岩室 憲幸

岩室 憲幸 （いわむろ　のりゆき）

居室: 共同研究棟D（旧VBL棟）401-1

E-mail: iwamuro.noriyuki.fb@u

TEL: 029-853-5446

専門分野：パワー半導体デバイス

所属：数理物質系 教授（物理工学域）

学位：博士（工学）

経歴

著書

• Wide Bandgap Semiconductor Power Devices: Materials, Physics, Design, and Applications, Edited by B. Jayant Baliga, Chapter 4: SiC power device design and fabrication, p.79-p.150, ELSEVIER, 2018.10.

• SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント（監修）（S&T出版）（2018年1月発刊）

• 次世代パワー半導体の高性能化とその産業展開（監修）（シーエムシー出版）（2015年6月発刊）

• 電気学会技術報告　”シリコンパワーデバイス・パワーICの更なる進化および新材料パワーデバイスの進展”，電気学会ｼﾘｺﾝならびに新材料ﾊﾟﾜｰﾃﾞﾊﾞｲｽ・ﾊﾟﾜｰIC技術調査専門委員会（委員長：岩室憲幸），第1420号, 2018年4月25日発行

 受賞歴

• 日経エレクトロニクス　パワーエレクトロニクスアワード2020　最優秀賞　（2020年12月）
• 電気学会　第23回優秀活動賞　技術報告賞（2020年4月）
• 電気学会　優秀技術活動賞 グループ著作賞（２０１１年）

論文、学会発表等

2020年

• H. Shimizu, N. Watanabe, T. Morikawa, A. Shima, and N. Iwamuro, “1.2 kV SiC SBD-embedded MOSFET with extension structure and titanium-based single contact,” Japanese Journal of Applied Physics, DOI: 10.7567/1347-4065/ab65a5.
• H. Nemoto, D. Okamoto, X. Zhang, M. Sometani, M. Okamoto, T. Hatakeyama, S. Harada, N. Iwamuro, and H. Yano, “Conduction mechanisms of oxide leakage current in p-channel 4H-SiC MOSFETs,” Japanese Journal of Applied Physics, DOI: 10.35848/1347-4065/ab7ddb, Mar. 2020.
• K. Yao, H. Yano, H. Tadano, and N. Iwamuro, “Investigations of SiC MOSFET Short-Circuit Failure Mechanisms Using Electrical, Thermal, and Mechanical Stress Analyses,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 67, no. 10, pp. 4328-4334, Oct., 2020, DOI: 10.1109/TED.2020.3013192.
• A. Matsushima, Y. Mori, A. Shima, and N. Iwamuro, “Dependence of humidity-stress impact on passivation film for edge termination area in 4H-SiC diodes,” Japanese Journal of Applied Physics, vol. 59, pp. 104003 1-8, 2020, DOI:10.35848/1347-4065/abb719.
• Xufang Zhang, Tsubasa Matsumoto, Ukyo Sakurai, Toshiharu Makino, Masahiko Ogura, Satoshi Yamasaki, Mitsuru Sometani, Dai Okamoto, Hiroshi Yano, Noriyuki Iwamuro, Takao Inokuma, Norio Tokuda, “Energy distribution of Al2O3/diamond interface states characterized by high temperature capacitance-voltage method,” Carbon, vol. 168, pp.659-664, 2020, DOI:10.1016/j.carbon.2020.07.019.
• Ruito Aiba, Kevin Matsui, Masakazu Baba, Shinsuke Harada, Hiroshi Yano, and Noriyuki Iwamuro, “Demonstration of Superior Electrical Characteristics for 1.2 kV SiC Schottky Barrier Diode-Wall Integrated Trench MOSFET with Higher Schottky Barrier Height Metal,” IEEE Electron Device Letters, vol.41, issue 12, pp. 1810-1813, 2020, doi: 10.1109/LED.2020.3031598.
• M. Okawa, T. Kanamori, R. Aiba, S. Harada, H. Yano, and N. Iwamuro, “Analysis of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS after Short-circuit Stress,” in Proc. of Int. Symp. Power Semiconductors and ICs, pp. 74-77, 2020.
• R. Aiba, K. Matsui, M. Okawa, T. Kanamori, S. Harada, H. Yano, and N. Iwamuro, “Investigation of dVDS/dt Controllability on Rg in SWITCH-MOS to Achieve Superior Turn-on Characteristics with Low dVDS/dt,” in Proc. of Int. Symp. Power Semiconductors and ICs, pp. 174-177, 2020.
• X. Cui, N. Iwamuro, and H. Yano, “Influence of Interface Traps on the Shape of Split C-V Curves of 4HSiC MOSFETs at Inversion,” in Extended Abstracts of the 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 241-242, 2020.
• T. Kanamori, R. Aiba, S. Harada, H. Yano, and N. Iwamuro, “Experimental Demonstration of  Superior Vf -Err Characteristics of pin Body Diode in 1.2 kV IE-UMOSFET with a Very Short Channel Length,” in Proceedings of PCIM Asia,  pp. 25-29, 2020.
• Noriyuki Iwamuro,  “Recent progress of power semiconductor devices and expectation for GaN power devices (Invited),” 39th Electronic Materials Symposium, 2020年10月7~9日.
• 坂田大輝，岡本大，染谷満，平井悠久，岡本光央，原田信介，畠山哲夫，矢野裕司，岩室憲幸,「改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETの正確なNBTI評価」, 先進パワー半導体分科会　第7回講演会， 2020年12月9日～12月10日
• 松井ケビン, 饗場塁士, 柏佳介, 馬場正和, 原田信介, 矢野裕司, 岩室憲幸, 「高ショットキー障壁金属を適用した1.2 kV SBD内蔵SiCトレンチMOSFETのスイッチング特性評価」, 令和3年度電気学会全国大会, 2021年3月9日~11日
• 北村雄大，亀和田亮，児島一聡，岩室憲幸，矢野裕司，「4H-SiCショットキーpnダイオードの高耐圧化」，第68回応用物理学会春季学術講演会，2021年3月16~19日

2019年

• N. Iwamuro,”Recent Progress of SiC-MOSFETs and Their Futyres(Invited),” in Proc. Inter. Conf. on Electronic Packageing 2019, Apr. 2019, FA2-3, pp.260-264.
• 大川雅貴，飯嶋竜司，岡本大，矢野裕司，岩室憲幸，‘‘SiC MOSFETの負荷短絡試験におけるゲート漏れ電流と破壊メカニズムの評価解析”， 平成31年電気学会全国大会, 北海道科学大学, 2019年3月12日～14日
• 饗場塁士，大川雅貴，金森大河，小林勇介，原田信介，矢野裕司，岩室憲幸，‘‘SiCトレンチMOSFETターンオン特性の温度依存性評価”， 平成31年電気学会全国大会, 北海道科学大学, 2019年3月12日～14日
• 金森大河，饗場塁士，大川雅貴，原田信介，矢野裕司，岩室憲幸，‘‘SiCトレンチMOSFETの内蔵ダイオードの特性解析”， 平成31年電気学会全国大会, 北海道科学大学, 2019年3月12日～14日
• 姚凱倫，矢野裕司，岩室憲幸，‘‘Investigation of Unclamped Inductive Switching Capability of Silicon Carbide MOSFETs”，平成31年電気学会全国大会, 北海道科学大学, 2019年3月12日～14日
• Masataka Okawa, Ruito Aiba, Taiga Kanamori, Yusuke Kobayashi, Shinsuke Harada, Hiroshi Yano, and Noriyuki Iwamuro, “First Demonstration of SHort-Circuit capability for a 1.2 kV SiC SWITCH-MOS,” IEEE Journal of Electron Devices Society, vol.7, pp.613-620, 2019, DOI:10.1109/JEDS.2019.2917563.
• Noriyuki Iwamuro, “Recent Progress of SiC MOSFET Devices,” Material Science Forum, vol. 954, pp.90-98, 2019.
• N. Iwamuro,”Recent Progress of SiC-MOSFETs and Competition with state-of-the-art Si-IGBTs (Keynote Speech),” WiPDA-Asia 2019, Taipei, May. 2019.
• Kailun Yao, Hiroshi Yano, and Noriyuki Iwamuro ”Investigation of UIS Capability for -600V Class Vertical SiC p-channel MOSFET,” in Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (IEEE ISPSD) 2019, pp. 187-190, May, Shanghai (China).
• Ruito Aiba, Masataka Okawa, Taiga Kanamori, Yusuke Kobayashi, Shinsuke Harada, Hiroshi Yano, and Noriyuki Iwamuro ”Experimental Demonstration on Superior Switching Characteristics of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS,” in Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (IEEE ISPSD) 2019, pp. 23-26, May, Shanghai (China).
• Masataka Okawa, Ruito Aiba Taiga Kanamori, Shinsuke Harada, Hiroshi Yano, and Noriyuki Iwamuro ”Experimental and Numerical Investigations of Short-Circuit Failure Mechanisms for State-of-the-Art 1.2kV SiC Trench MOSFETs,” in Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (IEEE ISPSD) 2019, pp. 167-170, May, Shanghai (China).
• D. Okamoto, H. Nemoto, X. Zhang, X. Zhou, M. Somenati, M. Okamoto, S. Harada, T. Hatakeyama, N. Iwamuro, and H, Yano, “Threshold Voltage Instability in p-channel 4H-SiC MOSFETs Investigated by Non-relaxation Method”, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019, Oral, Sep. 29-Oct. 4, Kyoto, Japan.
• T. Kanamori, R. Aiba, M. Okawa, S. Harada, H. Yano, and N. Iwamuro, “Superior turn-on loss characteristics of 1.2 kV SiC IE-UMOSFET with a very short channel length”, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019, Oral, Sep. 29-Oct. 4, Kyoto, Japan.
• X. Zhang, D. Okamoto, M. Sometani, S. Harada, N. Iwamuro, and H. Yano, “Different Behaviors of Interface Traps for p-type 4H-SiC MOS Capacitors with Wet and Nitrided Gate Oxides”, Oral, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019, Oral, Sep. 29-Oct. 4, Kyoto, Japan.
• X. Zhou, D. Okamoto, X. Zhang, M. Sometani. M. Okamoto, S. Harada, N. Iwamuro, H. Yano, “Accurate Channel Mobility Extraction and Scattering Mechanisms in 4H-SiC p-Channel MOSFETs”,  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019, Sep. 29-Oct. 4, Kyoto, Japan.
• Y. Matsuya, X. Zhang, D. Okamoto,  N. Iwamuro, H. Yano, “Analysis of three-level charge pumping characteristics of4H-SiC MOSFETs considering near-interface traps”,  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019, Sep. 29-Oct. 4, Kyoto, Japan.
• H. Nemoto, X. Zhang, D. Okamoto, M. Sometani, M. Okamoto, T. Hatakeyama, S. Harada, N. Iwamuro, H. Yano, ” Conduction mechanism of hole leakage current in 4H-SiC MOSFETs under high negative gate bias”,International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019, Sep.29-Oct.4, Kyoto, Japan.
• K. Takashima, R. Iijima, T. Mannen, T. Isobe, H. Tadano and N. Iwamuro, “Design Strategy of Z-source Inverter for Utilization of Power Semiconductors with Extremely Low Short-circuit Capability,” in Proceedings of The 45th Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society (IECON 2019), 14-17 October 2019, Lisbon, Portugal. DOI: 10.1109/IECON.2019.8927352

2018年

• J.An, M.Namai, D.Okamoto, H.Yano, H.Tadano, and N.Iwamuro, “Investigation of Maximum Junction Temperature for 4H-SiC MOSFET during Unclamped Inductive Switching Test,” Electronics and Communications in Japan, vol.101, no.1, pp.24-31, 2018, DOI: 10.1002/ecj.12018.
• J.An,  M.Namai, H.Yano, N.Iwamuro, Y.Kobayashi, S.Harada, “Methodology for Enhanced Short-Circuit Capability of SiC MOSFETs,” in Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (IEEE ISPSD) 2018, pp.391-394, May, Chicago (USA).
• X. Zhang, D. Okamoto, T. Hatakeyama, M. Sometani, S. Harada, N. Iwamuro, and H. Yano, “Impact of oxide thickness on the density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors”, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 57, no. 6S3, p. 06KA04, May 2018. DOI:10.7567/JJAP.57.06KA04
• Y. Karamoto, X. Zhang, D. Okamoto, M. Sometani, T. Hatakeyama, S. Harada, N. Iwamuro, and H. Yano, “Analysis of fast and slow responses in AC conductance curves for p-type SiC MOS capacitors”, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 57, no. 6S3, p. 06KA06, May 2018. DOI:10.7567/JJAP.57.06KA06
• T.Goto, T.Shirai, A.Tokuchi, T.Naito, K.Fukuda, and N.Iwamuro, “Experimental Demonstration on Ultra High Voltage and High Speed 4H-SiC DSRD with Smaller Numbers of Die Stacks for Pulse Power,” Materials Science Forum, vol.924, pp.858-861, DOI:10.4028/www.scientific.net/MSF.924.858, (2018).
• M.Namai, J.An, H.Yano, and N.Iwamuro, “Investigation of short-circuit failure mechanisms of SiC MOSFETs by varying DC bus voltage,”   Jpn. J. Appl. Phys., vol. 57,  p. 074102, June 2018. DOI:10.7567/JJAP.57.074102
• N.Iwamuro, “Recent Progress of SiC MOSFET Devices (Planary talk),” Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM) 2018, July, Beijing (China), 2018.
• H. Nemoto, D. Okamoto, M. Sometani, Y. Kiuchi, T. Hatakeyama, S. Harada, N, Iwamuro, H. Yano ” Analysis of leakage current conduction mechanisms in thermally grown oxides on p-channel 4H-SiC MOSFETs ” in European Conference on Silicone Carbide and Related Materials (ECSCRM2018), September 2-6, Birmingham (UK).
• X. Zhou, D. Okamoto, T. Hatakeyama, M. Sometani, S. Harada, X. Zhang, N. Iwamuro, H. Yano, “Mobility limiting mechanisms in p-channel 4H-SiC MOSFETs investigated by Hall-effect measurements”, European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM), Sep 2-6, 2018, Birmingham, UK

2017年

• Haruka Shimizu, Akio Shima, Yasuhiro Shimamoto, and Noriyuki Iwamuro,”Ohmic contact on n- and p-type ion-implanted 4H-SiC with low-temperature metallization process for SiC MOSFETs,” Japanese Journal of Applied Physics, vol.56, Issue 4S, 04CR15, (2017)
• Noriyuki Iwamuro and Thomas Laska, “IGBT History, State-of-the-Art, and Future Prospects,” IEEE Trans. on Electron Devices, vol.64, no.3, pp.741-752, (2017) DOI:10.1109/TED.2017.2654599
• (Noriyuki Iwamuro and Thomas Laska, “Correction of IGBT History, State-of-the-Art, and Future Prospects,” IEEE Trans. on Electron Devices, vol.65, no.6, pp.2675,  (2018))
• 岩室憲幸, “パワー半導体デバイス～日本に残すべき体系的パワエレ技術～,” 電子デバイス界面テクノロジー研究会 第22回研究会, 東レ総合研修センター, 2017年1月20日
• 安俊傑、生井正輝、岡本大、矢野裕司、只野博、岩室憲幸、‘‘Unclamped Inductive Switching試験による4H-SiC MOSFETの最大接合温度の評価”、電気学会論文誌C、137巻 2号 C分冊、pp.216-221 (2017).

• 岩室憲幸、坂東章、矢野浩司、宮澤哲哉、江口博臣、三浦喜直、鹿内洋志、池田成明、上本康裕、平岩篤、”新材料パワーデバイスの最新技術”、電気学会論文誌C、137巻1号C分冊、pp.13-19 (2017) DOI:10.1541/ieejeiss.137.13

• 白井琢毬, 岩室憲幸, 福田憲司, “SiC-p+/p-/n+型ダイオードの逆回復時におけるキャリアの掃出しとパルス生成の関係性解析,” 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 2017年3月15日
• 後藤大河, 白井琢毬, 岩室憲幸, 福田憲司, “SiC-p MOSFETのボディダイオードを用いたSiC-pinダイオードの逆回復特性解析” 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 2017年3月15日
• 岩室憲幸 “Siパワーデバイスプロセスの最新動向”　第64回応用物理学会春季学術講演会，パシフィコ横浜, 2017年3月16日
• 天野貴章, 岡本大, 原田信介, 畠山哲夫, 岩室憲幸, 矢野裕司, “SiC MOSFETのホール移動度の温度依存性,” 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 2017年3月17日
• 王緒昆, 岡本大, 岩室憲幸, 矢野裕司, “窒化したSiC MOSFETに対するチャージポンピング特性のデューティ比依存性,” 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 2017年3月17日
• 奥田一真，高嶋薫，磯部高範，只野博，岩室憲幸，“試作SiC-pチャネルMOSFETを適用したフル-SiC相補型インバータの実機検証”，平成29年電気学会全国大会，富山大学五福キャンパス，2017年3月15日～3月17日
• 岩室憲幸 “新材料パワー半導体デバイスの最新技術動向(SiC,GaN)” エレクトロニクス実装学会 公開研究会, 2017年3月21日
• Masaki Namai, Junjie An, Hiroshi Yano and Noriyuki Iwamuro, “Experimental and Numerical Demonstration and Optimized Methods for SiC Trench MOSFET Short-Circuit Capability,” in Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD)2017, pp.363-366, (2017).
• J.An, M. Namai, H. Yano, and N.Iwamuro, “Investigation of Robustness Capability of -730 V P-Channel Vertical SiC Power MOSFET for Complementary Inverter Applications,” IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 64, No.10, pp:4219-4225, Oct. 2017, doi: 10.1109/TED.2017.2742542.
• T.Goto, T.Shirai, A.Tokuchi, T.Naito, K.Fukuda, and N.Iwamuro, “Experimental demonstration on ultra-high voltage and high speed 4H-SiC DSRD with smaller numbers of die stacks for pulse power applications,” Abstract of ICSCRM2017, September, 2017,Washington D.C, MO.D1.2.
• Xufang Zhang, Dai Okamoto, Tetsuo Hatakeyama, Mitsuru Sometani,Shinsuke Harada, Noriyuki Iwamuro, and Hiroshi Yano, “Impact of oxide thickness on the density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors” in Proceedings of International Workshop on Dielectric Thin films for Future Electron Devices (IWDTF 2017) November 20-22, 2017, Nara, Japan.
• Yuki Karamoto, Xufang Zhang, Dai Okamoto, Mitsuru Sometani, Tetsuo Hatakeyama, Shinsuke Harada, Noriyuki Iwamuro, and Hiroshi Yano, “Analysis of fast and slow responses of interface traps in p-type SiC MOS capacitors by conductance method” in Proceedings of International Workshop on Dielectric Thin films for Future Electron Devices (IWDTF 2017) November 20-22, 2017, Nara, Japan.
• Noriyuki Iwamuro,”Recent Progress of Power Semiconductor Devices and Their Future (Invited),” 2017 IEEE CPMT Symposium Japan, November 20-22, 2017, Kyoto, Japan, 15-02, pp.191-194, doi: 10.1109/ICSJ.2017.8240114 .

2016年

• Xufang Zhang, Dai Okamoto, Tetsuo Hatakeyama, Mitsuru Sometani, Shinsuke Harada, Ryoji Kosugi, Noriyuki Iwamuro, and Hiroshi Yano, “A Distributed Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Capacitors,” in 47th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference, San Diego, CA, United States, 2016.12.9
• Junjie An, Masaki Namai, Mikiko Tanabe, Dai Okamoto, Hiroshi Yano, and Noriyuki Iwamuro, “Experimental Demonstration of -730V Vertical SiC p-MOSFET with High Short Circuit Withstand Capability for Complementary Inverter Applications”, in 62nd International Electron Device Meeting, IEDM 2016, 10.7, San Fancisco, United Sates, 4-7 Dec, 2016.
• J.An, M.Namai, and N.Iwamuro, “Experimental and theoretical analyses of gate oxide and junction reliability for 4H-SiC MOSFET under short-circuit operation,” Japanese Journal of Applied Physics, vol.55, 124102-1~4, (2016).
• 張旭芳, 岡本大, 畠山哲夫, 染谷満, 原田信介, 小杉亮治, 岩室憲幸, 矢野裕司, “Quantitative estimation of near-interface traps with distributed circuit model for 4H-SiC MOS capacitors,” 先進パワー半導体分科会 第３回講演会, つくば国際会議場, 2016年11月8日
• 王緒昆, 岡本大, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司, “チャージポンピング法による4H-SiC MOSFETの界面近傍酸化膜欠陥の解析”, 先進パワー半導体分科会 第３回講演会, つくば国際会議場, 2016年11月8日
• 唐本祐樹, 岡本大, 原田信介, 染谷満, 畠山哲夫, 小杉亮治, 岩室憲幸, 矢野裕司, “窒化したp型SiC MOSキャパシタにおける反転層の形成,” 先進パワー半導体分科会 第３回講演会, つくば国際会議場, 2016年11月8日
• 田邉三紀子,岩室憲幸,”チャージインバランスを考慮した SiC Superjunction MOSFETのオン抵抗-素子耐圧向上の検討,”先進パワー半導体分科会 第3回講演会, つくば国際会議場, 2016年11月8日
• 生井正輝, 安俊傑, 岩室憲幸, “SiC MOSFET負荷短絡時の素子破壊メカニズム解析,” 第36回ナノテスティングシンポジウム, 千里ライフサイエンスセンター, 2016年11月9日
• 奥田一真, 磯部高範, 只野博, 岩室憲幸，”デッドタイムによる問題を解消する相補型インバータの研究”，電子デバイス/半導体電力変換合同研究会, 北九州（九州工業大学　戸畑キャンパス）, 2016年11月14・15日
• K.Okuda, T.Isobe, H.Tadano, and N.Iwamuro,”A dead-time minimized inverter by using complementary topology and its experimental evaluation of harmonics reduction,” EPE2016, ECCE Europe, September, 2016.
• 田邉三紀子, 岩室憲幸, “ﾁｬｰｼﾞｲﾝﾊﾞﾗﾝｽを考慮したSiC Superjunction MOSFETのオン抵抗-素子耐圧向上の検討,” 第77回応用物理学会秋季学術講演会 2016年9月
• 白井琢毬, 岩室憲幸, 福田憲司, “高電圧・高速パルス発生を目指したSiC-pinﾀﾞｲｵｰﾄﾞの逆回復解析” 第77回応用物理学会秋季学術講演会 2016年9月
• 内藤孝，福田憲司，岩室憲幸，徳地明，”高速・高電圧パルス電源の開発，”　第13回日本加速器学会年会，幕張メッセ国際会議場，2016年8月8日
• T.Murakami, T.Masuda, S.Inoue, H.Yano, N.Iwamuro, and T. Shimoda,”Photoelectron yield spectroscopy and inverse photoemissin spectroscopy evaluations of p-type amorphous silicon carbide films prepared using liquid materials,” AIP Advances, vol.6, 055021 (2016)
• J.An, M.Namai, D.Okamoto, H.Yano, H.Tadano, and N.Iwamuro, “Evaluation of Maximum Junction Temperature for 4H-SiC MOSFET during Unclamped Inductive Switching Test,” ICEE 2016, ID 90276, July, 2016.
• J. An, M. Namai, D.Okamoto, H.Yano, H. Tadano and N.Iwamuro,”Electrothermal evaluation of SiC MOSFETs during unclamped inductive switching,” 平成28年電気学会全国大会, 2016年3月16日
• 生井正輝, 安俊傑, 岡本大, 矢野裕司, 只野博, 岩室憲幸，”SiC-MOSFETのUIS耐量評価” 　平成28年電気学会全国大会,  2016年3月16日
• 嶋田隆一, 磯部高範,  只野博, 岩室憲幸，”SiC-MOSFETによる無アーク低ノイズ開閉器” 　平成28年電気学会全国大会,  2016年3月16日

2015年

2014年

• 奥田一真、磯部高範、矢野裕司、岩室憲幸、只野博　”相補型インバータ向け縦型SiC-pMOSFETの検討”　パワーエレクトロニクス学会第206回定例研究会、2014年12月20日
• 岩室　憲幸　”SiCパワーデバイスの現状とその可能性”　日本学術振興会　真空ナノエレクトロニクス第158委員会、2014年4月24日
• 岩室　憲幸　”SiならびにSiCパワーデバイスと応用機器開発”　電子情報通信学会総合大会、2014年3月20日

特許

2021年

• 炭化珪素半導体装置及び炭化珪素半導体装置の製造方法（特許第6823614, 2021.1.13)

2020年

• 炭化珪素半導体装置（特開2020-77664, 2020.5.21)

2019年

• 炭化珪素半導体装置（特許第6609283, 2019.11.1)
• High Voltage Semiconductor Devices (USP 10,263,105, 2019.4.16)
• Vertical high voltage semicouductor apparatus and fabrication method of vertical high voltage semiconductor apparatus (USP 10,211,330, 2019.2.19)

2018年

• 半導体装置および半導体装置の製造方法（公開番号2018-170392, 2018.11.1)
• Silicon carbide devices and fabrication method (USP 10,090,417, 2018.10.2)
• 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法（特許第6384944, 2018.8.17）
• 炭化珪素半導体装置（公開番号2018-125553, 2018.8.9)
• 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法（公開番号2018-110257, 2018.7.12）
• 半導体装置および半導体装置の製造方法（公開番号2018-006564, 2018.1.11）
• 炭化ケイ素縦型MOSFETおよびその製造方法（特許第6338134, 2018.5.18）
• 半導体装置（特許第6278549, 2018.1.26）

2017年

• Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device (USP 9,799,732, 2017.10.24)
• Vertical high voltage semiconductor apparatus and fabrication method of vertical high voltage semiconductor appatus (USP 9,722,018, 2017.8.1)
• Silicon carbide semiconductor device and fabrication method thereof (USP 9,673,313, 2017.6.7)
• Semiconductor Device (USP 9,627,486 B2, 2017.4.18)
• Semiconductor Device With SiC Base Layer (USP 9,537,002 B2, 2017.1.3)
• 高耐圧半導体装置およびその製造方法（特許第6241958, 2017.12.13)
• 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法(特許第6206862, 2017.9.15)
• 炭化珪素半導体素子の製造方法（特許第6156814, 2017.6.16)
• 炭化珪素半導体素子の製造方法（特許第6089235, 2017.2.17)
• 炭化珪素半導体装置およびその製造方法（特許第6074787, 2017.1.20)
• Vertical high voltage semiconductor apparatus and fabrication method of vertical high voltage semiconductor apparatus (USP20170213886A1, 2017.7.27)
• 炭化珪素半導体装置（公開番号2017-139507）
• 高耐圧半導体装置およびその製造方法（WO2015-019797, 2017.3.2)

2016年

• Wide band gap semiconductor device  (USP 9,455,326 B2, 2016.9.27)
• High voltage semiconductor apparatus (USP 9,450,051 B2, 2016.9.20)
• Vertical high-voltage semiconductor device and fabrication method thereof (USP 9,362,392 B2, 2016.6.7)
• Semiconductor device (USP 9,356,100 B2, 2016.5.31)
• Wide band gap semiconductor device and method for producing the same (USP 9,252,266 B2, 2016.2.2)
• High voltage semiconductor device and manufacturing method thereof (USP 20160155836 A1, 2016.6.2)
• 縦型高耐圧装置および縦型高耐圧半導体装置の製造方法（特許第5995252, 2016.9.2)
• 半導体装置（特許第5963385, 2016.7.8)
• 炭化珪素半導体装置の製造方法（特許第5939626, 2016.5.27)
• 縦型高耐圧装置の製造方法および縦型高耐圧半導体装置（特許第5939624, 2016.5.27)
• 前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法　（公開番号2016-152378, 2016.8.22）
• 電力変換装置　（公開番号2016-119774, 2016.6.30）
• 電力変換装置　（公開番号2016-119773, 2016.6.30）

2015年

• Silicon carbide vertical field effect transistor (USP 9,184,230 B2, 2015.11.10)
• Fabrication method of silicon carbide semiconductor device (USP 9,040,402, 2015.5.26)
• Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device (USP20150144965 A1, 2015.5.28)
• Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device (USP20150115287 A1, 2015.4.30)
• Silicon carbide semiconductor device and fabrication method thereof (USP20150102363 A1, 2015.4.16)
• Semiconductor device (USP20150108501 A1, 2015.4.23)
• Vertical high voltage semiconductor apparatus and fabrication method of vertical high voltage semiconductor apparatus (USP20150076519 A1, 2015.3.19)
• 半導体装置（特許第5818099, 2015.10.9)
• 逆耐圧を有する縦型窒化ガリウム半導体装置（特許第5682102, 2015.1.23）
• 縦型高耐圧半導体装置およびその製造方法（公開番号WO2013-161420, 2015.12.24）
• ワイドバンドギャップ半導体装置（公開番号2015-207780, 2015.11.19）

2014年

• Semiconductor device (USP 8,779,504 B2, 2014.7.15)
• ワイドバンドギャップ半導体装置（特許第5617175, 2014.9.26）
• 半導体装置　（特許第5444608, 2014.1.10）
• 炭化珪素縦型電界効果トランジスタ（公開番号WO2012-137914, 2014.7.28）

2013年

• Low on-resistance wide band gap semiconductor device and method for producing the same (USP 8,564,028 B2, 2013.10.22)
• Semiconductor device (USP 8,431,991 B2, 2013.4.30)
• Gallium nitride semiconductor device and manufacturing method thereof (USP 8,390,027 B2, 2013.3.5)
• 窒化ガリウム半導体装置（特許第54316677, 2013.12.13）
• 半導体装置および半導体装置の製造方法（特許第5369372, 2013.9.27）
• 炭化珪素トレンチMOS半導体装置（特許第5358926, 2013.9.13）
• 半導体装置の製造方法（特許第5353036, 2013.9.6）
• 半導体装置とその製造方法（特許第5332376, 2013.8.9）
• 半導体装置（特許第5298488, 2013.6.28）
• 炭化珪素半導体装置（特許第5233158, 2013.4.5）
• 他

一般雑誌掲載、講演等

連載

• 岩室　憲幸　”パワーデバイス基礎講座”　全8回　パワーデバイス・イネーブリング協会　会報誌

2019年

• N. Iwamuro, “Recent Progress of SiC-MOSFETs and Competition with state-of-the-art Si-IGBTs,” National Tsing Hua University (Taiwan) (国立清華大学）, May 27th, 2019.
• 岩室憲幸, ”パワーエレクトロニクスロードマップ”　GaN研究コンソーシアム　第3回スプリングスクール講義、名古屋大学, 2019年3月26日
• 岩室　憲幸,　第1節　”サーマルマネージメント　－パワー半導体デバイスの技術と課題－”, サーマルデバイス　新素材・新技術による熱の高度制御と高効率利用, 監修：舟橋良次/小原春彦, 2019.04, ㈱エヌ・ティー・エス.
• 岩室　憲幸,　”IV. パワー半導体デバイスの現状”, 粉体技術 6月号, 2019.

2018年

• 岩室憲幸  ”新材料の実用化が進むパワー半導体　パワー半導体の基礎”, 電気総合誌「オーム　OHM」1月号, 2018年1月5日
• 岩室憲幸 ”SiCパワーデバイスの開発と車載用途への要望”, 車載テクノロジー　2月号, 技術情報協会,  2018年2月27日
• Noriyuki Iwamuro, “Low-cost SiC-MOSFETs poise for global adoption”, ASIA ELECTRONICS INDUSTRY, 2018年9月号 電波新聞社
• Noriyuki Iwamuro, “State-of-the-art and Future Prospective of Si-IGBT Technologies,” The 4th Int. Academic Forum of China IGBT Technology Innovation and Industry Alliance (2018.11.6, Zhuzhou, China)
• Noriyuki Iwamuro, “innovations Find Optimal Materials, Structure for Power Device,” ASIA ELECTRONICS INDUSTRY, 2018年11月号 電波新聞社

2017年

• Noriyuki Iwamuro, “Power Semiconductors Shape up for Future Vehicles”, ASIA ELECTRONICS INDUSTRY, 2017年6月号 電波新聞社
• Junjie An, Masaki namai, Mikiko Tanabe, Dai Okamoto, Hiroshi Yano, and Noriyuki Iwamuro, “Making a debut: the p-type SiC MOSFET”, Compound Semiconductor, June, 2017.
• 岩室　憲幸, ”パワーデバイスの最新技術とその応用”　クリーンテクノロジー　vol.27, no.12 (2017)　（株）日本工業出版

2016年

• Noriyuki Iwamuro “Semiconductor Materials Seal Role in Power Devices” ASIA ELECTRONICS INDUSTRY, 2016年9月号　電波新聞社
• 岩室　憲幸　”筑波大学パワーエレクトロニクス寄附講座のご紹介”　SEAJ　Journal　2016年4月号　（社）日本半導体製造装置協会
• 岩室　憲幸　”次世代パワーエレクトロニクスを支えるSiCパワー半導体デバイスならびにその実装技術”　SEAJ　Journal　2016年1月号　（社）日本半導体製造装置協会

2015年

• Noriyuki Iwamuro, ”Recent Power Semiconductor Devices Technologies fora Future Smart Society” Japan-Norway Energy Science Week 2015, 27th May, 2015.
• 岩室　憲幸　”SiCパワーモジュールとGaNパワーモジュールの技術動向”　エネルギーデバイス　2015年2月号　（株）技術情報協会
• 岩室　憲幸   ”研究室紹介：筑波大学パワーエレクトロニクス研究室”　クリーンテクノロジー　vol.25, no.4 (2015)　（株）日本工業出版

2014年

• 岩室　憲幸　”最新の各種パワーデバイス技術動向とその応用例”　2015パワーデバイス技術大全、（株）電子ジャーナル
• 岩室　憲幸　”パワーデバイスの設計・製造技術”　2015パワーデバイス技術大全、（株）電子ジャーナル
• 岩室　憲幸　”IGBTの現状と最新動向”　2015パワーデバイス技術大全、（株）電子ジャーナル
• 岩室　憲幸　”次世代パワーデバイスにおける5年後、10年後の市場、技術の方向性”　10年後の市場・技術予測とそこから読み解く必然の研究テーマ　2014年8月、（株）技術情報協会
• 岩室　憲幸　”SiC/GaNパワーデバイス高信頼化に向けた要素技術”　電子機器・部品における故障・発火原因解析と対策技術　2014年7月、（株）技術情報協会
• 岩室　憲幸　”SiならびにSiCパワーデバイス最新技術と課題”　クリーンテクノロジー　vol.24, no.4 (2014)　（株）日本工業出版

2013年

• 岩室　憲幸　”シリコン（Si)ならびにSiC/GaNパワーデバイスの最新技術動向”　月刊トライポロジー　2013年11月号
• 岩室　憲幸　”次世代パワーデバイスの技術ロードマップ”　エネルギーデバイス　2013年10月号　（株）技術情報協会

専門

• Si-IGBT/Diode ならびにSiC-MOSFET/SBDデバイス研究開発