TSUKUBA POWER ELECTRONICS LABORATORY

2026年度の研究業績

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著者に下線のあるものは他機関所属の著者との共著のもので，下線の著者が本研究室所属です。

学術雑誌掲載論文 (Journals)

  1. K. Suzuki, H. Yano and N. Iwamuro, “Comparative Study of Avalanche and Short-Circuit Reliability in 1.2-kV SiC MOSFETs,” in IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 73, no. 7, pp. 4074-4082, July 2026, doi: 10.1109/TED.2026.3697283.

学会・研究会発表（国際学会）(Proceedings – International)

  1. C. Huang, S. Sasaki and T. Isobe, “ZVS Modulation Using DCM for Four-Quadrant Operation of Full-Bridge Grid-Tied Inverters,” 2026 International Power Electronics Conference (IPEC-Nagasaki 2026 – ECCE Asia), Nagasaki, Japan, 2026, pp. 1-6, doi: 10.23919/IPEC-Nagasaki2026-EC64663.2026.11596747.
  2. C. Huang, S. Sasaki and T. Isobe, “Optimizing ZVS-Capable DCM for High-Efficiency Grid-Tied Inverters: Can It Be Better than BCM?,” 2026 International Power Electronics Conference (IPEC-Nagasaki 2026 – ECCE Asia), Nagasaki, Japan, 2026, pp. 1-6, doi: 10.23919/IPEC-Nagasaki2026-EC64663.2026.11597375.
  3. S. Sasaki, C. Huang and T. Isobe, “Improved Current Regulation in CRM-Operated Totem-Pole PFC by Replacing the Blank Interval with a Modified DCM at the Zero Crossing,” 2026 International Power Electronics Conference (IPEC-Nagasaki 2026 – ECCE Asia), Nagasaki, Japan, 2026, pp. 1-7, doi: 10.23919/IPEC-Nagasaki2026-EC64663.2026.11597528.
  4. K. Takenaka, I. Inui, H. Enokura, T. Kawakami and T. Isobe, “Experimental Verification of a Circuit Design Method for Improving Frequency Characteristics of a ZETA Converter Based on Eliminating Right-Half-Plane Zero,” 2026 International Power Electronics Conference (IPEC-Nagasaki 2026 – ECCE Asia), Nagasaki, Japan, 2026, pp. 1-5, doi: 10.23919/IPEC-Nagasaki2026-EC64663.2026.11596955.
  5. C. Huang, T. Isobe, Yohei Moriyama, and Satoru Nate, “A Practical Coss Hysteresis Loss Estimation Method for GaN-HEMTs Based on Resonance Between Device Output Capacitance and Inductors,” 2026 IEEE 27th Workshop on Control and Modeling for Power ElectronicsInternational Power Electronics, Cambridge, England, 2026
  6. S. Uchiyama, H. Yano, N. Iwamuro, “Quantitative Extraction of Channel and JFET Resistances in SiC MOSFETs and Their Impact on the Ron–SCWT Trade-off”, 2026 The 23nd International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM), Yokohama Japan, pp185-186.
  7. T. Hidaka, N. Iwamuro, H. Yano, “Recombination-Enhanced Interface State Generation in SiC MOSFET sunder AC Gate Stress Evaluated by Charge Pumping”, 2026 The 23nd International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM), Yokohama Japan, pp221-222.
  8. R. Momota, M. Sometani, H. Hirai, H. Watanabe, T. Isobe, N. Iwamuro, H. Yano, “Suppression of the Long-Term Component of Threshold Voltage Shift under AC Stress in 4H-SiC DMOSFETs by CO2 Post-Nitridation Annealing”, 2026 The 23nd International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM), Yokohama Japan, pp299-300.
  9. A. Koyasu, N. Iwamuro, H. Yano, “Negative Threshold Voltage Shifts in 4H-SiC MOSFETs under Bipolar AC Gate Stress: Influence of Channel Length and Nitridation Time”, 2026 The 23nd International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM), Yokohama Japan, pp656-657.
  10. S. Sasaki, C. Huang and T. Isobe, “Improved CRM Operation for Totem-Pole PFC Leveraging Zero-Current Interval to Enable Switching-Frequency Regulation,” 2026 IEEE Energy Conversion Congress & Expo (ECCE2026), Vancouver, BC, Canada, Oct., 2026,

学会・研究会発表（国内）(Proceedings – Domestic)

  1. 竹中敬士，Huang Cheng，磯部高範，「LCL フィルタ付き単相フルブリッジインバータにおけるシングルループ dq 電圧制御とカスケード dq 電圧制御の比較」，2026年電気学会産業応用部門大会，岡山大学 津島キャンパス，2026年9月1日～3日
  2. 麦倉優輔，黄成，磯部高範，「スイッチング軌跡上の動作点に基づく高電圧領域出力特性抽出法と動作波形予測」，2026年電気学会産業応用部門大会，岡山大学 津島キャンパス，2026年9月1日～3日
  3. 日高 剛, 岩室 憲幸, 矢野 裕司, 「チャージポンピング測定によるゲートACストレス下SiC-MOSFETの界面準位生成評価」,第87回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス, 9a-A21-7, 2026年9月8日～11日
  4. 子安 葵, 岩室 憲幸, 矢野 裕司, 「ゲート AC ストレスによる n チャネル SiC MOSFET の負のしきい値電圧変動とチャネル長依存性」,第87回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス, 9a-A21-8, 2026年9月8日～11日
  5. 百田 龍生, 岩室 憲幸, 矢野 裕司, 「CO2-PNAによる4H-SiC DMOSFETのACストレスに対するしきい値電圧変動の長期成分抑制」,第87回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス, 9a-A21-10, 2026年9月8日～11日
  6. 小川 優人, 岩室 憲幸, 矢野 裕司, 「電子線照射がSiC MOSFETのチャネルとドリフト層に与える影響」,第87回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス, 9p-A21-1, 2026年9月8日～11日
  7. 古谷 颯真, 岩室 憲幸, 矢野 裕司, 「電子線照射がSiC-MOSキャパシタの界面特性に及ぼす影響」,第87回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス, 9p-A21-2, 2026年9月8日～11日
  8. 馬場 智大, 矢野 裕司, 岩室 憲幸, 「貼り合わせ基板を用いたSiC MOSFET内蔵pinダイオードの特性解析」,第87回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス, 9p-A21-10, 2026年9月8日～11日
  9. 内山 颯, 矢野 裕司, 岩室 憲幸, 「SiC MOSFETにおけるオン抵抗成分解析と負荷短絡耐量への構造依存性の検討」,第87回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス, 9p-A21-12, 2026年9月8日～11日
  10. Cheng Huang，佐々木壮太，磯部高範，「ZVSを実現可能なDCM系統連系インバータの高効率化：TCMを超える性能を目指して」，半導体電力変換/モータドライブ合同研究会，八丈島，2026年9月9日〜10日

一般雑誌掲載記事 (Magazines)

講演 (Invited Lecture)

 

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