B4を対象とした基礎実験を行っていた横で、デバイス評価装置を用いてデバイスの逆回復電流特性を見ていました。
なぜかというと、研究室の担当教員である岩室先生の授業にてSBDの逆回復電流はとても少ないとあったので、実際にどのような波形を得られるのかが気になり、実験してみました。
スイッチング評価装置をそのまま用いたのでは、見たい波形は得られないため、外部にオシロスコープを接続しました。
評価したのは、MOSFETの内蔵ダイオード（pn接合）とSBDです。
比較してみると、やはりSBDは内蔵ダイオードよりも逆回復電流は少なかったです。
わずかな差のようにも見えてしまいますが、回路内ではこの逆回復電流が少ないほど嬉しいのでしょう。
筆者は、デバイスを勉強してきて回路はまだアマチュアにも届かない知識量ではありますが、逆回復電流が短いほうが嬉しいのだろうということはなんとなくわかります。しかし、実際に回路内でどんな悪さ（振る舞い）をするのかははっきりとはわかっていません。もっと精進が必要ですね。
実際に波形の差を確認することができたので、どうしてそうなるのかを理論的にまとめようと思います。
明日からは、6日までゴールデンウィーク突入です!!
学生としては、休みたいのですが、そうも言っていられません。大量のレポート（主に半導体）をこなし、論文も･･･と欲を出しています。
果たして、出来るのでしょうか。しかし、今週は忙しかったせいか、物を落としたり、頭をぶつけたりと、普段以上にドジを今日は発揮したため、少しは休もうと思います。
