気学会産業応用部門大会 2015.
  • 飯嶋竜司、磯部高範、只野博 ”Zソースインバータにおける上下短絡方式と半導体素子の違いによる発生損失の比較” 平成27年電気学会産業応用部門大会 2015.
  • 山田庸介、磯部高範、嶋田隆一、只野博 ”ダイオード整流回路と直列無効電力補償回路を組み合わせた永久磁石同期発電機向け整流回路の損失分析” 平成27年電気学会産業応用部門大会 2015.
  • 奥田一真、磯部高範、只野博、岩室憲幸 ”デッドタイムを最小とする相補型インバータ及びそのゲート駆動回路の検討” 平成27年電気学会産業応用部門大会 2015.
  • 丹羽章雅、山本昌弘、入江将嗣、今澤孝則、岩村剛宏、笹谷卓也、磯部高範、只野博 ”デッドタイム制御機能を内蔵したSiC-MOSFETゲートドライバ” 平成27年電気学会産業応用部門大会 2015.
2014
  • 只野博 ”Siパワーデバイスの信頼性” 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第1回研究会 2014年7月30日 (in Japanese)
  • T. Shoji, S. Nishida, K. Hamada and H. Tadano, “Cosmic Ray Induced Single-Event Burnout in Power Devices” ISPS’14, 2014.
  • T. Shoji, A. Soeno, H. Taguchi, S. Aoi, Y. Watanabe and H. Tadano, “Short-circuit capability of SiC power MOSFETs”, SSDM2014, 2014.
  • 丹羽章雅,今澤孝則,磯部高範,只野 博 ”SiC-MOSFETの電流センス機能を用いたデッドタイム制御回路の提案” 電気学会半導体電力変換家電民生自動車合同研究会,2014. (in Japanese)
  • 飯嶋竜司,磯部高範,只野博 ”ZソースインバータにおけるSiC-MOSFETの動作に関する検討” パワーエレクトロニクス学会第206回定例研究会,2014. (in Japanese)
  • 山田庸介,磯部高範,只野博 ”永久磁石発電機のための直列無効電力補償回路の検討” パワーエレクトロニクス学会第206回定例研究会,2014. (in Japanese)
  • 沈凌鋒,磯部高範,只野博 ”SiC MOSFETを用いた高周波DC-DCコンバータの効率とノイズの評価” パワーエレクトロニクス学会第206回定例研究会,2014. (in Japanese)
  • 奥田一真,磯部高範,矢野裕司,岩室憲幸,只野博 ”相補型インバータ向け縦型SiC-pMOSFETの検討” パワーエレクトロニクス学会第206回定例研究会,2014. (in Japanese)
2013
  • T. Shoji, S. Nishida, K. Hamada and H. Tadano “Neutron Induced Single-Event Burnout in SiC Power Diode” Extended Abstracts of 2013 SSDM, pp.954-955, (2013).

Society

  • IEEE
  • IEEJ
  • IEICE
  • JIPE
  • JSAE
  • ADPS
  • JIEP

Personal Activity

  • Pulse Power Device
  • Z Source Inverter
  • High Speed Switching Converter using SiC

Past Research

  • Lattice Defects in Compound Semiconductor
  • Static Induction Power Devices
  • SiC Power devices
  • GaN Power Devices
  • Si-IGBT and Diode for Hybrid Vehicle
  • Si Epitaxial Growth
  • EMI of Semiconductor Devices for Automobile

 

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