2024年度の研究業績

著者に下線のあるものは他機関所属の著者との共著のもので，下線の著者が本研究室所属です。

学術雑誌掲載論文 (Journals)

1. Kazuhiro Suzuki, Hiroshi Yano and Noriyuki Iwamuro, “A study on turn-off, and on-resistance and short-circuit capability trade-off characteristics in 1.2 kV SiC MOSFETs,” 2024 Japanese Journal of Applied Physics, vol. 63, pp. 12SP10, Dec. 2024, DOI: 10.35848/1347-4065/ad96c4.
2. Kazuhiro Suzuki, Kaito Kashimura, Hiroshi Yano and Noriyuki Iwamuro, “Unique short-circuit failure mechanisms in 1.2-kV SiC planar MOSFETs,” 2024 Applied Physics Express, vol. 17, pp. 124002, Dec. 2024, DOI: 10.35848/1882-0786/ad9980.

学会・研究会発表（国際学会）(Proceedings – International)

1. Kotaro Matsuki, Yoshiito Ichikawa, Yuichi Onozawa, Noriyuki Iwamuro and Hiroshi Yano, “Impact of electron irradiation on SiC power MOSFET performance” International Conference on SIlicon Carbide and Related Materials (ICSCRM), vol.8, pp 563-564, Raleigh, USA, Oct. 2024.
2. R. Shingo, Y. Enjoji, N. Iwamuro, and H. Yano, “Relationship between Luminescence and Threshold Voltage Shift in SiC MOSFETs under Gate AC Stress“ The 11th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2024), MC2-3, Busan, Korea, Oct. 2024.
3. C. Huang, T. Mannen and T. Isobe, “Full-load Range ZVS Achievement by Using Both Burst Mode and PWM With Variable Frequency Modulation for DAB Converters,” 2024 IEEE Energy Conversion Congress & Expo (ECCE2024), Phoenix, AZ, USA, Nov, 2024, pp. 2648-2655
4. Y. Suzuki, C. Huang, T. Mannen and T. Isobe, “Efficiency Improvement of DAB Converter for Double Line Frequency Oscillating Power Operations in SST by Achieving Zero-Voltage Switching in Low Power Operations,” 2024 IEEE Energy Conversion Congress & Expo (ECCE2024), Phoenix, AZ, USA, Nov, 2024, pp. 3159-3166
5. T. Yoshizato, C. Huang, T. Mannen and T. Isobe, “500-kHz Operated Three-Phase Grid-Tied Inverter Using GaN-HEMTs Enabled by DCM-Based ZVS Control Utilizing Device Parasitic Capacitance,” 2024 IEEE Energy Conversion Congress & Expo (ECCE2024), Phoenix, AZ, USA, Nov, 2024, pp. 3357-3363
6. Kazuhiro Suzuki, Hiroshi Yano and Noriyuki Iwamuro, “A Study of Electrical Characteristics of State-of-the-Art 1.2-kV SiC Planar and Trench MOSFETs” International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Himeji, Japan, Sept. 2024, pp.221-222.

学会・研究会発表（国内）(Proceedings – Domestic)

1. 井手智也，永井一真，荒木一司，平瀬祐子，磯部高範，「フィルタレスインバータを摂動電源とするインピーダンス計測装置開発に関する研究」，2024年電気学会産業応用部門大会，水戸市民会館，2024年8月28日〜30日
2. Cheng Huang，萬年智介，磯部高範，「パルス幅制御と間欠運転を併用し全負荷範囲でのゼロ電圧スイッチングを実現する DAB コンバータ変調方式の提案とその運転シナリオの検討」，2024年電気学会産業応用部門大会，水戸市民会館，2024年8月28日〜30日
3. 萬年智介，ファムハー，「電圧制御を適用した昇圧形三相波形組み替えインバータの実験検証」，2024年電気学会産業応用部門大会，水戸市民会館，2024年8月28日〜30日
4. 鈴木陽太，Cheng Huang，萬年智介，磯部高範，「SST に適用する電源 2 倍周波数で伝送電力を脈動させる DAB コンバータの軽負荷領域でのゼロ電圧スイッチング実現による効率向上」，2024年電気学会産業応用部門大会，水戸市民会館，2024年8月28日〜30日
5. 松木康太郎, 市川義人, 小野澤勇一, 岩室憲幸, 矢野裕司, 「電子線照射がSiCおよびSi MOSFETのチャネル特性に及ぼす影響」, 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-C41-13, 朱鷺メッセ, 2024年9月16日～20日
6. 松木康太郎, 市川義人, 小野澤勇一, 岩室憲幸, 矢野裕司, 「電子線照射がSiCパワーMOSFETのチャネル特性に与える影響」, 先進パワー半導体分科会第11回講演会, IA-17, Gメッセ群馬, 2024年11月24日～26日
7. 新郷諒介, 円城寺佑哉, 岩室憲幸, 矢野裕司, 「SiC MOSFETへのゲートACストレス印加による発光としきい値電圧変動」, 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-C41-22, 朱鷺メッセ, 2024年9月16日～20日
8. 新郷諒介, 円城寺佑哉, 岩室憲幸, 矢野裕司, 「SiC MOSFETへのゲートACストレス印加時の発光としきい値電圧変動の関係」, 先進パワー半導体分科会第11回講演会, IA-11, Gメッセ群馬, 2024年11月24日～26日
9. 吉田開, 岩室憲幸, 矢野裕司, 「4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの高温状態における性能改善」, 先進パワー半導体分科会第11回公演, IA-15, Gメッセ群馬, 2024年11月24日～26日

一般雑誌掲載記事 (Magazines)