TSUKUBA POWER ELECTRONICS LABORATORY

黄 成

 

黄 成(こう せい)

居室:ベンチャービジネスラボラトリ401-1

E-mail:huang.cheng.ga@u

TEL:

専門分野:電力変換回路,ワイドバンドギャップパワーデバイス,超高周波スイッチング

所属:数理物質系 特任助教(物理工学域)

学位:博士(工学)

略歴

  • 中国吉林省生まれ
  • 2009-2013 電子科技大学 学士
  • 2013-2017 中国中車
  • 2019-2021 筑波大学大学院 修士
  • 2021-2024 筑波大学大学院 博士
  • 2024-2026 筑波大学 数理物質系 研究員
  • 2026-現在  筑波大学 数理物質系 特任助教

 研究分野

GaNなどのワイドバンドギャップ半導体デバイスを用いた電力変換技術。ソフトスイッチングによるMHz級の超高周波動作,高速スイッチングを活かした電力変換器の小型・高電力密度化。高周波動作に適した回路方式・制御方式,磁気部品の小型化など。

所属学会等

電気学会、IEEE

主な研究業績(着任以前)

筑波大学に着任以降の業績については研究業績をご覧ください。

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