下記のとおり本研究室主催の第7回筑波大学パワーエレクトロニクス未来技術研究会を開催します。皆様のご来場をお待ちしています。
第7回 筑波大学パワーエレクトロニクス未来技術研究会
「SiC-MOSFETデバイスの電気自動車への応用」
日時：2018年7月6日（金）13時20分～17時40分
場所：筑波大学東京キャンパス文京校舎1階134講義室
東京都文区大塚3-29-1（地下鉄丸ノ内線茗荷谷駅より徒歩2分）
主催：筑波大学数理物質系
共催：NPO法人 未来アジア技術フォーラム
後援：パワーエレクトロニクス学会
協賛：Tsukuba Power Electronics Constellations(TPEC)
13:20～13:30 筑波大学パワーエレクトロニクス研究室の近況ご紹介
筑波大学 数理物質科学研究科 教授 岩室 憲幸
13:30～13:55 2018年度筑波大学パワエレ研発表-1
Investigation of near-interface traps in 4H-SiC MOS devices
筑波大学 数理物質科学研究科 パワーエレクトロニクス研究室 博士３年 張 旭芳
13:55～14:20 2018年度筑波大学パワエレ研発表-2
ZソースインバータによるMOSFETのボディダイオード無通電運転 ―回路動作によるデバイス特性の活用―
筑波大学 数理物質科学研究科 パワーエレクトロニクス研究室 博士３年 飯嶋 竜司
14:20～15:10 自動車向けレアアースフリーモータ（SRモータ）
東京工業大学）工学院 電気電子系 教授 千葉 明
15:25～16:15 日産自動車のEV戦略（パワーエレクトロニクス技術を含めて）
日産自動車株式会社 フェロー 久村 春芳
16:15～17:05 SBD内蔵SiCトレンチMOSFET（SWITCH-MOS)
産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター 小林 勇介
17:10～17:40 パネルディスカッション「自動車の電動化においてSiCデバイスに求められるものは何か（仮）」
18:00～19:30 意見交換会（会費3,000円）
参加費：3,000円（資料代を含む、学生は無料）
参加申し込み先：teffareg@ybb.ne.jp（6/29(金) 締切り）
（氏名、所属、e-mailアドレス、意見交換会への参加/不参加をご連絡ください。）
