居室: (国)産業技術総合研究所 つくば中央第2
専門分野： 電力機器、電力変換機器、エネルギーマネジメント
所属：数理物質系 教授（物理工学域）
学位：博士（工学）
経歴
- 1989年3月 東京工業大学工学部電気・電子工学科卒業
- 1991年3月 東京工業大学修士課程（電気・電子工学専攻）修了
- 1994年3月 東京工業大学博士課程（電気・電子工学専攻）修了
- 1994年4月 東京工業大学工学部電気・電子工学科助手
- 1996年6月 通産省工業技術院電子技術総合研究所（現在の産業技術総合研究所の前身となる組織のひとつ）に転籍、現在に至る
- 2013年4月より 筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授（連携大学院）
研究テーマ
- 再生可能エネルギーシステムの研究
- 分散電源大量導入時の電力系統安定化技術の研究
- パワーエレクトロニクス機器を用いたエネルギーマネジメントシステムの研究
学協会
- 電気学会
- 電子情報通信学会
- 低温工学協会
- IEEE
論文、学会発表等
2017年
- 野村英児，門田健次，山口浩，丸山真範，山本真義，東川康児，「市販化へ高まる期待 ～ワイドバンドギャップデバイスの動向と自動車用パワーエレクトロニクス～」，電気学会平成29年全国大会(富山），2017年3月
2016年
- 山口浩，「超電導応用機器の適用可能性を拡げる次世代パワーエレクトロニクス技術」，電気学会研究会資料MC-16-55/ASC-16-55，2016年12月
- K.Koseki, Y.Yonezawa, T.Mizushima, S.Matsunaga, Y.Iizuka, H.Yamaguchi, “Dynamic Behavior of a Medium-Voltage N-channel SiC-IGBT with Ultra-Fast Switching Performance of 300 kV/μs”, ICEMS2106, 2016年11月
- 山口浩，「先進パワー半導体の特性を活かす実装・回路技術の動向」，電気学会茨城支部講演会，2016年10月
- 山口浩，「S4. 次世代パワーエレクトロニクスを支える誘電体技術 ～ナノクリスタル，薄膜，バルクセラミックス～ 高温・高速動作SiCパワーモジュールの開発」，日本セラミックス協会 秋季シンポジウム招待講演，2016年9月
- F.Kato, H.Nakagawa, H.Yamaguchi, H.Sato, “High-temperature Transient Thermal Analysis for SiC Power Module”, Materials Science Forum, Vol.858, P.1078-1081, 2016年5月
- F.Kato, H.Nakagawa, H.Yamaguchi, H.Sato, “Thermal Resistance Evaluation by High-temperature Transient Thermal Analysis Method for SiC Power Module”，Proc. of 2016 International Conference on Electronics Packaging, P.214-217, 2016年4月
- 守口聡一，坂本浩樹，井上重徳，山口浩，「モジュラーマルチレベル変換器（MMC）の適用事例（直流送電）」，平成28年電気学会全国大会，Vol.6，P.25-28，2016年3月
- F.Lang, F.Kato, H.Nakagawa, H.Yamaguchi, H.Sato, R.Kimura, H.Ikeda, K.Shimokawa, R.Tamaki, S.Sekine, “Low Temperature Bonding Technology for 250℃-Operating SiC Power Modules Using Nano-Composite Cu/Sn Paste”, Proc. of 9th International Conference on Integrated Power Electronics Systems, 2016年3月
2015年
- 村上善則，山口浩，「高耐熱パワー半導体用実装に使うセラミックス材料への期待」，日本セラミックス協会 第28回秋季シンポジウム招待講演，2015年9月
- 山口浩，「先進パワー半導体を活かす受動部品技術」，日本セラミックス協会 第28回秋季シンポジウム招待講演，2015年9月
- F.Lang, H.Yamaguchi, H.Nakagawa, H.Sato, “Deformation and Oxidation of Copper Metallization on Ceramic Substrate during Thermal Cycling from -40 Degrees C to 250 Degrees C”, IEEE Trans. on Components Packaging and Manufacuturing Technology, Vol.5(No.8), P.1069-1074, 2015年8月
- 電気学会太陽光発電の系統との相互協調技術調査専門委員会（委員会委員として執筆），「太陽光発電の大量連系に対応する電力系統との相互協調運用技術」，電気学会技術報告，No.1344，2015年7月
- 山口浩，「SiCパワー半導体研究開発の現状と展望」，電気学会Ｄ部門誌ニュースレター，2015年7月
- F.Lang, H.Yamaguchi, H.Nakagawa, H.Sato, “Solid-State Interfacial Reaction between Eutectic Au-Ge Solder and Cu/Ni(P)/Au Metalized Ceramic Substrate and Its Suppression”, J. of Materials Science & Technology, Vol.31(No.5), P.445-452, 2015年5月
- 山口浩，「先進パワー半導体のモジュール化技術」，工業材料，Vol.63(No.5)，P.24-28，2015年5月
- 郎豊群、加藤史樹、仲川博、山口浩、佐藤弘、岡田圭二、木村竜司、進藤広明、関根重信，「ナノコンポジット構造合金微粉末Cu+Ag/Sn+CuペーストによるSiCパワー素子の遷移的液相焼結(TLPS)接合」，第 21 回「エレクトロニクスにおけるマイクロ接合・実装技術」シンポジウム（Mate2015），P.123-127，2015年2月
- F.Lang, H.Yamaguchi, H.Nakagawa, H.Sato, “Cyclic Thermal Stress-induced Degradation of Cu Metallization on Si3N4 substrate at -40 degrees C to 300 degrees C”, J. of Electoronic Materials, Vol.44(No.1), P.482-489, 2015年1月
- F.Kato, R.Simanjorang, F.Lang, H.Nakagawa, H.Yamaguchi, H.Sato, “250℃-Operated sandwich-structured all-SiC power module”, Japanese Journal of Applied Physics 54, 04DP06, 2015年1月
2014年
- 山口浩，「先進パワー半導体のモジュール化技術」，先進パワー半導体分科会 第１回講演会招待講演，2014年11月
- F.Kato, R.Simanjorang, F.Lang, H.Nakagawa, H.Yamaguchi, H.Sato, “250°C Switching Behavior of All SiC Power Module with Sandwich Structure”, International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014), 2014年9月
- 山口浩，「SiCパワーエレクトロニクスの実装技術」，エレクトロニクス実装学会誌，Vol.17(No.2)，P.105-111，2014年3月
- F.Lang, H.Yamaguchi1, H.Nakagawa, H.Sato, “Influence of Cu/Ni(P) Metalized Si3N4 Ceramic Substrate in Bond Reliability of Power Components at 250℃”, 8th International Conference on Integrated Power Electronics Systems (CIPS2014), 2014年2月
特許
2016年
- 「接合方法及び半導体モジュールの製造方法」，登録番号6061248，2016年12月22日
- 「半導体モジュール」，登録番号6041262，2016年11月18日
- 「半導体モジュール、及び半導体チップ実装方法」，登録番号5971543，2016年7月22日
2014年
- 「半導体遮断器及び直流給電システム」，登録番号5509431，2014年4月4日
- 「パワーエレクトロニクス用の半導体装置」，登録番号5464517，2014年1月31日
一般雑誌掲載、講演等
2017年
- 山口浩，「先進パワー半導体とそのパワーエレクトロニクス適用の現状」，第18回プリント配線板ＥＸＰＯセミナー，PWB-4パワーエレクトロニクスと最新のサーマルマネジメントの進展，2017年1月
- 山口浩，「先進パワー半導体とそのパワーエレクトロニクス適用の現状」，第18回プリント配線板ＥＸＰＯセミナー，2017年1月
2016年
- 山口浩，「SiCパワー半導体のモジュール化技術の動向」，セミコンジャパン ＳＴＳパワーデバイスセッション，2016年12月
- 山口浩，「クルマの電動化に向けた高耐熱，高熱伝導材料の最新開発動向 次世代パワー半導体のモジュール化技術動向と車載用途への期待」，車載テクノロジー，Vol.4(No.2)，P.63-66，2016年12月
- 山口浩，「SiC向けパワーモジュールの技術動向」，NEDIA 第3回電子デバイスフォーラム京都，A-3自動車が牽引する次世代実装技術，2016年11月
- 山口浩，「先進パワー半導体の特性を活かす実装・回路技術の動向」，Keysight World 2016 東京，2016年7月
- 山口浩，「次世代パワー半導体のモジュール化技術動向」，シーエムシー出版 エレクトロニクスシリーズ 次世代パワー半導体実装の要素技術と信頼性，P.12-19，2016年5月
2015年
- 山口浩，「SiCパワー素子の現状と課題」，マイクロエレクトロニクスショー エレクトロニクス実装学会シンポジウム「2015 最先端実装技術シンポジウム」，2015年6月
2014年
- F.Lang, H.Yamaguchi, H.Nakagawa, H.Sato, “Coatings used in Packaging the Next-Generation SiC Power Modules”, 第6回つくば国際コーティングシンポジウム(TICS2014)，2014年12月
- 山口浩，「次世代パワー半導体の放熱問題 ～次世代パワー半導体（SiC，GaN）の活用に向けて～」，科学技術未来戦略ワークショップ「フォノンエンジニアリング」－ナノスケール熱制御によるデバイス革新－，2014年11月
- 山口浩，「次世代パワーデバイスの特徴を引き出す実装技術」，筑波大学パワーエレクトロニクス未来技術研究会，2014年6月
- 山口浩，「次世代パワーエレクトロニクスに求められる実装／回路技術」，TSCパワーエレクトロニクスセミナー，2014年3月
