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  • 2015年度の研究業績



  1. T. Shoji, A. Soeno, H. Toguchi, S. Aoi, Y. Watanabe, and H. Tadano, “Theoretical analysis of short-circuit capability of SiC power MOSFETs,” Japanese Journal of Applied Physics (JJAP), vol. 54, iss. 04DP03, 2015. DOI:10.7567/JJAP.54.04DP03
  2. T. Shoji, S. Nishida, K. Hamada, and H. Tadano, “Observation and analysis of neutron-induced single-event burnout in silicon power diodes,” IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 30, iss. 5, pp. 2474-2480, 2015. DOI:10.1109/TPEL.2014.2361682
  3. M. m. Cheng, K. Feng, T. Isobe and R. Shimada, “Characteristics of the magnetic energy recovery switch as a static Var compensator technology,” in IET Power Electronics, vol. 8, no. 8, pp. 1329-1338, 8 2015. DOI: 10.1049/iet-pel.2014.0609
  4. T. Isobe, D. Shiojima, K. Kato, Y. R. R. Hernandez, and R. Shimada, “Full-bridge reactive power compensator with minimized-equipped capacitor and its application to static var compensator,” IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 31, iss. 1, pp. 224-234, 2016. DOI:10.1109/TPEL.2015.2412954
  5. 丹羽章雅, 今澤孝則, 木村友則, 笹谷卓也, 磯部高範, 只野博, “SiC-MOSFETの電流センス機能を用いたデッドタイム制御回路,” 電気学会論文誌D, Vol. 136, No. 2, pp. 145-151, 2016. DOI:10.1541/ieejias.136.145
  6. H. Yano, N. Kanafuji, A. Osawa, T. Hatayama, and T. Fuyuki, “Threshold Voltage Instability in 4H-SiC MOSFETs with Phosphorus-Doped and Nitrided Gate Oxides”, IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 62, No.2, pp.324-332 (2015)
    DOI: 10.1109/TED.2014.2358260


  • Noriyuki Iwamuro, ”Recent Progress of Power Semiconductor Devices and Their Futures,” in BIT’s 4th Annual World Congress of Emerging Info-Tech 2015, April.
  • Y. Yamada, T. Isobe, R. Shimada, and H. Tadano, “Efficiency Evaluation of Rectifier System for PMSG with Highly Efficient Series Reactive Compensator,” in The 18th International Conference on Electrical Machines and Systems (ICEMS2015), Pattaya, Thailand, 25-28 October 2015. DOI: 10.1109/ICEMS.2015.7385005
  • Ryuji Iijima, Takanori Isobe, Hiroshi Tadano, “Loss Comparison of Z-source Inverter from the Perspective of Short-through Mode Implementation and Type of Switching Device,” in IEEE International Future Energy Electronics Conference(IFEEC2015), Taipei, Taiwan, 1-4 November 2015. DOI: 10.1109/IFEEC.2015.7361518
  • Ryuji Iijima, Takanori Isobe, Hiroshi Tadano, “Investigation of Eliminating Free-wheeling Diode Conduction of Z-source Inverter using SiC-MOSFET,” in The 41st Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society (IECON2015), Yokohama, Japan, 9-12 November 2015. DOI: 10.1109/IECON.2015.7392668
  • A. Niwa, T. Imazawa, T. Kimura, T. Sasaya, T. Isobe and H. Tadano, “Novel dead time controlled gate driver using the current sensor of SiC-MOSFET,”  in The 41st Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society (IECON2015), Yokohama, Japan, 9-12 November 2015. DOI: 10.1109/IECON.2015.7392338
  • T. Senanayake, R. Iijima, T. Isobe and H. Tadano, “Improved impedance source inverter for hybrid/electric vehicle application with continuous conduction operation,” 2016 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), Long Beach, CA, 2016, pp. 3722-3726. DOI: 10.1109/APEC.2016.7468406
  • A. Henry, H. Yano, and T. Hatayama, “Photoluminescence of 10H-SiC”, The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015 (ICSCRM2015), Giardini Naxos (Italy), Tu-1A-4, 2015/10/6.
  • T. Hatakeyama, K. Takao, Y. Yonezawa, and H. Yano,“Pragmatic Approach to the Characterization of Traps at SiC/SiO2 Interfaces near the Conduction Band with Split C-V and Hall Measurements”, The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015 (ICSCRM2015), Giardini Naxos (Italy), Fr-1B-4, 2015/10/9.


  • 奥田一真,磯部高範, 只野博, 岩室憲幸 “デッドタイムを最小化する相補型インバータ及びそのゲート駆動回路の検討,” 平成27年電気学会産業応用部門大会, 大分大学旦野原キャンパス, 2015年9月2日~9月4日
  • 山田庸介, 磯部高範, 嶋田隆一, 只野博, “ダイオード整流回路と直列無効電力補償回路を組み合わせた永久磁石同期発電機向け整流回路の損失分析,” 平成27年電気学会産業応用部門大会, 大分大学旦野原キャンパス, 2015年9月2日~9月4日
  • 沈凌鋒, 磯部高範, 只野博, “SiC-MOSFETを用いたDC-DCコンバータにおけるゲート抵抗及び外付SiC-SBDの有無とスイッチング損失の関係評価,” 平成27年電気学会産業応用部門大会, 大分大学旦野原キャンパス, 2015年9月2日~9月4日
  • 飯嶋竜司, 磯部高範, 只野博, “Z ソースインバータにおける上下短絡方式と半導体素子の違いによる発生損失の比較,” 平成27年電気学会産業応用部門大会, 大分大学旦野原キャンパス, 2015年9月2日~9月4日
  • 張剣韜, 磯部高範, 只野博,”電流不連続モード系統連系インバータとそのソフトスイッチング化の検討,”パワーエレクトロニクス学会第211回定例研究会,神戸市立工業高等専門学校,2015年12月19日
  • 飯嶋竜司, 磯部高範, 只野博, “SiC-MOSFETを用いたZソースインバータにおけるボディーダイオードの無通電運転に関する検討,” 電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会, 九州(九州工業大学 戸畑キャンパス), 2016年3月8日~3月9日
  • Barrera Cardenas Rene Alexander, Takanori Isobe (University of Tsukuba), Molinas Marta (Norwegian University of Science and Technology), “A meta-parameterised approach for the evaluation of semiconductor technologies: a comparison between SiC MOSFET and Si IGBT technologies,” 電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会, 九州(九州工業大学 戸畑キャンパス), 2016年3月8日~3月9日
  • 嶋田隆一, 磯部高範, 只野博, 岩室憲幸, “SiC-MOSFETによる無アーク低ノイズ開閉器,” 平成28年電気学会全国大会, 東北大学 川内北キャンパス, 2016年3月16日~3月18日
  • 安俊傑, 生井正輝, 岡本大, 只野博, 矢野裕司, 岩室憲幸, “Electrothermal Evaluation of SiC MOSFETs during Unclamped Inductive Switching,” 平成28年電気学会全国大会, 東北大学 川内北キャンパス, 2016年3月16日~3月18日
  • 生井正輝, 安俊傑, 岡本大, 只野博, 矢野裕司, 岩室憲幸, “SiC-MOSFETのUIS耐量評価,” 平成28年電気学会全国大会, 東北大学 川内北キャンパス, 2016年3月16日~3月18日
  • 飯嶋竜司, 磯部高範, 只野博, “q-ZソースインバータにおけるMOSFETを用いたダイオードの損失低減に関する実験的検討,” 平成28年電気学会全国大会, 東北大学 川内北キャンパス, 2016年3月16日~3月18日
  • 陳偉夫, 飯嶋竜司, 磯部高範, 只野博 (筑波大学), 川波靖彦, 寺園勝志 (安川電機), “Dual Active Bridgeコンバータのデッドタイム最適化に関する実験的検討,” 平成28年電気学会全国大会, 東北大学 川内北キャンパス, 2016年3月16日~3月18日
  • 張龍, 飯嶋竜司, 磯部高範, 只野博 (筑波大学), 川波靖彦, 寺園勝志 (安川電機), “モジュラー・マルチレベル構成トランスレスSTATCOMのコンデンサの小型化に関する検討,” 平成28年電気学会全国大会, 東北大学 川内北キャンパス, 2016年3月16日~3月18日
  • 渡邊直也, 大澤順, 磯部高範, 只野博, “非接触給電システムにおける直列補償回路GCSCの適用効果の検討,” 平成28年電気学会全国大会, 東北大学川内北キャンパス, 2016年3月16日~3月18日
  • 磯部高範(筑波大学),廣川貴之(パナソニック),住吉眞一郎(パナソニックアプライアンスセーフティサービス), “駆動・制御回路、センサーにおけるパワー密度向上に向けた要素技術とそのロードマップ,” 平成28年電気学会全国大会, 東北大学川内北キャンパス, 2016年3月16日~3月18日
  • 小島領太,丹羽章雅,山田隆弘,笹谷卓也(デンソー),磯部高範,只野 博(筑波大学), “SiC-MOSFETボディダイオードのデッドタイム短縮によるリカバリ損失低減効果,” 平成28年電気学会全国大会, 東北大学川内北キャンパス, 2016年3月16日~3月18日
  • 岩室憲幸,”最新パワー半導体デバイスの現状とこれから,” 2015エレクトロニクス実装学会最先端実装技術シンポジウム 2015年6月3日
  • 岩室憲幸,”パワーデバイスの動向およびSiC研究開発の最前線,” 電気学会産業応用フォーラムパワエレ道場, 2015年11月10日
  • 岩室憲幸,”パワーデバイスの構造と材料・製膜技術の展開,” 化学工学会CVD反応分科会,2015年12月1日
  • 岩室憲幸,”最新パワー半導体デバイス技術と今後の課題,” 日本化学会 コロイドおよび界面科学部会, 2015年12月4日
  • 岡本大, 染谷満, 原田信介, 小杉亮治, 米澤善幸, 矢野裕司,「B導入による高移動度4H-SiC MOSFETの作製と界面トラップ評価」ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- 第20回研究会, 東レ研修センター, P-15, 2015/1/30.
  • 矢野裕司,「SiCパワーデバイスの最前線」(招待講演), 応用物理学会関西支部 平成26年度 第3回講演会, 奈良先端科学技術大学院大学, 2015/2/27.
  • 畠山哲夫, 高尾和人, 矢野裕司, 米澤善幸,「Split-CV法とホール効果を用いた伝導帯近傍のSiC MOS界面準位の評価」 先進パワー半導体分科会 第2回講演会, 大阪国際交流センター, P-67, pp.180-181, 2015/11/9.
  • 矢野裕司,「SiC-MOS界面特性改善技術 ~異原子導入による界面改質~」(招待講演), 先進パワー半導体分科会 第2回講演会, 大阪国際交流センター, V-1, pp.24-25, 2015/11/10.
  • 矢野裕司,「SiC MOSFETとMOS界面の最近の進展」(依頼講演), 2015年真空・表面科学合同講演会, 【合同シンポジウム「パワーデバイスにおけるワイドギャップ半導体の最前線」】, つくば国際会議場, 1Bp03, p.4, 2015/12/01.
  • 岡本光央, 染谷満, 原田信介, 矢野裕司, 奥村元, 「実動作に則した閾値電圧変動の動的評価」, 第63回応用物理学会春季学術講演会, 東工大大岡山キャンパス, 20p-H101-20, 2016/3/20.


・岩室 憲幸 ”次世代パワーエレクトロニクスを支えるSiCパワー半導体デバイスならびにその実装技術” SEAJ Journal 2016年1月号 (社)日本半導体製造装置協会


・岩室憲幸,”最新パワーデバイス技術と今後の展開,” 財団法人岡山県産業振興財団 おかやま電池関連技術研究会, 2015年10月20日

・岩室憲幸, “次世代パワー半導体の最新技術動向,” 日本ファインセラミックス協会イブニングセミナー, 2015年9月4日

  • Noriyuki Iwamuro, ”Recent Power Semiconductor Devices Technologies fora Future Smart Society” Japan-Norway Energy Science Week 2015, 27th May, 2015.
  • Jon Are Suu, Takanori Isobe, “Smart Grid technologies and solutions for Japan and Norway” Japan-Norway Energy Science Week 2015, 27th May, 2015.
  • Rene A. Barrera-Cardenas, “Wide Band Gap Devices for the Next Generation of Electric Transportation”, Academic Conference UDI 2015, 29th October, 2015.


  • 監修: 岩室憲幸:「次世代パワー半導体の高性能化とその産業展開」,シーエムシー出版
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