TSUKUBA POWER ELECTRONICS LABORATORY

次世代パワー半導体の研究

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研究領域

　　新材料（炭化ケイ素：SiCなど）を使った高性能パワー半導体の研究

研究テーマ

  1. オン抵抗を極限まで低減する研究
  2. 新回路方式に適したデバイスの研究

キーワード

超低抵抗、高信頼性、使いやすい

研究

TIA連携棟でのSiCパワー半導体の信頼性評価解析

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