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  • 2023年度の研究業績


学術雑誌掲載論文 (Journals)

  1. S. Føyen, C. Zhang, Y. Zhang, T. Isobe, O. B. Fosso, X. Cai, and M. Molinas, “Frequency Scanning of Weakly Damped Single-Phase VSCs With Chirp Error Control,” in IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 38, no. 9, pp. 10692-10701, Sept. 2023, DOI: 10.1109/TPEL.2023.3281746.
  2. C. Huang, T. Mannen and T. Isobe, “Full ZVS Achievement for DCM Grid-tied Inverter with Improved Average Current Model and Considering Non-linear Parasitic Capacitance,” IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, vol. 12, no. 1, pp. 472-485, Feb. 2024, DOI: 10.1109/JESTPE.2023.3336693.
  3. T. Sawada, H. Tadano, K. Shiozaki, T. Isobe, “Continuous Operation of a Half-Bridge with Multi-Parallel GaN Power Devices for Increased Current Capability,” IEEJ Journal of Industry Applications, vol. 12, no. 4, pp. 695-700, 2023 DOI: 10.1541/ieejjia.22007958.
  4. T. Mannen and K. Wada, “Overvoltage Suppression in Initial Charge Control for DC Capacitor Using Multiple Leg Short-Circuits With SiC-MOSFETs in Power Converters,” IEEE Open Journal of Power Electronics, vol. 4, pp. 703-715, 2023, DOI: 10.1109/OJPEL.2023.3303255.

学会・研究会発表(国際学会)(Proceedings – International)

  1. T. Mannen, “Peak Transmitting-Power Reduction of Isolated DC-DC Converters in Solid-State-Transformer Equipped with Reduced Capacitors Utilizing Third-Order Circulating Current in Delta-Connection,” 2023 11th International Conference on Power Electronics and ECCE Asia (ICPE 2023 – ECCE Asia), Jeju Island, Korea, Republic of, 2023, pp. 406-411, DOI: 10.23919/ICPE2023-ECCEAsia54778.2023.10213617.
  2. M. Takahashi, H. Yano, N. Iwamuro and S. Harada, “Investigations of Residual Damage in SiC Trench MOSFETs after Single and Multiple Short-Circuit Stress,” 2023 35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Hong Kong, 2023, pp. 250-253, DOI: 10.1109/ISPSD57135.2023.10147463.
  3. C. Huang, T. Mannen and T. Isobe, “Comparative Analysis of Inductor Loss for High-Frequency DCM Grid-Tied Inverters with Modulations Strategies Achieving ZVS,” 2023 IEEE 14th International Symposium on Power Electronics for Distributed Generation Systems (PEDG), Shanghai, China, 2023, pp. 241-246, DOI: 10.1109/PEDG56097.2023.10215233.
  4. C. Huang, T. Mannen and T. Isobe, “Improved Burst Mode Operation for DAB Converters to Achieve ZVS in Full-Load-Range by Considering Device Voltage Oscillation,” 2023 IEEE 24th Workshop on Control and Modeling for Power Electronics (COMPEL), Ann Arbor, MI, USA, 2023, pp. 1-7, DOI: 10.1109/COMPEL52896.2023.10221120.
  5. Yonghyun Cho, Cheng Huang, Tomoyuki Mannen, Takanori Isobe, “Design Consideration and Demonstration of Dual-Active Bridge Converter Using 13-kV SiC-MOSFETs Packaged in TO-268,” in Proceedings of 2023 European Conference on Power Electronics and Applications (EPE’23 ECCE Europe)“, Sep. 4-8, 2023, DOI: 10.23919/EPE23ECCEEurope58414.2023.10264433
  6. Yuya Enjoji, Noriyuki Iwamuro and Hiroshi Yano, “Threshold voltage drift mechanism in SiC MOSFETs under AC gate stress” International Conference on SIlicon Carbide and Related Materials (ICSCRM), Sorrento, Italy, Mo.C.11, Sept. 2023.
  7. H. Tamura, T. Isobe and T. Mannen, “Line Loss Minimization and Current Regulation in a Loop Distribution System using Full-bridge Series Compensator,” 2023 IEEE Energy Conversion Congress & Expo (ECCE2023), Nashville, TN, USA, Nov, 2023, pp. 1018-1024, DOI: 10.1109/ECCE53617.2023.10362431.
  8. T. Mannen, B. Seo, T. Isobe and H. P. N., “Phase-Lagging Operation in a Buck-Type Current Unfolding Converter with Discontinuous Conduction Mode,” 2023 IEEE International Future Energy Electronics Conference (IFEEC), Sydney, Australia, 2023, pp. 555-559, DOI: 10.1109/IFEEC58486.2023.10458481.

学会・研究会発表(国内)(Proceedings – Domestic)

  1. 趙 龍賢,萬年 智介,磯部 高範,「配電網に直接連系する電力変換器実現に向けて絶縁DC/DCコンバータへの13 kV耐圧SiC-MOSFETの適用可能性の検討」,2023年電気学会産業応用部門大会,名古屋工業大学,2023年8月22日~8月24日
  2. Huang Cheng,萬年 智介,磯部 高範,「間欠運転におけるデバイス電圧共振を活用した全負荷領域のゼロ電圧スイッチング動作が可能な DAB コンバータの実機検証」,2023年電気学会産業応用部門大会,名古屋工業大学,2023年8月22日~8月24日
  3. 萬年 智介,磯部 高範,「寄生インダクタンスを考慮した解析に基づくSiC-MOSFETのスイッチング波形算出とアクティブゲートを用いたサージ電圧のフラットトップ駆動の検討」,2023年電気学会産業応用部門大会,名古屋工業大学,2023年8月22日~8月24日
  4. 田村快士磯部高範萬年智介,染谷 満,原田信介,「フルブリッジ型直列補償装置を用いたループ配電系統における線路電流制御と送電損失最小化」,電子デバイス/半導体電力変換合同研究会,九州大学,2023年10月25日~10月27日
  5. 森海斗,岩室憲幸,矢野裕司,「4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価」,先進パワー半導体分科会 第10回講演会,IA-21,2023年11月30日~12月1日
  6. 松木康太郎,岩室憲幸,矢野裕司,「SiC トレンチ MOSFET への電子線照射効果」,先進パワー半導体分科会 第10回講演会, IA-22, 2023年11月30日~12月1日
  7. 円城寺佑哉,岩室憲幸,矢野裕司,「ACゲートストレスによるSiC MOSFETのしきい値電圧とサブスレッショルドスイングの変動評価」,先進パワー半導体分科会 第10回講演会, IA-23, 2023年11月30日~12月1日
  8. 井手智也,平瀬祐子,磯部高範,「インバータ電源が接続された電力系統のインピーダンスベース安定性解析技術確立に向けた実証試験報告」,電気学会半導体電力変換/家電・民生/自動車合同研究会,神戸大学統合研究拠点,2024年12月14日〜15日
  9. 鈴木陽太,Cheng Huang,磯部高範,萬年智介,「3.3 kV SiC-MOSFETを用いた電源 2 倍周波数で 伝送電力を脈動させる SST 向け DAB コンバータの損失評価」,電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会,福江文化会館,2024年3月7日~3月8日
  10. 岡村有起,小原秀嶺,鈴木陽太磯部高範,「3.3kV SiC-MOSFETを用いたSSTにおける高圧キャパシタと連系インダクタの小型化に関する検討」,電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会,福江文化会館,2024年3月7日~3月8日
  11. 田村快士,磯部高範,萬年智介,「セル電圧不均等マルチレベル方式によるフルブリッジ型直列補償装置の高調波電圧最小化」,令和6年電気学会全国大会,徳島大学,2024年3月14日~3月16日
  12. 菊池真矢,矢野裕司,岩室憲幸,「SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析」,令和6年電気学会全国大会,徳島大学,2024年3月14日~3月16日
  13. 鈴木一広,矢野裕司,岩室憲幸,「1.2-kV SiC MOSFET負荷短絡耐量の温度依存性解析」,令和6年電気学会全国大会,徳島大学,2024年3月14日~3月16日
  14. 森海斗,岩室憲幸,矢野裕司,「4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート-ドレイン間寄生容量特性解析」,令和6年電気学会全国大会,徳島大学,2024年3月14日~3月16日
  15. 田中大暁,萬年智介磯部高範,喜多英治,柳原英人,「数MHzの交流磁化過程測定装置の開発(Ⅱ)」,令和6年電気学会全国大会,徳島大学,2024年3月14日~3月16日

一般雑誌掲載記事 (Magazines)

  1. 磯部高範:「(解説)電気自動車用パワートレインに用いられるインバータ技術」, 計測と制御, Vol. 62, No. 11, pp. 670-674, 2023. DOI: 10.11499/sicejl.62.670

講演 (Invited Lecture)

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