TSUKUBA POWER ELECTRONICS LABORATORY

2018年度の研究業績

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学術雑誌掲載論文

  • S. Nomura, and T. Isobe, “Design Study on High Frequency Magnets for Magnetic Hyperthermia Applications”, IEEE Transactions on Applied Superconductivity, vol. 28, no. 3, pp. 1–7, April 2018. DOI:10.1109/TASC.2018.2800056
  • Rene Barrera-Cardenas, Takanori Isobe, Marta Molinas, “A Meta-Parameterized Approach for the Evaluation of Semiconductor Technologies,” IEEJ Journal of Industry Applications, Vol. 7, No. 3, pp. 210–217, DOI:10.1541/ieejjia.7.210 (2018)
  • 鴨志田 直樹, 飯嶋 竜司, 磯部 高範, 只野 博, “Superjunction-MOSFETを用いた準Zソースインバータの損失解析”, 電気学会論文誌D(産業応用部門誌), Vol. 138. No. 5, pp. 463–470, DOI: 10.1541/ieejias.138.463 (2018)
  • X. Zhang, D. Okamoto, T. Hatakeyama, M. Sometani, S. Harada, N. Iwamuro, and H. Yano, “Impact of oxide thickness on the density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors”, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 57, no. 6S3, p. 06KA04, May 2018. DOI:10.7567/JJAP.57.06KA04
  • Y. Karamoto, X. Zhang, D. Okamoto, M. Sometani, T. Hatakeyama, S. Harada, N. Iwamuro, and H. Yano, “Analysis of fast and slow responses in AC conductance curves for p-type SiC MOS capacitors”, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 57, no. 6S3, p. 06KA06, May 2018. DOI:10.7567/JJAP.57.06KA06
  • T. Goto, T. Shirai, A. Tokuchi, T. Naito, K. Fukuda, and N. Iwamuro, “Experimental Demonstration on Ultra High Voltage and High Speed 4H-SiC DSRD with Smaller Numbers of Die Stacks for Pulse Power,” Materials Science Forum, vol. 924, pp. 858–861, DOI:10.4028/www.scientific.net/MSF.924.858, (2018).
  • M. Namai, J. An, H. Yano, and N. Iwamuro, “Investigation of short-circuit failure mechanisms of SiC MOSFETs by varying DC bus voltage,” Jpn. J. Appl. Phys., vol. 57,  p. 074102, June 2018. DOI:10.7567/JJAP.57.074102
  • Naoki Kamoshida, Ryuji Iijima, Takanori Isobe, Hiroshi Tadano, “Loss analysis of quasi Z-source inverter with Superjunction-MOSFET,” Electrical Engineering in Japan, Vol. 205, Issue 2, pp. 54–61 (2018) DOI:10.1002/eej.23145
  • 髙橋勇紀, 飯嶋竜司, 磯部高範, 只野博, 山崎長治, 長谷川智宏, “直列電圧補償回路の適用によるパルス電圧発生回路のコンデンサ静電容量低減”, 電気学会論文誌D(産業応用部門誌), Vol. 138, No. 9, pp. 747–755, DOI:10.1541/ieejias.138.747 (2018)
  • 大澤 順, 磯部高範, 只野博, “直列補償回路を用いた非接触給電用高周波インバータの高効率化の提案と実機検証”, 電気学会論文誌D(産業応用部門誌), Vol. 138, No. 10, pp. 800–809, DOI:10.1541/ieejias.138.800 (2018)

学会・研究会発表(国際学会)

  • J. AnM. Namai, H. Yano, N. Iwamuro, Y. Kobayashi, S. Harada, “Methodology for Enhanced Short-Circuit Capability of SiC MOSFETs,” in Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (IEEE ISPSD) 2018, pp. 391-394, May, Chicago (USA).
  • Ryuji Iijima, Naoki Kamosihda, Rene Alexander Barrera Cardenas, Takanori Isobe, Hiroshi Tadano,”Evaluation of Inductor Losses on Z-source Inverter Considering AC and DC Components” in International Power Electronics Conference, IPEC-Niigata 2018 -ECCE Asia-,  May 20-24, 2017, Niigata, Japan
  • Yuki Takahashi, Takanori Isobe, Hiroshi Tadano,”Series Reactive Power Compensator with Reduced Capacitance for Hybrid Transformer” in International Power Electronics Conference, IPEC-Niigata 2018 -ECCE Asia-,  May 20-24, 2017, Niigata, Japan
  • N. Iwamuro, “Recent Progress of SiC MOSFET Devices (Planary talk),” Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM) 2018, July, Beijing (China), 2018.
  • H. Nemoto, D. Okamoto, M. Sometani, Y. Kiuchi, T. Hatakeyama, S. Harada, N, Iwamuro, H. Yano ” Analysis of leakage current conduction mechanisms in thermally grown oxides on p-channel 4H-SiC MOSFETs ” in European Conference on Silicone Carbide and Related Materials (ECSCRM2018), September 2-6, Birmingham (UK).
  • X. Zhou, D. Okamoto, T. Hatakeyama, M. Sometani, S. Harada, X. Zhang, N. Iwamuro, H. Yano, “Mobility limiting mechanisms in p-channel 4H-SiC MOSFETs investigated by Hall-effect measurements”, European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM), Sep 2-6, 2018, Birmingham, UK

学会・研究会発表(国内)

  • 豊田大晃,寺田陽,飯嶋竜司,磯部高範,只野博,”電流不連続モードを適用したモータ駆動用正弦波電圧出力インバータの実機検証”,半導体電力変換/モータドライブ合同研究会,佐賀県 唐津市(唐津市民交流プラザ),2018年9月6日・9月7日.
  • 寺田陽,豊田大晃,飯嶋竜司,磯部高範,只野博,”電流不連続モードを適用した三相系統連系インバータの制御法に関する実験的検証”,半導体電力変換/モータドライブ合同研究会,佐賀県 唐津市(唐津市民交流プラザ),2018年9月6日・9月7日.
  • 高嶋薫,飯嶋竜司,磯部高範,只野博,岩室憲幸,”Zソースインバータの負荷短絡時の電流遮断能力の検討”,半導体電力変換/モータドライブ合同研究会,佐賀県 唐津市(唐津市民交流プラザ),2018年9月6日・9月7日.
  • 根本宏樹,岡本大,染谷満,木内祐治,岡本光央,畠山哲夫,原田信介,岩室憲幸,矢野裕司,”pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析”,先進パワー半導体分科会第5回講演,京都府京都(京都テルサ),2018年11月6日・11月7日
  • 周星炎,岡本大,畠山哲夫,染谷満,原田信介,岡本光央,張旭芳,岩室憲幸,矢野裕司,“Hall効果測定によるpチャネル4H-SiC MOSFETのチャネル輸送機構の解明”,先進パワー半導体分科会第5回講演,京都府京都(京都テルサ),2018年11月6日・11月7日

一般雑誌掲載記事

  • Noriyuki Iwamuro, “Low-cost SiC-MOSFETs poise for global adoption”, ASIA ELECTRONICS INDUSTRY, 2018年9月号 電波新聞社
  • Noriyuki Iwamuro, “innovations Find Optimal Materials, Structure for Power Device,” ASIA ELECTRONICS INDUSTRY, 2018年11月号 電波新聞社

講演

  • 岩室憲幸,”パワーデバイスの動向およびSiC/GaN研究開発の最前線,” 電気学会産業応用フォーラムパワエレ道場, 2018年7月19日
  • Noriyuki Iwamuro, “State-of-the-art and Future Prospective of Si-IGBT Technologies,” The 4th Int. Academic Forum of China IGBT Technology Innovation and Industry Alliance (2018.11.6, Zhuzhou, China)

書籍

  • 電気学会技術報告 ”シリコンパワーデバイス・パワーICの更なる進化および新材料パワーデバイスの進展”,電気学会シリコンならびに新材料パワーデバイス・パワーIC技術調査専門委員会(委員長:岩室憲幸),第1420号, 2018年4月25日発行
  • Noriyuki Iwamuro, Wide Bandgap Semiconductor Power Devices: Materials, Physics, Design, and Applications, Edited by B. Jayant Baliga, Chapter 4: SiC power device design and fabrication, p.79-p.150, ELSEVIER, 2018.10.
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