TSUKUBA POWER ELECTRONICS LABORATORY

2022年度の研究業績

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著者に下線のあるものは他機関所属の著者との共著のもので，下線の著者が本研究室所属です。

学術雑誌掲載論文 (Journals)

  1. H. Xu, H. Kamada, S. Nomura, H. Chikaraishi, H. Tsutsui and T. Isobe, “A Simple Calculation Method for Center Magnetic Flux Density of a Magnetic Core Electromagnet With a Wide Air Gap,” in IEEE Transactions on Applied Superconductivity, vol. 32, no. 6, Sept. 2022, DOI: 10.1109/TASC.2022.3158350.
  2. H. Xu, S. Nomura, T. Isobe and H. Kamada, “Feasibility Study on a Real-Scale High-Frequency Electromagnets for Magnetic Hyperthermia Base on a Magnetic Scaling Law,” in IEEE Transactions on Applied Superconductivity, vol. 32, no. 6, Sept. 2022, Art no. 4401105, DOI: 10.1109/TASC.2022.3161888.
  3. K. Matsui, T. Tawara, S. Harada, S. Tanaka, H. Sato, H. Yano, and N. Iwamuro,”Significant Improvement of Switching Characteristics in a 1.2-kV SiC SWITCH-MOS by the Application of Kelvin Source Connection,” IEEJ Transaction on Electrical and Electronic Engineering, 2022, doi:10.1002/tee.23727
  4. Y. Kitamura, F. Kato, S. Tanaka, T. Tawara, S. Harada, H. Sato, H. Yano and N. Iwamuro, “Study on Enhancing of the Surge Current Capabilities of Embedded SBDs in SWITCH-MOSs and Body-PiN-Diodes in SiC Trench MOSFETs,” 2022 Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 62, pp. SC1007/1-9, Dec., 2022, DOI: 10.35848/1347-4065/aca61b.
  5. K. Kashiwa, M. Takahashi, Y. Kitamura, H. Yano and N. Iwamuro, “Comparative study on short-circuit and surge current capabilities of 1.2 kV SiC SBD-embedded MOSFETs,” 2022 Jpn. J. Appl. Phys., Feb., 2023, DOI: 10.35848/1347-4065/acb8bf.

学会・研究会発表（国際学会）(Proceedings – International)

  1. Y. Kitamura, F. Kato, S. Tanaka, T. Tawara, S. Harada, H. Sato, H. Yano and N. Iwamuro, “Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block,” in Proc. of Int. Symp. Power Semiconductors and ICs (ISPSD 2022), pp. 109-112, 2022.
  2. C. Huang, T. Mannen and T. Isobe, “Current Ripple Reduction with Enhanced ZVS Operation Based on Off-time Discrete Control for DCM Inverters to Achieve High efficiency,”2022 International Power Electronics Conference (IPEC-Himeji 2022- ECCE Asia), Himeji, Japan, May 2022. DOI: 10.23919/IPEC-Himeji2022-ECCE53331.2022.9807159
  3. S. Uesugi, C. Huang, T. Mannen and T. Isobe, “Experimental Verification of Interleaved Grid-Tied Inverter Using Discontinuous Current Mode with Magnetically Coupled Inductor,” 2022 International Power Electronics Conference (IPEC-Himeji 2022- ECCE Asia), Himeji, Japan, May 2022. DOI: 10.23919/IPEC-Himeji2022-ECCE53331.2022.9807032
  4. T. Sawada, H. Tadano, K. Shiozaki and T. Isobe, “Continuous Operation of High-Power Half-Bridge with 12 Paralleled GaN Power Devices,” 2022 International Power Electronics Conference (IPEC-Himeji 2022- ECCE Asia), Himeji, Japan, 2022. DOI: 10.23919/IPEC-Himeji2022-ECCE53331.2022.9806956
  5. S. Føyen, C. Zhang, M. Molinas, O. Fosso and T. Isobe, “Impedance scanning with chirps for single-phase converters,” 2022 International Power Electronics Conference (IPEC-Himeji 2022- ECCE Asia), Himeji, Japan, 2022. DOI: 10.23919/IPEC-Himeji2022-ECCE53331.2022.9806874
  6. K. Yao, F. Kato, S. Satoshi, S. Harada, H. Sato, H. Yano and N. Iwamuro, “Enhanced Short-Circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs using Cu Blocks Sintered on the Source Pad,” in Proc. of Int. Symp. Power Semiconductors and ICs (ISPSD 2022), pp. 297-300, 2022.
  7. K. Kashiwa, K. Yao, H. Yano and N. Iwamuro, “Investigation of the Short-circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates Using Electro-thermal-mechanical Analysis,” in Proc. of Int. Symp. Power Semiconductors and ICs (ISPSD 2022), pp. 113-116, 2022.
  8. B. Seo, T. Isobe and T. Mannen, “Suppression Method of DC Capacitor Currents in a Three-Phase Current Unfolding Inverter Equipped With Ultra-Small DC Capacitors,”2022 International Symposium on Industrial Electronics (ISIE 2022), June, 2022. DOI: 10.1109/ISIE51582.2022.9831649
  9. Y. Kitamura, T. Tawara, S. Harada, H. Yano and N. Iwamuro, “Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals,” in Ext. Abstr. Solid State Devices and Materials (SSDM 2022), pp. 701-702, 2022.
  10. K. Kashiwa, M. Takahashi, H. Yano and N. Iwamuro, “Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs,” in Ext. Abstr. Solid State Devices and Materials (SSDM 2022), pp. 703-704, 2022.
  11. C. Huang, T. Mannen and T. Isobe, “Inductor Core Loss Estimation and Comparison of Modulations Achieving ZVS for High-Frequency DCM Grid-tied Inverters,”2022 IEEE Energy Conversion Congress & Expo (ECCE 2022), Detroit, MI, USA, Oct, 2022. DOI: 10.1109/ECCE50734.2022.9947599
  12. Y. Fujisaki, T. Isobe and T. Mannen, “Analysis and Design of Gate Controlless Hybrid Circuit Breaker Utilizing SiC-JFET for Low Voltage DC System,” 2022 IEEE Energy Conversion Congress & Expo (ECCE 2022), Detroit, MI, USA, Oct, 2022. DOI: 10.1109/ECCE50734.2022.9947532
  13. S. Kohno, T. Isobe and T. Mannen, “Current Control for Multi-phase Machine under Multiple Open-Faults condition using Gram-Schmidt Orthonormalization,” 2022 IEEE Southern Power Electronics Conference (SPEC 2022), Nadi, Fiji, Dec 2022. DOI: 10.1109/SPEC55080.2022.10058319

学会・研究会発表（国内）(Proceedings – Domestic)

  1. 松岡亨卓，磯部⾼範，加藤史樹，先崎純寿，佐藤弘，岩室憲幸，“電気熱連成解析によるモータ駆動時の SiC MOSFET の温度推定”，2022年電気学会産業応用部門大会，上智大学，2022年8月30日～9月1日
  2. 藤崎祥弘，磯部高範，萬年智介，“SiC-JFETのノーマリーオン特性を活用したゲート制御不要ハイブリッド遮断器の動作解析”，半導体電力変換/モータドライブ合同研究会，種子島，2022年9月21日～9月22日
  3. Huang Cheng，萬年智介，磯部高範，“高周波DCM系統連系インバータにおけるZVSを可能とする変調の比較とインダクタコアロスの推定”，半導体電力変換/モータドライブ合同研究会，種子島，2022年9月21日～9月22日
  4. 秋葉淳宏，矢野裕司，「3レベルチャージポンピング法を用いた 4H-SiC MOSFETの界面近傍酸化膜トラップの 酸化膜内密度分布の検討」，第83回応用物理学会秋季学術講演会，2022年9月22~26日
  5. 円城寺佑哉, 岩室 憲幸, 矢野 裕司，「AC ゲートストレス印加による SiC-MOSFET のしきい値電圧変動評価」，第83回応用物理学会秋季学術講演会，2022年9月22~26日
  6. 岩室憲幸， 「SiC MOSFET高性能化・高信頼化の進展」, WideG半導体学会特別公開シンポジウム,　2022年10月7日.
  7. 磯部 高範，Huang Cheng，萬年智介，「ゼロ電圧スイッチングを可能とする電流不連続モードの変調法の提案とGaN-HEMTを用いた系統連系インバータへの適用」（招待講演），令和4年電気関係学会関西連合大会，オンライン，2022年11月26日～27日
  8. 河野舜生, 磯部高範, 萬年智介, “グラムシュミット直交化法を拡張クラーク変換行列に適用した多相電動機複数相オープン故障状態の非対称電動機電流制御”, 半導体電力変換/家電・民生/自動車合同研究会, 東京海洋大学越中島キャンパス, 2022年12月12日~13日
  9. 秋葉淳宏，矢野裕司，「3レベルチャージポンピング法を用いた SiC MOSFETの界面特性評価：酸化膜窒化処理と界面欠陥量の関係」，先進パワー半導体分科会 第9回講演会，2022年12月20~21日
  10. 円城寺佑哉，岩室憲幸，矢野裕司，「バイポーラACゲートストレス印加によるSiC-MOSFETのしきい値電圧変動評価」，先進パワー半導体分科会 第9回講演会，2022年12月20~21日
  11. 森海斗，岩室憲幸，矢野裕司，「モノリシック相補型インバータに向けた4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの構造設計」，先進パワー半導体分科会 第9回講演会，2022年12月20~21日
  12. SEO BOSEUNG，磯部高範， 萬年智介，“電流不連続モードを適用した波形組み換えインバータの低力率運転の検証”，半導体電力変換/モータドライブ合同研究会，立命館大学びわこ・くさつキャンパス，2023年1月26日～1月27日
  13. 田村快士，磯部高範，萬年智介，“フルブリッジ型直列補償装置を用いたループ配電系統における潮流制御の検討”，電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会，名護市産業支援センター，2023年3月6日～3月7日
  14. Cheng Huang，萬年智介，磯部高範，“ZVS動作を実現可能な高周波DCM系統連系インバータのインダクタ銅損の評価”，令和5年電気学会全国大会，名古屋大学，2023年3月15日～3月17日
  15. 藤崎祥弘，磯部高範，萬年智介，“低しきい値カスコードデバイスを適用したゲート制御不要ハイブリッド遮断器の実験検証”，令和5年電気学会全国大会，名古屋大学，2023年3月15日～3月17日
  16. 田中大暁，森 賢太郎，金井雄平，萬年智介，磯部高範，喜多英治，柳原英人，“数MHzの交流磁化過程測定装置の開発”，令和5年電気学会全国大会，名古屋大学，2023年3月15日～3月17日
  17. 田村快士，磯部高範，萬年智介，“フルブリッジ型直列補償装置を用いたループ状配電系統の潮流制御の検証”，令和5年電気学会全国大会，名古屋大学，2023年3月15日～3月17日

一般雑誌掲載記事 (Magazines)

  1. 岩室憲幸　「パワー半導体デバイスの現状と将来動向」、光技術コンタクト, Vol.60, no.7, pp.3-10, 2022.

講演 (Invited Lecture)

  1. 北村雄大，“SiCデバイスの耐量向上”，第21回 TPEC バリュー・戦略会議，2023年1月20日

書籍 (Books)

  1. 岩室憲幸監修　「次世代パワーエレクトロニクスの課題と評価技術」, S＆T出版, 2022年7月
  2. Noriyuki Iwamuro, Silicon Power Devices, In: Rudan, M., Brunetti, R., Reggiani, S. (eds) Springer Handbook of Semiconductor Devices, pp.423-490. Springer Handbooks. Springer, Cham. https://doi.org/10.1007/978-3-030-79827-7_13

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