TSUKUBA POWER ELECTRONICS LABORATORY

2023年度の研究業績

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著者に下線のあるものは他機関所属の著者との共著のもので,下線の著者が本研究室所属です。

学術雑誌掲載論文 (Journals)

  1. S. Føyen, C. Zhang, Y. Zhang, T. Isobe, O. B. Fosso, X. Cai, and M. Molinas, “Frequency Scanning of Weakly Damped Single-Phase VSCs With Chirp Error Control,” in IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 38, no. 9, pp. 10692-10701, Sept. 2023, DOI: 10.1109/TPEL.2023.3281746.
  2. C. Huang, T. Mannen and T. Isobe, “Full ZVS Achievement for DCM Grid-tied Inverter with Improved Average Current Model and Considering Non-linear Parasitic Capacitance,” IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics (Early Access), DOI: 10.1109/JESTPE.2023.3336693.
  3. T. Sawada, H. Tadano, K. Shiozaki, T. Isobe, “Continuous Operation of a Half-Bridge with Multi-Parallel GaN Power Devices for Increased Current Capability,” IEEJ Journal of Industry Applications, vol. 12, no. 4, pp. 695-700, 2023.

学会・研究会発表(国際学会)(Proceedings – International)

  1. M. Takahashi, H. Yano, N. Iwamuro and S. Harada, “Investigations of Residual Damage in SiC Trench MOSFETs after Single and Multiple Short-Circuit Stress,” 2023 35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Hong Kong, 2023, pp. 250-253, DOI: 10.1109/ISPSD57135.2023.10147463.
  2. Yuya Enjoji, Noriyuki Iwamuro and Hiroshi Yano, “Threshold voltage drift mechanism in SiC MOSFETs under AC gate stress” International Conference on SIlicon Carbide and Related Materials (ICSCRM), Sorrento, Italy, Mo.C.11, Sept. 2023.
  3. Yonghyun Cho, Cheng Huang, Tomoyuki Mannen, Takanori Isobe”Design Consideration and Denmonstration of Dual-Active Bridge Converter Using 13-kV SiC-MOSFETs Packaged in TO-268,” in Proceedings of 2023 European Conference on Power Electronics and Applications (EPE’23 ECCE Europe)“, Sep. 4-8, 2023.
  4. H. Tamura, T. Isobe and T. Mannen, “Line Loss Minimization and Current Regulation in a Loop Distribution System using Full-bridge Series Compensator,” 2023 IEEE Energy Conversion Congress & Expo (ECCE2023), Nashville, TN, USA, Nov, 2023, pp. 1018-1024, DOI: 10.1109/ECCE53617.2023.10362431.
  5. C. Huang, T. Mannen and T. Isobe, “Comparative Analysis of Inductor Loss for High-Frequency DCM Grid-Tied Inverters with Modulations Strategies Achieving ZVS,” 2023 IEEE 14th International Symposium on Power Electronics for Distributed Generation Systems (PEDG), Shanghai, China, 2023, pp. 241-246, DOI: 10.1109/PEDG56097.2023.10215233.
  6. C. Huang, T. Mannen and T. Isobe, “Improved Burst Mode Operation for DAB Converters to Achieve ZVS in Full-Load-Range by Considering Device Voltage Oscillation,” 2023 IEEE 24th Workshop on Control and Modeling for Power Electronics (COMPEL), Ann Arbor, MI, USA, 2023, pp. 1-7, DOI: 10.1109/COMPEL52896.2023.10221120.

学会・研究会発表(国内)(Proceedings – Domestic)

  1. 趙 龍賢,萬年 智介,磯部 高範,“配電網に直接連系する電力変換器実現に向けて絶縁DC/DCコンバータへの13 kV耐圧SiC-MOSFETの適用可能性の検討”,2023年電気学会産業応用部門大会,名古屋工業大学,2023年8月22日~8月24日
  2. 田村快士磯部高範萬年智介,染谷 満,原田信介, “フルブリッジ型直列補償装置を用いたループ配電系統における線路電流制御と送電損失最小化”,電子デバイス/半導体電力変換合同研究会,九州大学,2023年10月25日~10月27日
  3. Huang Cheng,萬年 智介,磯部 高範,“間欠運転におけるデバイス電圧共振を活用した全負荷領域のゼロ電圧スイッチング動作が可能な DAB コンバータの実機検証”,2023年電気学会産業応用部門大会,名古屋工業大学,2023年8月22日~8月24日
  4. 森海斗,岩室憲幸,矢野裕司,「4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価」,先進パワー半導体分科会 第10回講演会,IA-21,2023年11月30~12月1日
  5. 松木康太郎,岩室憲幸,矢野裕司,「SiC トレンチ MOSFET への電子線照射効果」,先進パワー半導体分科会 第10回講演会, IA-22, 2023年11月30~12月1日
  6. 円城寺佑哉,岩室憲幸,矢野裕司,「ACゲートストレスによるSiC MOSFETのしきい値電圧とサブスレッショルドスイングの変動評価」,先進パワー半導体分科会 第10回講演会, IA-23, 2023年11月30~12月1日

一般雑誌掲載記事 (Magazines)

  1. 磯部高範:「(解説)電気自動車用パワートレインに用いられるインバータ技術」, 計測と制御, Vol. 62, No. 11, pp. 670-674, 2023. DOI: 10.11499/sicejl.62.670

講演 (Invited Lecture)

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