第６回パワエレ未来研ポスター案２第6回筑波大学パワーエレクトロニクス未来技術研究会「SiCトレンチMOSFETデバイス並びにその適用技術」を開催します。
日時：2017年3月3日（金） 13時20分～17時40分
場所：筑波大学東京キャンパス文京校舎1階134講義室（東京都文京区大塚3-29-1）（地下鉄丸ノ内線茗荷谷駅より徒歩2分）
参加費：3,000円（資料代を含む、学生は無料）
意見交換会：林野会館にて
主催： 筑波大学数理物質系
共催： NPO未来アジア技術フォーラム（TeFFA）
後援： パワーエレクトロニクス学会
協賛： Tsukuba Power Electronics Constellations (TPEC)
参加申し込み先: teffareg@ybb.ne.jp （2/24(金) 締切り）
（氏名、所属、e-mailｱﾄﾞﾚｽ、意見交換会への参加/不参加をご連絡ください。）
プログラム
13:20～13:30 筑波大学パワーエレクトロニクス研究室の近況ご紹介
筑波大学 数理物質科学研究科 パワーエレクトロニクス研究室 教授 岩室 憲幸
13:30～13:55 2016 年度筑波大学パワエレ研発表-1
@ EPE 2016 ECCE, Karlsruhe, Germany (Sep 2016)
「A dead-time minimized inverter by using complementary topology and its experimental evaluation of harmonics reduction」
筑波大学 数理物質科学研究科 ﾊﾟﾜｰｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽ研究室 修士 2 年 奥田 一真
13:55～14:20 2016 年度筑波大学パワエレ研発表-2 2016 年度筑波大学パワエレ研発表-2
@ IEEE IEDM 2016, San Francisco, USA (Dec 2016)
「Experimental demonstration of -730V vertical SiC p-MOSFET with high short circuit withstand capability for complementary inverter applications」
筑波大学 数理物質科学研究科 ﾊﾟﾜｰｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽ研究室 博士 2 年 安 俊傑
14:20～15:10 「SiC V 溝型 MOSFET 及びその周辺技術に関する開発（仮題）」
住友電工㈱ パワーデバイス開発部
技術部 部長 御神村 泰樹
15:10～15:25 休憩
座長 : 筑波大学 数理物質科学研究科 パワーエレクトロニクス研究室 准教授 矢野 裕司
15:25～16:15 「トレンチ型 SiC デバイスの特性とその応用」
ローム㈱ 研究開発部 部長 中村 孝
16:15～17:10 「SiC モジュールと SiC 適用変換器の開発（仮題）」
㈱東芝 ESS 社 電力・社会ｼｽﾃﾑ技術開発ｾﾝﾀｰ 電機電池応用・ﾊﾟﾜｴﾚｼｽﾃﾑ開発部
ﾊﾟﾜｴﾚ技術担当 主務 葛巻 淳彦
司会 : 筑波大学 数理物質科学研究科 パワーエレクトロニクス研究室 教授 只野 博
17:10～17:40 パネルディスカッション「より使いやすいSiC パワーデバイスを目指して」
17:40 閉会
18:00～19:30 意見交換会（会費3,000 円、林野会館にて）
