本日は、二期生M1の3班を対象としたパワーデバイス基礎実験を行いました。
本日はスイッチング評価装置にてSi-IGBTとSiC-MOSFETの二つの素子のスイッチング波形の比較を行いました。
指導するほうは、4回目の実験指導になるためやっと指導することにも慣れてきました。（筆者は指導というよりもお手伝いをしていました）
実際にはんだを用いて、素子付け替えを行ってもらいました。はんだをあまり使い慣れていない模様で、見ていてハラハラしました。例えに適しているかはわかりませんが、子供の挑戦を見守る親というのはこのようにハラハラしているのかなと思いました。
今回の実験はトラブルもなく、スムーズに終えることが出来ました。
素子を取り替えた後の配線は皆さん苦労していましたが、良い経験だったと思います。
明日は、B4を対象とした実験です。
学生さんには、頑張っていただきたいですが、私たち指導側もわかりやすく説明できるように頑張ります。
