第4回筑波大学パワーエレクトロニクス未来技術研究会「GaNパワーデバイス、実装技術とその応用」を開催します。
日時： 2016年2月5日（金） 13時20分～17時40分
場所： 筑波大学東京キャンパス文京校舎1階134講義室（東京都文京区大塚3-29-1）（地下鉄丸ノ内線茗荷谷駅より徒歩2分）
参加費：3,000円（資料代を含む、学生は無料）
意見交換会：林野会館にて
主催： 筑波大学数理物質系
共催： NPO未来アジア技術フォーラム（TeFFA）
後援： パワーエレクトロニクス学会
協賛： Tsukuba Power Electronics Constellations (TPEC)
参加申し込み先: teffareg@ybb.ne.jp （1/29(金) 締切り）
（氏名、所属、e-mailｱﾄﾞﾚｽ、意見交換会への参加/不参加をご連絡ください。）
プログラム
座長 : 筑波大学 数理物質科学研究科 パワーエレクトロニクス研究室 助教 岡本 大
13:20～13:30 筑波大学パワーエレクトロニクス研究室の近況ご紹介
筑波大学 数理物質科学研究科 パワーエレクトロニクス研究室 教授 岩室 憲幸
13:30～14:20 「SiC/SiO2 界面特性向上に関する研究成果（仮題）」
筑波大学 数理物質科学研究科 教授 山部 紀久夫
14:20～15:10 「GaN パワーデバイスの活用と太陽光PCS への応用」
㈱安川電機 インバータ事業部 環境エネルギー機器事業部統括部 開発部
制御開発担当課長 井手 耕三
15:10～15:25 休憩
座長 : 筑波大学 数理物質科学研究科 パワーエレクトロニクス研究室 准教授 矢野 裕司
15:25～16:15 「太陽光PCS 搭載GaN パワーデバイスの実装技術（仮題）」
トランスフォーム ジャパン株式会社 庄野 健
16:15～17:10 「GaN-HEMT パワーデバイス（GIT）技術（仮題）」
パナソニック㈱ AIS 社 技術本部 パワーエレクトロニクス開発センター デバイス開発グループ
上本 康裕
司会 : 筑波大学 数理物質科学研究科 パワーエレクトロニクス研究室 教授 只野 博
17:10～17:40 パネルディスカッション「より使いやすいGaN パワーデバイスを目指して」
17:40 閉会
18:00～19:30 意見交換会（会費3,000 円、林野会館にて）
