実験室に酸化膜を評価する装置が新しく配置されました!!
今年度からデバイス班で研究活動を行う人数が増え、SiCの酸化膜界面に関する研究も活発になってきました。
SiCの酸化膜界面には課題が山積みで、界面の問題を解決してもらえると、SiCを用いたデバイスの特性改善にもつながります。
この新しく配置された装置は、温度特性を見ながら酸化膜電荷容量を測定することができるそうです。
酸化膜界面を測定する装置には、いくつか種類があるそうです。
周波数を変化させて測定する装置、温度を変化させて測定する装置、室温で測定する装置など。
この装置は、三本の針をソース・ゲート・ドレインのそれぞれに当てて、測定します。
筆者は学類の専攻実験でこの装置を使ったのですが、針をそれぞれの電極に当てることがとても難しく、四苦八苦していた記憶があります。接眼レンズで見ながらネジを動かして、テストデバイスに針をつけるのですが、ネジを少し回しても針が動かず、調子に乗ってネジを回し続けると、突然、針が速いスピードで動き出してテストデバイスに針を思いっきり押し付けてしまいました。当時、実験を担当していたTA（Teaching Assistant）さんはヒヤヒヤしていたそうです。そのとき、感じたのは「この実験は職人技だな」ということです。
