TSUKUBA POWER ELECTRONICS LABORATORY

2025年度の研究業績

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著者に下線のあるものは他機関所属の著者との共著のもので，下線の著者が本研究室所属です。

学術雑誌掲載論文 (Journals)

  1. 井手 智也, 永井 一真, 荒木 一司, 平瀬 祐子, 磯部 高範, 「電力系統および連系分散電源のインピーダンス測定のためのフィルタレスインバータによるコンパクトな摂動発生装置の開発」, 電気学会論文誌Ｄ（産業応用部門誌）, 145巻, 5号, p. 334-342, 2025年5月, DOI: 10.1541/ieejias.145.334
  2. C. Huang, T. Mannen and T. Isobe, “Current Ripple Reduction and ZVS Realization With Optimized DCM Modulation Based on Off-Time Discrete Control for Grid-Tied Inverters,” in IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 40, no. 10, pp. 15835-15851, Oct. 2025, DOI:10.1109/TPEL.2025.3578247
  3. Sora Kawai, Nobutaka Oi, Takanori Isobe, Kosuke Ota, Koji Amazutsumi, Tatsuya Fujishima, Hiroshi Kawarada, “Fast power switching with cascode diamond MOSFET–SiC MOSFET/GaN HEMT complementary half-bridge inverter”, APL Electronic Devices, 1 (4): 046103. DOI: 10.1063/5.0290094
  4. H. Tanaka, T. Mannen, T. Isobe, E. Kita and H. Yanagihara, “A Magnetometer for Dynamic Full M–H Loop Measurements in the Megahertz Range,” in IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, vol. 75, pp. 1-6, 2026, Art no. 6001606. DOI: 10.1109/TIM.2026.3659653

学会・研究会発表（国際学会）(Proceedings – International)

  1. C. Huang, T. Mannen and T. Isobe, “Analysis of Inherent Damping Mechanism and Its Contribution to Stability in DCM Grid-Tied Inverters with LCL Filters,” 2025 IEEE 17th IEEE Energy Conversion Confress & Expo (ECCE ASIA), Bengaluru, India, 2025, pp. 1-6. DOI: 10.1109/ECCE-Asia63110.2025.11112454
  2. C. Huang, S. Sasaki and T. Isobe, “Online Model Parameter Correction for Improved ZVS and Current Regulation in DCM Grid-Tied Inverters with Average Current Control,” 2025 IEEE 26th Workshop on Control and Modeling for Power Electronics (COMPEL), Knoxville, TN, USA, 2025, DOI: 10.1109/COMPEL57166.2025.11121241
  3. K. Suzuki, H. Yano and N. Iwamuro, “Investigation of Optimum Gate Structures for 1.2-kV SiC MOSFETs by Analyzing Avalanche and Short-Circuit Withstanding Capabilities,” 2025 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Kumamoto, Japan, 2025, pp. 393-396, DOI: 10.23919/ISPSD62843.2025.11117395.
  4. R. Shingo, Y. Enjoji, N. Iwamuro, H. Yano, “Mechanism of Threshold Voltage Drift in SiC MOSFETs under Bipolar AC Gate Stress via Photon-Assisted Electron Injection”2025 The 22nd International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM), Busan, Korea, pp1086-1087.
  5. Y. Suzuki, C. Huang and T. Isobe, “Realization of All-Device ZVS at Light Load Operations in DAB Converters Using SPS-Based Partial Power Canceling Modulation,” 2025 International Future Energy Electronics Conference (IFEEC), Bali, Indonesia, 2025, pp. 488-493, DOI: 10.1109/IFEEC65025.2025.11301474.
  6. Sora Kawai, Shunsuke Shoji, Nobutaka Oi, Ryo Yoshida, Kosuke Ota, Hiroyuki Uchida, Akihiko Watanabe, Kenji Ueda, Takanori Isobe, Hiroshi Kawarada, Ichiro Omura, Tatsuya Fujishima, “First Demonstration of Buck Converter Using Diamond Mosfet,” 41st IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC2026), San Antonio, TX, USA, 2026.

学会・研究会発表（国内）(Proceedings – Domestic)

  1. 鈴木陽太，Cheng Huang，磯部高範，「寄生容量の小さい低圧側デバイスのスイッチングにより実現するSST向けDABコンバータの軽負荷領域での全デバイスゼロ電圧スイッチング実現法」，2025年電気学会産業応用部門大会，徳島大学 常三島キャンパス，2025年8月19日〜21日
  2. 佐々木壮太，Cheng Huang，磯部高範，「平均電流制御されたDCM系統連系インバータのオンライン計測データに基づくモデルパラメータ補正による電流制御及びZVS性能の向上」，2025年電気学会産業応用部門大会，徳島大学 常三島キャンパス，2025年8月19日〜21日
  3. 佐々木壮太，Cheng Huang，磯部高範，「ZVSを実現するDCM単相系統連系インバータ変調方式の力率1以外・整流運転への拡張」，半導体電力変換/モータドライブ合同研究会，北海道（利尻島），2025年9月18日〜19日
  4. Cheng Huang，磯部高範，「LCLフィルタ付きDCM系統連系インバータに組み込まれたフィルタ共振の減衰効果とその安定性への寄与に関する検討」，半導体電力変換/モータドライブ合同研究会，北海道（利尻島），2025年9月18日〜19日
  5. 鈴木 一広，矢野 裕司，岩室 憲幸，「SiC MOSFETの順方向サージ電流耐量向上に関する検討」，第86回応用物理学会秋季学術講演会，名城大学 天白キャンパス（ハイブリッド開催），9p-N322-13，2025年9月7日〜10日
  6. 新郷諒介，岩室 憲幸，矢野 裕司，「ゲートAC印加時におけるSiC MOSFETの発光によるしきい値電圧変動」，第86回応用物理学会秋季学術講演会，名城大学 天白キャンパス（ハイブリッド開催），9p-N322-12，2025年9月7日〜10日
  7. 吉田開，岩室 憲幸，矢野 裕司，「4H-SiC 横型 p-ch SJ-MOSFET の寄生容量とスイッチング損失の関係」，先進パワー半導体分科会 第12回講演会，富山国際会議場，IA-23，2025年11月19日〜20日
  8. 鈴木 一広，矢野 裕司，岩室 憲幸，「オン抵抗、アバランシェ耐量、ならびに負荷短絡耐量を同時改善する1.2-kV SiC MOSFETの最適ゲート構造の検討」，先進パワー半導体分科会 第12回講演会，富山国際会議場，IA-24，2025年11月19日〜20日
  9. 新郷諒介，岩室 憲幸，矢野 裕司，「SiC MOSFETにおけるゲートACストレス下の発光観測とAC BTIメカニズムの検討」，先進パワー半導体分科会 第12回講演会，富山国際会議場，IB-19，2025年11月19日〜20日
  10. 重井光祐, 佐々木壮太, Cheng Huang，磯部高範, 「単相フルブリッジインバータにおける降圧型アクティブパワーデカップリングのZVS可能な制御方法」，令和8年電気学会全国大会， 4-014， 東北学院大学五橋キャンパス，2026年3月12日～14日
  11. 吉田開，矢野 裕司，岩室 憲幸，「4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのスイッチング損失に及ぼすチャージインバランスの影響解析」， 令和8年電気学会全国大会， 東北学院大学五橋キャンパス， 4-028， 2026年3月12日～14日
  12. 内山颯， 鹿志村快音， 鈴木一広， 矢野裕司，岩室憲幸， 「1.2kV SiC DioMOSのチャネル移動度の温度特性解析」，令和8年電気学会全国大会，東北学院大学五橋キャンパス，4-029，2026年3月12日～14日
  13. 鹿志村快音， 矢野裕司，岩室憲幸， 「1.2 kV SiC-DioMOS の高温条件下でのオン抵抗-負荷短絡耐量トレードオフ特性」， 令和8年電気学会全国大会， 東北学院大学五橋キャンパス， 4-030， 2026年3月12日～14日
  14. 祖父江豪， 永田裕二， 小原秀嶺， 磯部高範， 「3.3kV SiC-MOSFETを用いた6.6kV SSTの絶縁耐圧設計と高圧試験環境に関する検討」， 令和8年電気学会全国大会， 東北学院大学五橋キャンパス， 4-066， 2026年3月12日～14日
  15. 佐々木壮太，黄成，磯部高範，「デバイス寄生容量を活用した系統電圧ゼロクロスにおけるCRMトーテムポールPFCの電流歪み低減手法の提案」，電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会，熊本県（天草市），2026年3月4日〜5日
  16. 黄成，鈴木陽太，磯部高範，「脈動電力変換するSST用DABコンバータの高周波トランスから発生する可聴騒音を考慮した軽負荷損失低減手法」，電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会，熊本県（天草市），2026年3月4日〜5日

一般雑誌掲載記事 (Magazines)

講演 (Invited Lecture)

  1. Takanori Isobe, “Enabling Ultra-high Switching Frequency of GaN-HEMTs with ZVS Approach for Low-power Grid-tied Inverters”, Student Symposium on Power Electronics – Asia 2025, May 17, 2025. (Online)
  2. 磯部 高範：「データセンタのパワーエレクトロニクス 〜高効率化・高電力密度化にむけた技術トレンド〜」，SEMICON Japan 2025 パワーエレクトロニクス セミナー，2025年12月17日

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