TSUKUBA POWER ELECTRONICS LABORATORY

児島　一聡

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  • 児島　一聡

児島居室: (国)産業技術総合研究所　つくば中央第2　2-13棟238室

専門分野：結晶工学、半導体、SiC、材料物性

所属：数理物質系　准教授（物理工学域）

学位：博士（工学）

 

経歴

  • 兵庫県洲本市生まれ
  • 1988/04-1992/03　筑波大学　学士　（第三学群　基礎工学類）
  • 1992/04-1994/03　筑波大学　修士　（工学研究科　物質工学専攻）
  • 1994/04-1997/03　筑波大学　博士　（工学研究科　物質工学専攻）
  • 1997/04-2000/03　日本原子力研究所　博士研究員
  • 2000/04-2003/03　財団法人新機能素子研究開発協会　博士研究員
  • 2003/04-現在　　　（国）産業技術総合研究所　研究員
  • 2005/11-2007/03　昭和電工株式会社へ在籍出向
  • 2014/07-現在　　　筑波大学 数理物質系 物理工学域 准教授　（連携大学院）

研究テーマ

  • ワイドギャップ半導体パワーエレクトロニクスの材料開発
  • SiCエピタキシャル成長技術の研究開発
  • 新規SiCダイオードの開発

学協会

  • 公益社団法人応用物理学会
  • 公益社団法人物理学会

著書

  • フォーカスレポート，第3章　SiCバルク単結晶技術、　第4章　SiCホモエピタキシャル成長技術、EDリサーチ社　2008年。
  • パワーエレクトロニクスの新展開，第2章　3　炭化珪素結晶性薄膜の多形制御技術、シーエムシー出版　2009年。

受賞歴

  • 第14回(2003年春季)応用物理学会「講演奨励賞」受賞

論文、学会発表等

2017年            

  • “Strong impact of slight trench direction misalignment from [11-20] on deep trench filling epitaxy for SiC super-junction (SJ) devices”，R. Kosugi, Ji Shi-yang, K. Mochizuki, H. Kouketsu, Y. Kawada, H. Hujisawa, K. Kojima, S. Yoshida, Y. Yonezawa，Jpn. J. Appl. Phys.，56，04CR05，（2017）

 

2016年

  • “Effect of H2 carrier gas on CVD growth rate for 4H-SiC trench filling”， Ji Shi-yang, K. Kojima, R. Kosugi, S. Saito, Y. Sakuma, Y. Matsukawa, Y. Yonezawa, S. Yoshida, H. Okumura，Mater. Sci. Forum，858，181，（2016）
  • “Influence of growth pressure on filling 4H-SiC trenches by CVD method”， Ji Shi-yang, K. Kojima, R. Kosugi, S. Saito, Y. Sakuma, Y. Tanaka, S. Yoshida, H. Himi, H. Okumura，Jpn. J. Appl. Phys.，55，01AC04，（2016）
  • “A New Type of Single Carrier Conduction Rectifier on SiC”，S. Tanimoto, K. Kamioka, T. Hujita, Y. Araki, K. Kojima, T. Makino, S. Yamazaki，Mater. Sci. Forum，858，769，（2016）
  • “Reduction in Background Carrier Concentration for 4H-SiC C-face Epitaxial Growth”，J. Noshio, H. Asamizu, M. Kushibe, H. Kitai, K. Kojima，MRS advances，1，3631，(2016)
  • “Probability of low off angled 4H-SiC epitaxial wafers on power device applications”，K.Kojima(Invited), K. Masumoto, H. Asamizu, S. Harada, H. Okumura，PRIME2016，Hawaii，USA，2016/10/03
  • “Improvement of Quality of Thick 4H-SiC Epilayers”，A. Miyasaka, K. Kojima, K. Momose, H. Oosawa, H. Okumura，11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials，Halkidiki, Greece, 2016/09/27
  • “Strong impact of slight misalignment of the trench direction from [11-20] on deep trench filling epitaxy for SiC super-junction (SJ) devices”，R. Kosugi, Ji Shi-yang, K. Mochizuki, H. Kouketsu, Y. Kawada, H. Hujisawa, K. Kojima, S. Yoshida, Y. Yonezawa，SSDM2016，Tsukuba，2016/09/28
  • “電子顕微鏡法を用いた4H-SiCエピタキシャルウェーハ中の結晶欠陥の構造解析”，山下 任（招待）、内城貴則、先崎 純寿、児島 一聡、加藤 智久、奥村 元，非筆頭，日本顕微鏡学会第72回学術講演会，仙台国際センター、2016/06/15
  • “C面成長NドープSiC成膜のための数値解析”，浅水 啓州、西尾 譲司、升本 恵子、櫛部 光弘、児島 一聡，先進パワー半導体分科会第３回講演会，つくば、2016/11/08
  • “トレンチ埋戻しエピ成長によるSiCスーパージャンクション（SJ）デバイスの開発”，小杉 亮治、紀 世陽、望月 和浩、纐纈 英典、児島 一聡、米澤 喜幸、奥村 元，先進パワー半導体分科会第３回講演会，つくば、2016/11/08
  • “4H-SiC PiNダイオードにおける通電ストレス誘起積層欠陥の起点解析”，林 将平、内城　貴則（（株）東レリサーチンセンター）、山下 任、宮里 真樹、呂 民雅、宮島 將昭、先崎 純寿、米澤 喜幸、児島 一聡、加藤 智久、奥村 元，先進パワー半導体分科会第3回講演会，つくば、2016/11/08
  • “EBSD-Wilkinson法によるSiCウェハ加工変質層の局所歪み解析”，着本 享、伊勢 立彦、橋本　哲、櫻田　委大、先崎 純寿、加藤 智久、児島 一聡，第63回応用物理学会春季学術講演会，東京工業大学、2016/03/20
  • “超高耐圧パワーデバイス用4H-SiC C 面エピタキシャル成長の検討”，西尾 譲司、櫛部 光弘、浅水 啓州、北井 秀憲、児島 一聡”，第63回応用物理学会春季学術講演会，東京工業大学、2016/03/20
  • “4H-SiC C面on-axis基板上のスパイラル成長”，升本 恵子、齊藤 新吾、児島 一聡、加藤 智久、奥村 元，第６３回応用物理学会春季学術講演会，東京工業大学、2016/03/20

2015年

  • “Filling 4H-SiC trench towards selective epitaxial growth by adding HCl to CVD process”，Ji Shi-yang, K. Kojima, R. Kosugi, S. Saito, Y. Sakuma, Y. Tanaka, S. Yoshida, H. Himi, H. Okumura, Appl. Phys. Express, 8, 065502 (2015).
  • “Systematic investigation on in-plane anisotropy of surface and buried channel mobility of metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors on Si-, a-, and m-face 4H-SiC”，K. Ariyoshi, R. Iijima, S. Harada, K. Kojima, J. Senzaki, Y. Tanaka, K. Takao, T. Shinohe, Appl. Phys. Lett., 106, 103506 (2015).
  • “Experiment on alleviating the bending of CVD-grown heavily Al-doped 4H-SiC epiwafer by codoping of N”，Ji Shi-yang, K. Kojima, Y. Ishida, S. Saito, H. Yamaguchi, S. Yoshida, H. Tsuchida, H. Okumura, Jpn. J. Appl. Phys., 54, 04DP08 (2015).
  • “Homoepitaxial growth and investigation of stacking faults of 4H-SiC C-face epitaxial layers with a 1° off-angle”，K. Masumoto, H. Asamizu, K. Tamura, C. Kudo, J. Nishio, K. Kojima, T. Ohno, H. Okumura, Jpn. J. Appl. Phys., 54, 04DP04, (2015).
  • “Improvement of 4H-SiC epitaxial layers grown on 2o offcut Si-face substrate”，H. Asamizu, K. Tamura, C. Kudo, J. Nishio, K. Masumoto, K. Kojima，ICSCRM2015，Italy，2015/10/06
  • “Effect of H2 carrier gas on CVD growth rate for 4H-SiC trench filling”， Ji Shi-yang, K. Kojima, R. Kosugi, S. Saito, Y. Sakuma, Y. Matsukawa, Y. Yonezawa, S. Yoshida, H. Okumura，ICSCRM2015，Italy、2015/10/07
  • “A New Type of Single Carrier Conduction Rectifier on SiC”， S. Tanimoto, K. Kamioka, T. Hujita, Y. Araki, K. Kojima, T. Makino, S. Yamazaki，ICSCRM2015，Italy，2015/10/07
  • “Influence of growth pressure on filling 4H-SiC trenches by CVD method”， Ji Shi-yang, K. Kojima, R. Kosugi, S. Saito, Y. Sakuma, Y. Tanaka, S. Yoshida, H. Himi, H. Okumura，ISPlasma2015 / IC-PLANTS2015，Nagoya，2015/03/27
  • “横型CVD装置を用いたSiCエピ膜成長における界面転位の発生と抑制”，工藤千秋、升本 恵子、浅水 啓州、田村謙太郎、西尾 譲司、児島 一聡、大野 俊之，第62回応用物理学会春季学術講演会，東海大学、2015/03/12
  • “4H-SiC MOSFETにおけるチャネル移動度の面方位及びチャネル方向に対する異方性の系統的評価”，有吉 恵子、飯島良介、原田 信介、児島 一聡、先崎 純寿、田中 保宣、高尾和人、四戸孝，第62回応用物理学会春季学術講演会，東海大学、2015/03/13
  • “水素キャリアガスの減少による４H-SiC トレンチ埋戻しエピ成長レートの向上”，紀 世陽、児島 一聡、小杉 亮治、齊藤 新吾、佐久間 由貴、松川 康子、米澤 喜幸、吉田 貞史、奥村 元，先進パワー半導体分科会 第2回講演会，大阪、2015/11/09
  • “4H-SiC C面エピタキシャル成長におけるスパイラル成長発生のための条件”，升本 恵子、児島 一聡、加藤 智久、奥村 元，先進パワー半導体分科会　第２回講演会，大阪、2015/11/09
  • “4H-SiC基板Si面上厚膜エピタキシャル成長”，宮坂 晶、川畑 直之、西尾 譲司、升本 恵子、児島 一聡，先進パワー半導体分科会第２回講演会，大阪、2015/11/09
  • “4H-SiC C面エピ成長におけるバックグラウンドキャリア濃度低減検討”，西尾 譲司、浅水 啓州、櫛部 光弘、北井 秀憲、児島 一聡，先進パワー半導体分科会第2回講演会，大阪、2015/11/09

2014年

  • “Development of homoepitaxial growth technique on 4H-SiC vicinal off angled substrate”，K. Kojima, K. Masumoto, S. Ito, A. Nagata, Mater. Sci. Forum, 778-780, 125 (2014).
  • “Suppression of 3C-Inclusion Formation during Growth of 4H-SiC Si-face Homoepitaxial Layers with a 1° Off-Angle”，K. Masumoto, H. Asamizu, K. Tamura, C. Kudo, J. Nishio, K. Kojima, T. Ohno, H. Okumura, Materials, 7, 7010 (2014).
  • “Suppressing Al Memory-Effect on CVD growth of 4H-SiC Epilayers by adding Hydrogen Chloride Gas”，　Ji Shi-yang, K. Kojima, Y. Ishida, S, Saito, S. Yoshida, H. Tsuchida, H. Okumura, Jpn. J. Appl. Phys., 53, 04EP07 (2014).
  • “Linear Energy Transfer Dependence of Single Event Gate Rupture in SiC MOS Capacitors”，M. Deki, T. Makino, N. Iwamoto, S. Onoda, K. Kojima, T. Tomita, T. Ohshima, Nucl. Instrum. Meth. B, 319, 75 (2014).
  • “Epitaxial Growth of 4H-SiC on 2° off-axis (0001) Si-face Substrates”，H, Asamizu, K. Tamura, C. Kudo, J. Nishio, K. Masumoto, K. Kojima，，MRS Spring Meetings & Exhibits，California，USA，2014/04/22
  • “First experimental demonstration of SiC super-junction (SJ) structure by multi-epitaxial growth method”，R. Kosugi, Y. Sakuma, K. Kojima, S. Ito, A. Nagata, T. Yatsuo, Y. Tanaka, H. Okumura，ISPSD2014，HAWAII, USA、2014/06/18
  • “150mm径SiCウエハのSORIに対するエピ成長の影響”，工藤 千秋、伊藤 佐千子、升本 恵子、浅水 啓州、田村 謙太郎、西尾 譲司、児島 一聡、大野 俊之，2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会，神奈川県、2014/03/17
  • “4H-SiC C面微傾斜エピタキシャル成長における成長条件と積層欠陥密度の関係”，升本 恵子、伊藤 佐千子、浅水 啓州、田村 謙太郎、工藤 千秋、西尾 譲司、児島 一聡、大野 俊之、奥村 元，2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会，神奈川県、2014/03/17
  • “1度オフ4H-SiC Si面エピタキシャル成長における積層欠陥密度の低減”，升本 恵子、浅水 啓州、田村 謙太郎、工藤 千秋、西尾 譲司、児島 一聡、大野 俊之、奥村 元，第75回　応用物理学会秋季学術講演会，北海道、2014/09/17
  • “2度off 4H-SiC Si面エピ成長における表面欠陥低減”，浅水 啓州、工藤 千秋、伊藤 佐千子、升本 恵子、西尾 譲司、田村 謙太郎、児島 一聡、大野 俊之，第75回　応用物理学会秋季学術講演会，北海道、2014/09/17
  • “横型CVD装置を用いたSiCエピ膜成長における実効C/Si比変化”，工藤 千秋、升本 恵子、浅水 啓州、田村 謙太郎、西尾 譲司、児島 一聡、大野 俊之，第75回　応用物理学会秋季学術講演会，北海道大学、2014/09/17
  • “イオン照射を行った4H-SiC MOSFETにおける絶縁破壊電界”，出来真斗、牧野高絋、富田　卓朗、児島 一聡、大島武，第75回応用物理学会秋季学術講演会，北海道、2014/09/17
  • “4H-SiC Si面エピタキシャル膜表面のシャローピットの形状および密度の変化”，工藤 千秋、浅水 啓州、田村 謙太郎、西尾 譲司、升本 恵子、児島 一聡、大野 俊之，先進パワー半導体分科会　第1回講演会，愛知県、2014/11/19
  • “1度オフ4H-SiC Si面およびC面成長におけるエピタキシャル欠陥密度のC/Si比依存性”，升本 恵子、伊藤 佐千子、浅水 啓州、田村 謙太郎、工藤 千秋、西尾 譲司、児島 一聡、大野 俊之、奥村 元，先進パワー半導体分科会　第1回講演会，愛知県、2014/11/19

特許

2016年

  • 炭化珪素膜のＣＶＤ装置，特 5867913、2016/01/15
  • 半導体構造物、半導体装置及び該半導体構造物の製造方法，9496345（米国）、2016/11/15

2015年

  • 炭化珪素単結晶およびその製造方法，特 5839315、2015/11/20
  • 炭化珪素エピタキシャルウエハ、同ウエハの製造方法及び同ウエハ上に作製された半導体装置，1657740（フランス）、2015/01/07
  • 炭化珪素エピタキシャルウエハ、同ウエハの製造方法及び同ウエハ上に作製された半導体装置，602004046468.6（ドイツ）、2015/01/07

2014年

  • 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法，特 5659381、2014/12/12
  • エピタキシャルＳｉＣ単結晶基板及びエピタキシャルＳｉＣ単結晶基板の製造方法，8716718（米国）、2014/05/06

2013年

  • エピタキシャルＳｉＣ単結晶基板及びエピタキシャルＳｉＣ単結晶基板の製造方法，特 5273741、2013/05/24
  • エピタキシャルＳｉＣ単結晶基板及びエピタキシャルＳｉＣ単結晶基板の製造方法，ZL200880106397.5（中国）、2013/04/17
  • エピタキシャルＳｉＣ単結晶基板及びエピタキシャルＳｉＣ単結晶基板の製造方，10-1287787（韓国）、2013/07/12
  • エピタキシャルＳｉＣ単結晶基板及びエピタキシャルＳｉＣ単結晶基板の製造方法，I408262（台湾）、2013/09/11
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