TSUKUBA POWER ELECTRONICS LABORATORY

2014年度の研究業績

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 学術雑誌掲載論文 (Journals)

  1. D. Okamoto, M. Sometani, S. Harada, R. Kosugi, Y. Yonezawa, and H. Yano,“Improved Channel Mobility in 4H-SiC MOSFETs by Boron Passivation”, IEEE Electron Device Lett., Vol.35, No.12, pp.1176-1178 (2014).
    DOI: 10.1109/LED.2014.2362768
  2. T. Isobe, K. Kato, N. Kojima, and R. Shimada, “Soft-switching single-phase grid-connecting converter using DCM operation and a turn-off snubber capacitor,” IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 29, iss. 6, pp. 2922-2930, 2014. DOI:10.1109/TPEL.2013.2274390
  3. T. Shoji, S. Nishida, K. Hamada, and H. Tadano, “Experimental and simulation studies of neutron-induced single-event burnout in SiC power diodes,” Japanese Journal of Applied Physics, vol. 53, iss. 4S, p. 04EP03, 2014. DOI:10.7567/JJAP.53.04EP03

学会・研究会発表(国際学会)(Proceedings – International)

  1. D. Okamoto, M. Sometani, S. Harada, R. Kosugi, Y. Yonezawa, and H. Yano, “Demonstration of High Channel Mobility in 4H-SiC MOSFETs by Utilizing Boron-Doped Gate Oxide”, 45th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC 2014), San Diego (CA, USA), 6.2, 2014/12/11.
  2. T. Isobe, “A full-bridge AC power flow controller with reduced capacitance operated with both FFS (fundamental frequency switching) and PWM,” in IEEE energy conversion congress and exposition (ECCE 2014), Pittsburgh, PA, United States, 14 – 18 September 2014. DOI:10.1109/ECCE.2014.6953656
  3. T. Shoji, A. Soeno, H. Taguchi, S. Aoi, Y. Watanabe, and H. Tadano, “Short-circuit capability of SiC power MOSFETs,” in SSDM2014, Tsukuba, Ibaraki, Japan, 8 – 11 September 2014.
  4. T. Shoji, S. Nishida, K. Hamada, and H. Tadano, “Cosmic ray induced single-event burnout in power devices,” in 12th international seminar on power semiconductors (ISPS’14), Prague, Czech, 27 – 29 August 2014.

学会・研究会発表(国内)(Proceedings – Domestic)

  1. 飯嶋竜司, 磯部高範, 只野博, “Zソースインバータにおける上下短絡時のスイッチングパターンに関する検討,” 平成27年電気学会全国大会, 東京都市大学世田谷キャンパス, 2015年3月24日~26日
  2. 今澤孝則, 丹羽章雅, 入江将嗣, 山本昌弘, 川原英樹, 木村友則, 笹谷卓也, 磯部高範, 只野博, “SiC-MOSFETの電流センス機能を用いたデッドタイム制御回路,” 平成27年電気学会全国大会, 東京都市大学世田谷キャンパス, 2015年3月24日~26日
  3. 奥田一真, 磯部高範, 矢野裕司, 岩室憲幸, 只野博, “相補型インバータ向け縦型SiC-pMOSFETの検討,” パワーエレクトロニクス学会第206回定例研究会, 同志社大学今出川校地良心館, 2014年12月20日
  4. 沈凌鋒, 磯部高範, 只野博, “SiC MOSFETを用いた高周波DC-DCコンバータの効率とノイズの評価,” パワーエレクトロニクス学会第206回定例研究会, 同志社大学今出川校地良心館, 2014年12月20日
  5. 山田庸介, 磯部高範, 只野博, “永久磁石発電機のための直列無効電力補償回路の検討,” パワーエレクトロニクス学会第206回定例研究会, 同志社大学今出川校地良心館, 2014年12月20日
  6. 飯嶋竜司, 磯部高範, 只野博, “ZソースインバータにおけるSiC-MOSFETの動作に関する検討,” パワーエレクトロニクス学会第206回定例研究会, 同志社大学今出川校地良心館, 2014年12月20日
  7. 丹羽章雅, 今澤孝則, 磯部高範只野博, “SiC-MOSFETの電流センス機能を用いたデッドタイム制御回路の提案,” 電気学会半導体電力変換家電民生自動車合同研究会, 2014年12月18日~19日
  8. 只野 博, “Siパワーデバイスの信頼性, ” 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第1回研究会, 東京工業大学 大岡山キャンパス, 2014年7月30日
  9. 岩室憲幸,”SiCパワーデバイスの最新技術と課題,” 機能性ハイブリッド材料研究会第1回研究会、回路会館、2015年1月29日
  10. 岩室憲幸,”シリコンIGBTの最新技術動向,” 応用物理学会 先進パワー半導体分科会, 2015年3月5日
  11. 岩室憲幸,”最新パワー半導体デバイスの開発動向,” エレクトロニクス実装学会春季講演大会, 2015年3月18日

一般雑誌掲載記事 (Magazines)

講演 (Invited Lecture)

1.岩室憲幸 “SiCパワーデバイスの現状とその可能性,” 日本学術振興会真空ナノエレクトロニクス第158委員会 第102研究会, 2014年4月24日

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