TSUKUBA POWER ELECTRONICS LABORATORY

岩室 憲幸

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岩室 憲幸 (いわむろ のりゆき)

岩室写真居室: ベンチャービジネスラボラトリ401-1

E-mail: iwamuro.noriyuki.fb@u

TEL: 029-853-5446

専門分野:パワー半導体デバイス

所属:数理物質系 教授(物理工学域)

学位:博士(工学)

経歴

  • 東京都板橋区生まれ
  • 1984年早稲田大学理工学部電気工学科卒業、富士電機株式会社入社
  • 1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、Si-IGBT・DiodeならびにSiCデバイス研究・製品化開発に従事
  • 1992-1993年 米国North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事
  • 1998年 博士(工学)(早稲田大学)
  • 2009-2013年 (独)産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センターに出向、SiC-MOSFET,SBDの量産技術開発に従事
  • 2013年 筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授
  • 2017年 筑波大学 応用理工学類 電子・量子工学専攻 専攻主任

学協会

  • IEEE Senior Member
  • 電気学会上級会員、応用物理学会会員
  • 電気学会 シリコンならびに新材料パワーデバイス・パワーIC技術調査専門委員会 委員
  • パワー半導体国際シンポジウム (ISPSD) Technical Program Committee Member, 2010 Vice Program Chair
  • パワー半導体国際シンポジウム (ISPSD) 2017 Steering Committee Member
  • 筑波大学マジシャンズクラブ 顧問

著書

  • 次世代パワー半導体の高性能化とその産業展開(監修)(シーエムシー出版)(2015年6月発刊)

シーエムシー出版

 

 

世界を動かすパワー半導体―IGBTがなければ電車も自動車も動かない

  • SiCパワーデバイスの開発と最新動向(監修)(S&T出版)(2012年12月発刊)

 受賞歴

  • 電気学会 優秀技術活動賞 グループ著作賞(2011年)

論文、学会発表等

2017年
  • Haruka Shimizu, Akio Shima, Yasuhiro Shimamoto, and Noriyuki Iwamuro,”Ohmic contact on n- and p-type ion-implanted 4H-SiC with low-temperature metallization process for SiC MOSFETs,” Japanese Journal of Applied Physics, vol.56, Issue 4S, 04CR15, (2017)
  • Noriyuki Iwamuro and Thomas Laska, “IGBT History, State-of-the-Art, and Future Prospects,” IEEE Trans. on Electron Devices, vol.64, no.3, pp.741-752, (2017) DOI:10.1109/TED.2017.2654599
  • 岩室憲幸, “パワー半導体デバイス~日本に残すべき体系的パワエレ技術~,” 電子デバイス界面テクノロジー研究会 第22回研究会, 東レ総合研修センター, 2017年1月20日
  • 安俊傑、生井正輝、岡本大、矢野裕司、只野博、岩室憲幸、‘‘Unclamped Inductive Switching試験による4H-SiC MOSFETの最大接合温度の評価”、電気学会論文誌C、137巻 2号 C分冊、pp.216-221 (2017).
  • 岩室憲幸、坂東章、矢野浩司、宮澤哲哉、江口博臣、三浦喜直、鹿内洋志、池田成明、上本康裕、平岩篤、”新材料パワーデバイスの最新技術”、電気学会論文誌C、137巻1号C分冊、pp.13-19 (2017) DOI:10.1541/ieejeiss.137.13

  • 白井琢毬, 岩室憲幸, 福田憲司, “SiC-p+/p-/n+型ダイオードの逆回復時におけるキャリアの掃出しとパルス生成の関係性解析,” 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 2017年3月15日
  • 後藤大河, 白井琢毬, 岩室憲幸, 福田憲司, “SiC-p MOSFETのボディダイオードを用いたSiC-pinダイオードの逆回復特性解析” 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 2017年3月15日
  • 岩室憲幸 “Siパワーデバイスプロセスの最新動向” 第64回応用物理学会春季学術講演会,パシフィコ横浜, 2017年3月16日
  • 天野貴章, 岡本大, 原田信介, 畠山哲夫, 岩室憲幸, 矢野裕司, “SiC MOSFETのホール移動度の温度依存性,” 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 2017年3月17日
  • 王緒昆, 岡本大, 岩室憲幸, 矢野裕司, “窒化したSiC MOSFETに対するチャージポンピング特性のデューティ比依存性,” 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 2017年3月17日
  • 奥田一真,高嶋薫,磯部高範,只野博,岩室憲幸,“試作SiC-pチャネルMOSFETを適用したフル-SiC相補型インバータの実機検証”,平成29年電気学会全国大会,富山大学五福キャンパス,2017年3月15日~3月17日
  • 岩室憲幸 “新材料パワー半導体デバイスの最新技術動向(SiC,GaN)” エレクトロニクス実装学会 公開研究会, 2017年3月21日
  • Masaki Namai, Junjie An, Hiroshi Yano and Noriyuki Iwamuro, “Experimental and Numerical Demonstration and Optimized Methods for SiC Trench MOSFET Short-Circuit Capability,” in Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD)2017, pp.363-366, (2017).
  • J.An, M. Namai, H. Yano, and N.Iwamuro, “Investigation of Robustness Capability of -730 V P-Channel Vertical SiC Power MOSFET for Complementary Inverter Applications,” IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 64, No.10, pp:4219-4225, Oct. 2017, doi: 10.1109/TED.2017.2742542.
  • T.Goto, T.Shirai, A.Tokuchi, T.Naito, K.Fukuda, and N.Iwamuro, “Experimental demonstration on ultra-high voltahe and high speed 4H-SiC DSRD with smaller numbers of die stacks for pulse power applications,” Abstract of ICSCRM2017, September, 2017,Washington D.C, MO.D1.2.
2016年
  • Xufang Zhang, Dai Okamoto, Tetsuo Hatakeyama, Mitsuru Sometani, Shinsuke Harada, Ryoji Kosugi, Noriyuki Iwamuro, and Hiroshi Yano, “A Distributed Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Capacitors,” in 47th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference, San Diego, CA, United States, 2016.12.9
  • Junjie An, Masaki Namai, Mikiko Tanabe, Dai Okamoto, Hiroshi Yano, and Noriyuki Iwamuro, “Experimental Demonstration of -730V Vertical SiC p-MOSFET with High Short Circuit Withstand Capability for Complementary Inverter Applications”, in 62nd International Electron Device Meeting, IEDM 2016, 10.7, San Fancisco, United Sates, 4-7 Dec, 2016.
  • J.An, M.Namai, and N.Iwamuro, “Experimental and theoretical analyses of gate oxide and junction reliability for 4H-SiC MOSFET under short-circuit operation,” Japanese Journal of Applied Physics, vol.55, 124102-1~4, (2016).
  • 張旭芳, 岡本大, 畠山哲夫, 染谷満, 原田信介, 小杉亮治, 岩室憲幸, 矢野裕司, “Quantitative estimation of near-interface traps with distributed circuit model for 4H-SiC MOS capacitors,” 先進パワー半導体分科会 第3回講演会, つくば国際会議場, 2016年11月8日
  • 王緒昆, 岡本大, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司, “チャージポンピング法による4H-SiC MOSFETの界面近傍酸化膜欠陥の解析”, 先進パワー半導体分科会 第3回講演会, つくば国際会議場, 2016年11月8日
  • 唐本祐樹, 岡本大, 原田信介, 染谷満, 畠山哲夫, 小杉亮治, 岩室憲幸, 矢野裕司, “窒化したp型SiC MOSキャパシタにおける反転層の形成,” 先進パワー半導体分科会 第3回講演会, つくば国際会議場, 2016年11月8日
  • 田邉三紀子,岩室憲幸,”チャージインバランスを考慮した SiC Superjunction MOSFETのオン抵抗-素子耐圧向上の検討,”先進パワー半導体分科会 第3回講演会, つくば国際会議場, 2016年11月8日
  • 生井正輝, 安俊傑, 岩室憲幸, “SiC MOSFET負荷短絡時の素子破壊メカニズム解析,” 第36回ナノテスティングシンポジウム, 千里ライフサイエンスセンター, 2016年11月9日
  • 奥田一真, 磯部高範, 只野博, 岩室憲幸,”デッドタイムによる問題を解消する相補型インバータの研究”,電子デバイス/半導体電力変換合同研究会, 北九州(九州工業大学 戸畑キャンパス), 2016年11月14・15日
  • K.Okuda, T.Isobe, H.Tadano, and N.Iwamuro,”A dead-time minimized inverter by using complementary topology and its experimental evaluation of harmonics reduction,” EPE2016, ECCE Europe, September, 2016.
  • 田邉三紀子, 岩室憲幸, “チャージインバランスを考慮したSiC Superjunction MOSFETのオン抵抗-素子耐圧向上の検討,” 第77回応用物理学会秋季学術講演会 2016年9月
  • 白井琢毬, 岩室憲幸, 福田憲司, “高電圧・高速パルス発生を目指したSiC-pinダイオードの逆回復解析” 第77回応用物理学会秋季学術講演会 2016年9月
  • 内藤孝,福田憲司,岩室憲幸,徳地明,”高速・高電圧パルス電源の開発,” 第13回日本加速器学会年会,幕張メッセ国際会議場,2016年8月8日
  • T.Murakami, T.Masuda, S.Inoue, H.Yano, N.Iwamuro, and T. Shimoda,”Photoelectron yield spectroscopy and inverse photoemissin spectroscopy evaluations of p-type amorphous silicon carbide films prepared using liquid materials,” AIP Advances, vol.6, 055021 (2016)
  • J.An, M.Namai, D.Okamoto, H.Yano, H.Tadano, and N.Iwamuro, “Evaluation of Maximum Junction Temperature for 4H-SiC MOSFET during Unclamped Inductive Switching Test,” ICEE 2016, ID 90276, July, 2016.
  • J. An, M. Namai, D.Okamoto, H.Yano, H. Tadano and N.Iwamuro,”Electrothermal evaluation of SiC MOSFETs during unclamped inductive switching,” 平成28年電気学会全国大会, 2016年3月16日
  • 生井正輝, 安俊傑, 岡本大, 矢野裕司, 只野博, 岩室憲幸,”SiC-MOSFETのUIS耐量評価”  平成28年電気学会全国大会,  2016年3月16日
  • 嶋田隆一, 磯部高範,  只野博, 岩室憲幸,”SiC-MOSFETによる無アーク低ノイズ開閉器”  平成28年電気学会全国大会,  2016年3月16日
2015年
  • 岩室憲幸,”新材料パワー半導体デバイスの最新技術動向(SiC,GaN,酸化ガリウム),” エレクトロニクス実装学会 パワーエレクトロニクス研究会 公開研究会 2015年10月14日
  • 奥田一真,磯部高範,只野博,岩室憲幸,”デッドタイムを最小化する相補型インバータ及びそのゲート駆動回路に関する検討,” 平成27年電気学会産業応用部門大会, 大分大学旦野原キャンパス, 2015年9月2日~9月4日
  • Noriyuki Iwamuro, ”Recent Progress of Power Semiconductor Devices and Their Futures,” in BIT’s 4th Annual World Congress of Emerging Info-Tech 2015, April.
  • 岩室 憲幸 ”最新パワー半導体デバイスの開発動向” 第29回エレクトロニクス実装学会春季講演大会 2015年3月18日
  • 岩室 憲幸 ”シリコンIGBTの最新技術動向” 応用物理学会 第2回先進パワー半導体分科会研究会 2015年3月5日
  • 岩室 憲幸 ”SiCパワーデバイスの最新技術と課題” エレクトロニクス実装学会機能性ハイブリッド材料研究会 2015年1月29日
2014年
  • 奥田一真、磯部高範、矢野裕司、岩室憲幸、只野博 ”相補型インバータ向け縦型SiC-pMOSFETの検討” パワーエレクトロニクス学会第206回定例研究会、2014年12月20日
  • 岩室 憲幸 ”SiCパワーデバイスの現状とその可能性” 日本学術振興会 真空ナノエレクトロニクス第158委員会、2014年4月24日
  • 岩室 憲幸 ”SiならびにSiCパワーデバイスと応用機器開発” 電子情報通信学会総合大会、2014年3月20日

特許

2017年
  • Vertical high voltage semiconductor apparatus and fabrication method of vertical high voltage semiconductor appatus (USP 9,722,018, 2017.8.1)
  • Silicon carbide semiconductor device and fabrication method thereof (USP 9,673,313, 2017.6.7)
  • Semiconductor Device (USP 9,627,486 B2, 2017.4.18)
  • Semiconductor Device With SiC Base Layer (USP 9,537,002 B2, 2017.1.3)
  • 炭化珪素半導体素子の製造方法(特許第6156814, 2017.6.16)
  • 炭化珪素半導体素子の製造方法(特許第6089235, 2017.2.17)
  • 炭化珪素半導体装置およびその製造方法(特許第6074787, 2017.1.20)
  • Vertical high voltage semiconductor apparatus and fabrication method of vertical high voltage semiconductor apparatus (USP20170213886A1, 2017.7.27)
  • 高耐圧半導体装置およびその製造方法(WO2015-019797, 2017.3.2)
2016年
  • Wide band gap semiconductor device  (USP 9,455,326 B2, 2016.9.27)
  • High voltage semiconductor apparatus (USP 9,450,051 B2, 2016.9.20)
  • Vertical high-voltage semiconductor device and fabrication method thereof (USP 9,362,392 B2, 2016.6.7)
  • Semiconductor device (USP 9,356,100 B2, 2016.5.31)
  • Wide band gap semiconductor device and method for producing the same (USP 9,252,266 B2, 2016.2.2)
  • High voltage semiconductor device and manufacturing method thereof (USP 20160155836 A1, 2016.6.2)
  • 縦型高耐圧装置および縦型高耐圧半導体装置の製造方法(特許第5995252, 2016.9.2)
  • 半導体装置(特許第5963385, 2016.7.8)
  • 炭化珪素半導体装置の製造方法(特許第5939626, 2016.5.27)
  • 縦型高耐圧装置の製造方法および縦型高耐圧半導体装置(特許第5939624, 2016.5.27)
  • 前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法 (公開番号2016-152378, 2016.8.22)
  • 電力変換装置 (公開番号2016-119774, 2016.6.30)
  • 電力変換装置 (公開番号2016-119773, 2016.6.30)
2015年
  • Silicon carbide vertical field effect transistor (USP 9,184,230 B2, 2015.11.10)
  • Fabrication method of silicon carbide semiconductor device (USP 9,040,402, 2015.5.26)
  • Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device (USP20150144965 A1, 2015.5.28)
  • Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device (USP20150115287 A1, 2015.4.30)
  • Silicon carbide semiconductor device and fabrication method thereof (USP20150102363 A1, 2015.4.16)
  • Semiconductor device (USP20150108501 A1, 2015.4.23)
  • Vertical high voltage semiconductor apparatus and fabrication method of vertical high voltage semiconductor apparatus (USP20150076519 A1, 2015.3.19)
  • 半導体装置(特許第5818099, 2015.10.9)
  • 逆耐圧を有する縦型窒化ガリウム半導体装置(特許第5682102, 2015.1.23)
  • 縦型高耐圧半導体装置およびその製造方法(公開番号WO2013-161420, 2015.12.24)
  • ワイドバンドギャップ半導体装置(公開番号2015-207780, 2015.11.19)
2014年
  • Semiconductor device (USP 8,779,504 B2, 2014.7.15)
  • ワイドバンドギャップ半導体装置(特許第5617175, 2014.9.26)
  • 半導体装置 (特許第5444608, 2014.1.10)
  • 炭化珪素縦型電界効果トランジスタ(公開番号WO2012-137914, 2014.7.28)
2013年
  • Low on-resistance wide band gap semiconductor device and method for producing the same (USP 8,564,028 B2, 2013.10.22)
  • Semiconductor device (USP 8,431,991 B2, 2013.4.30)
  • Gallium nitride semiconductor device and manufacturing method thereof (USP 8,390,027 B2, 2013.3.5)
  • 窒化ガリウム半導体装置(特許第54316677, 2013.12.13)
  • 半導体装置および半導体装置の製造方法(特許第5369372, 2013.9.27)
  • 炭化珪素トレンチMOS半導体装置(特許第5358926, 2013.9.13)
  • 半導体装置の製造方法(特許第5353036, 2013.9.6)
  • 半導体装置とその製造方法(特許第5332376, 2013.8.9)
  • 半導体装置(特許第5298488, 2013.6.28)
  • 炭化珪素半導体装置(特許第5233158, 2013.4.5)

 

一般雑誌掲載、講演等

連載
  • 岩室 憲幸 ”パワーデバイス基礎講座” 全8回 パワーデバイス・イネーブリング協会 会報誌
 2017年
  • Noriyuki Iwamuro, “Power Semiconductors Shape up for Future Vehicles”, ASIA ELECTRONICS INDUSTRY, 2017年6月号 電波新聞社
  • Junjie An, Masaki namai, Mikiko Tanabe, Dai Okamoto, Hiroshi Yano, and Noriyuki Iwamuro, “Making a debut: the p-type SiC MOSFET”, Compound Semiconductor, June, 2017.
2016年
  • Noriyuki Iwamuro “Semiconductor Materials Seal Role in Power Devices” ASIA ELECTRONICS INDUSTRY, 2016年9月号 電波新聞社
  • 岩室 憲幸 ”筑波大学パワーエレクトロニクス寄附講座のご紹介” SEAJ Journal 2016年4月号 (社)日本半導体製造装置協会
  • 岩室 憲幸 ”次世代パワーエレクトロニクスを支えるSiCパワー半導体デバイスならびにその実装技術” SEAJ Journal 2016年1月号 (社)日本半導体製造装置協会
2015年
  • Noriyuki Iwamuro, ”Recent Power Semiconductor Devices Technologies fora Future Smart Society” Japan-Norway Energy Science Week 2015, 27th May, 2015.
  • 岩室 憲幸 ”SiCパワーモジュールとGaNパワーモジュールの技術動向” エネルギーデバイス 2015年2月号 (株)技術情報協会
2014年
  • 岩室 憲幸 ”最新の各種パワーデバイス技術動向とその応用例” 2015パワーデバイス技術大全、(株)電子ジャーナル
  • 岩室 憲幸 ”パワーデバイスの設計・製造技術” 2015パワーデバイス技術大全、(株)電子ジャーナル
  • 岩室 憲幸 ”IGBTの現状と最新動向” 2015パワーデバイス技術大全、(株)電子ジャーナル
  • 岩室 憲幸 ”次世代パワーデバイスにおける5年後、10年後の市場、技術の方向性” 10年後の市場・技術予測とそこから読み解く必然の研究テーマ 2014年8月、(株)技術情報協会
  • 岩室 憲幸 ”SiC/GaNパワーデバイス高信頼化に向けた要素技術” 電子機器・部品における故障・発火原因解析と対策技術 2014年7月、(株)技術情報協会
  • 岩室 憲幸 ”SiならびにSiCパワーデバイス最新技術と課題” クリーンテクノロジー vol.24, no.4 (2014) (株)日本工業出版
2013年
  • 岩室 憲幸 ”シリコン(Si)ならびにSiC/GaNパワーデバイスの最新技術動向” 月刊トライポロジー 2013年11月号
  • 岩室 憲幸 ”次世代パワーデバイスの技術ロードマップ” エネルギーデバイス 2013年10月号 (株)技術情報協会

 

専門

  • Si-IGBT/Diode ならびにSiC-MOSFET/SBDデバイス研究開発
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