TSUKUBA POWER ELECTRONICS LABORATORY

2017年度の研究業績

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学術雑誌掲載論文

  • J. An, M. Namai, D. Okamoto, H. Yano, H. Tadano, and N. Iwamuro, “Investigation of Maximum Junction Temperature for 4H-SiC MOSFET during Unclamped Inductive Switching Test,” Electronics and Communications in Japan, vol. 101, no. 1, pp. 24–31, 2018, DOI: 10.1002/ecj.12018.
  • J. An, M. Namai, H. Yano, and N. Iwamuro, “Investigation of Robustness Capability of -730 V P-Channel Vertical SiC Power MOSFET for Complementary Inverter Applications,” IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 64, No. 10, pp. 4219–4225, Oct. 2017, DOI: 10.1109/TED.2017.2742542.
  • T. Hatakeyama, Y. Kiuchi, M. Sometani, S. Harada, D. Okamoto, H. Yano, Y. Yonezawa, and H. Okumura, “Characterization of traps at nitrided SiO2/SiC interfaces near the conduction band edge by using Hall effect measurements,” Applied Physics Express, vol. 10, p.046601, 2017.
  • Haruka Shimizu, Akio Shima, Yasuhiro Shimamoto, and Noriyuki Iwamuro,”Ohmic contact on n- and p-type ion-implanted 4H-SiC with low-temperature metallization process for SiC MOSFETs,” Japanese Journal of Applied Physics, vol. 56, Issue 4S, 04CR15, (2017)
  • A. Niwa, T. Imazawa, R. Kojima, M. Yamamoto, T. Sasaya, T. Isobe, H. Tadano, “A Dead Time Controlled Gate Driver Using Current Sense FET Integrated in SiC MOSFET,” IEEE Trans. on Power Electronics, Vol. 33, No. 4, pp. 3258–3267  (2018), DOI:10.1109/TPEL.2017.2704620.
  • M. Okamoto, M. Sometani, S. Harada, H. Yano, and H. Okumura, “Dynamic Characterization of the Threshold Voltage Instability under the Pulsed Gate Bias Stress in 4H-SiC MOSFET”, Mater. Sci. Forum, Vol. 897, pp. 549–552 (2017),  DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.897.549.
  • X. Zhang, D. Okamoto, T. Hatakeyama, M. Sometani, S. Harada, R. Kosugi, N. Iwamuro, H. Yano, “Characterization of near-interface traps at 4H-SiC metal-oxide-semiconductor interfaces using modified distributed circuit model,” Appl. Phys. Express Vol. 10, No. 6, 064101 (2017) DOI:10.7567/APEX.10.064101.
  • 飯嶋竜司, 磯部高範, 只野博,”SiC-MOSFETを用いたZソースインバータの上下短絡動作によるボディダイオード無通電運転”,  電気学会論文誌 D, Vol. 138 No. 3 pp. 250–256, 2018年3月1日, DOI:10.1541/ieejias.138.250.

学会・研究会発表（国際学会）

  • Masaki Namai, Junjie An, Hiroshi Yano and Noriyuki Iwamuro, “Experimental and Numerical Demonstration and Optimized Methods for SiC Trench MOSFET Short-Circuit Capability,” in Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD)2017, pp.363-366, (2017).
  • Rene Barrera-Cardenas, Jiantao Zhang, Takanori Isobe, Hiroshi Tadano, “Influence of CCM and DCM Operation on Converter Efficieny and Power Density of a Single-Phase Grid-Tied Inverter” in Proceedings of International Future Energy Electronics Conference 2017 (IFEEC 2017), June 3-7 2017, Kaohsiung, Taiwan, DOI:10.1109/IFEEC.2017.7992353.
  • Zijin He, Long Zhang, Takanori Isobe, Hiroshi Tadano, “Dynamic Performance Improvement of Single-Phase STATCOM with Drastically Reduced Capacitance” in Proceedings of International Future Energy Electronics Conference 2017 (IFEEC 2017), June 3-7 2017, Kaohsiung, Taiwan, DOI: 10.1109/IFEEC.2017.7992251.
  • Rene Barrera-Cardenas, Jiantao Zhang, Takanori Isobe, Hiroshi Tadano, “A Comparative Study of Output Filter Efficiency and Power Density in Single-Phase Grid-Tied Inverter Using Continuous or Discontinuous Current Mode Operations” in Proceedings of 19th European Conference on Power Electronics and Applications, (EPE’17 ECCE Europe), September 11-14 2017, Warsaw, Poland, DOI: 10.23919/EPE17ECCEEurope.2017.8099379.
  • T. Goto, T. Shirai, A. Tokuchi, T. Naito, K. Fukuda, and N. Iwamuro, “Experimental demonstration on ultra-high voltage and high speed 4H-SiC DSRD with smaller numbers of die stacks for pulse power applications,” Abstract of ICSCRM2017, September, 2017,Washington D.C, MO.D1.2.
  • Jiantao Zhang, Rene Barrera-Cardenas, Takanori Isobe, Hiroshi Tadano, “Trapezium Current Mode (TPCM) Boundary Operation for Single Phase Grid-tied Inverter” in Proceedings of  9th Annual IEEE Energy Conversion Congress & Exposition, (ECCE 2017), October 1-5 2017, Cincinnati, Ohio, U.S.A, DOI:10.1109/ECCE.2017.8096005.
  • Takanori Isobe, Zijin He, Yang Zou, Hiroshi Tadano, “Control of solid-state-transformer for minimized energy storage capacitors” in Proceedings of  9th Annual IEEE Energy Conversion Congress & Exposition, (ECCE 2017), October 1-5 2017, Cincinnati, Ohio, U.S.A, DOI:10.1109/ECCE.2017.8096672.
  • Jiantao Zhang, Rene Barrera-Cardenas, Takanori Isobe, Hiroshi Tadano, “Evaluation of Trapezium Current Mode in Comparison to the Discontinuous Current Mode for Single Phase Grid-tied Inverter” in Proceedings of  the 43th Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society, (IECON 2017), October 29-November 1 2017, Beijing, China, DOI:10.1109/IECON.2017.8216193.
  • Xufang Zhang, Dai Okamoto, Tetsuo Hatakeyama, Mitsuru Sometani,Shinsuke Harada, Noriyuki Iwamuro, and Hiroshi Yano, “Impact of oxide thickness on the density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors” in Proceedings of International Workshop on Dielectric Thin films for Future Electron Devices (IWDTF 2017) November 20-22, 2017, Nara, Japan.
  • Yuki Karamoto, Xufang Zhang, Dai Okamoto, Mitsuru Sometani, Tetsuo Hatakeyama, Shinsuke Harada, Noriyuki Iwamuro, and Hiroshi Yano, “Analysis of fast and slow responses of interface traps in p-type SiC MOS capacitors by conductance method” in Proceedings of International Workshop on Dielectric Thin films for Future Electron Devices (IWDTF 2017) November 20-22, 2017, Nara, Japan.
  • Noriyuki Iwamuro,”Recent Progress of Power Semiconductor Devices and Their Future (Invited),” 2017 IEEE CPMT Symposium Japan, November 20-22, 2017, Kyoto, Japan, 15-02, pp.191-194, DOI:10.1109/ICSJ.2017.8240114 .
  • Daichi Yamanodera, Takanori Isobe, Hiroshi Tadano,”Application of GaN Device to MHz Operating Grid-Tied Inverter Using Discontinuous Current Mode for Compact and Efficient Power Conversion,” in Proceedings of 12th IEEE Power Electronics and Drive Systems, (PEDS 2017), December 12-15,2017, Hawaii, U.S.A, DOI:10.1109/PEDS.2017.8289255.
  • Jun Osawa, Takanori Isobe, Hiroshi Tadano,”Efficiency Improvement of High Frequency Inverter for Wireless Power Transfer System Using a Series Reactive Power Compensator,” in Proceedings of 12th IEEE Power Electronics and Drive Systems, (PEDS 2017), December 12-15,2017, Hawaii, U.S.A, DOI:10.1109/PEDS.2017.8289240.
  • Yang Zou, Rene Barrera-Cardenas, Takanori Isobe, Hiroshi Tadano,”Power Loss Analysis of DAB Converter for SST Operated in Oscillating Power Control,” in Proceedings of 12th IEEE Power Electronics and Drive Systems, (PEDS 2017), December 12-15,2017, Hawaii, U.S.A, DOI:10.1109/PEDS.2017.8289258.
  • Ryuji Iijima, Takanori Isobe, Hiroshi Tadano,”Optimized Short-Through Time Distribution for Inductor Current Ripple Reduction in Z-Source Inverter” in  IEEE　Applied Power Electronics Conference and Exposition, (APEC 2018),  March 4-8,2017, Texas, U.S.A, DOI:10.1109/APEC.2018.8341374.

学会・研究会発表（国内）

  • 髙橋勇紀, 飯嶋竜司, 磯部高範, 只野博, 山﨑長治, 長谷川智宏, “スイッチ型クライストロンモジュレータへの出力電圧補償回路の適用に関する検討”,  日本加速器学会 第14回年会, 札幌市（北海道大学 札幌キャンパス）, 2017年8月1日~8月3日
  • 唐本祐樹, 張旭芳, 岡本大, 染谷満, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司, “コンダクタンス法によるp型SiC MOSキャパシタ界面特性の解析”, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場, 2017年9月5日~8日
  • 張旭芳, 岡本大, 畠山哲夫, 染谷満, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司, “ Verification of density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors with different oxide thicknesses,”第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場, 2017年9月5日~8日
  • 鴨志田直樹, 飯嶋竜司, 磯部高範, 只野博, “Superjunction-MOSFETを適用したZソースインバータの昇圧動作に伴う損失の解析”, 半導体電力変換・モータドライブ合同研究会, 和歌山県, 2017年9月7日~8日
  • 唐本祐樹, 張旭芳, 岡本大, 染谷満, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司, “コンダクタンス法によるp型SiC MOS界面の高速及び低速応答準位の解析”, 先進パワー半導体分科会 第4回講演会, 名古屋国際会議場, 2017年11月1日~2日
  • 張旭芳, 岡本大, 畠山哲夫, 染谷満, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司,“ 4H-SiC MOS界面におけるNIT密度分布の膜厚依存性”, 先進パワー半導体分科会 第4回講演会, 名古屋国際会議場, 2017年11月1日~2日
  • 山野寺大地, 磯部高範, 只野博,“GaNデバイスを用いた電流不連続モード系統連系インバータのMHz運転における動作検証および損失の解析”, 電子デバイス・半導体電力変換合同研究会, 鹿児島大学, 2017年11月20日~21日
  • 石川清太郎, 磯部高範, 只野博,“高速駆動SiC-MOSFETの並列接続に関する検討”, 電子デバイス・半導体電力変換合同研究会, 鹿児島大学, 2017年11月20日~21日
  • 張旭芳, 岡本大, 畠山哲夫, 染谷満, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司, “Difference of NIT density distribution in 4H-SiC MOS interfaces for Si- and C-faces, 第23回電子デバイス界面テクノロジー研究会, 静岡県三島市東レ総合研修センター, 2018年1月18日~20日
  • 賀子今, 鄒楊, 磯部高範, 只野博, “モジューラ・カスケード方式Solid-State-TransformerにおけるDCリンクコンデンサ小型化のための脈動電力制御,” 電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会, 熊本(熊本市国際交流会館), 2018年3月5日～3月6日
  • 鄒楊, Barrera-Cardenas Rene, 磯部高範, 只野博, “Power Loss Analysis of DAB Converter for SST Operated in Oscillating Power Control,” 電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会, 熊本(熊本市国際交流会館), 2018年3月5日～3月6日
  • 髙橋勇紀, 磯部高範, 只野博, “直列電圧補償回路を用いたハイブリッド変圧器の検討”, 平成30年電気学会全国大会, 九州大学伊都キャンパス, 2018年3月14日~16日
  • 豊田大晃,磯部高範,只野博,”電流不連続モードを用いた電圧型三相インバータの実機検証”,平成30年電気学会全国大会, 九州大学伊都キャンパス, 2018年3月14日~16日
  • 鴨志田直樹, 飯嶋竜司, 磯部高範, 只野博, “SJ-MOSFETを適用したQZSIの回路方式・デバイス間での損失評価”, 平成30年電気学会全国大会, 九州大学伊都キャンパス, 2018年3月14日~16日
  • 北島魁人, 岡本大, 矢野裕司, 岩室憲幸, “メタルアニール工程を省いた4H-SiCイオン注入n+層オーミックコンタクト実現の検討”, 平成30年電気学会全国大会, 九州大学伊都キャンパス, 2018年3月14日~16日
  • 吉田千恵, 磯部高範, 岩室憲幸, 只野博, “相補型インバータにおけるSiC-pMOSFETの性能に対する電圧利用率の検討”, 平成30年電気学会全国大会, 九州大学伊都キャンパス, 2018年3月14日~16日
  • 周星炎, 岡本大, 畠山哲夫, 染谷満, 原田信介, 唐本祐樹, 張旭芳, 岩室憲幸, 矢野裕司, “Impact of passivation treatments on channel mobility for p-channel 4H-SiC MOSFETs”, 第65回 応用物理学会 春季学術講演会, 早稲田大学西早稲田キャンパス, 2018年3月17日~20日
  • 原田穣, 森本忠雄, 原田信介, 岩室憲幸, “マルチエピタキシャル型SiC SJ ダイオードの電気特性のプロセス依存性”, 第65回 応用物理学会 春季学術講演会, 早稲田大学西早稲田キャンパス, 2018年3月17日~20日
  • 根本宏樹, 岡本大, 染谷満, 木内祐治, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司, “pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析”, 第65回 応用物理学会 春季学術講演会, 早稲田大学西早稲田キャンパス, 2018年3月17日~20日

一般雑誌掲載記事

  • Noriyuki Iwamuro, “Power Semiconductors Shape up for Future Vehicles”, ASIA ELECTRONICS INDUSTRY, 2017年6月号 電波新聞社
  • Junjie An, Masaki namai, Mikiko Tanabe, Dai Okamoto, Hiroshi Yano, and Noriyuki Iwamuro, “Making a debut: the p-type SiC MOSFET”, Compound Semiconductor, June, 2017.
  • 岩室憲幸　”新材料の実用化が進むパワー半導体　パワー半導体の基礎”, 電気総合誌「オーム　OHM」1月号, 2018年1月5日

講演

  • 岩室憲幸,”パワーデバイスの動向およびSiC/GaN研究開発の最前線,” 電気学会産業応用フォーラムパワエレ道場, 2017年7月19日

書籍

  • 岩室憲幸　監修,　”SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント”，S&T出版, 2018年1月10日
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