12月3日から7日まで、サンフランシスコのヒルトンユニオンスクエアで開催された第62回IEEE国際電子デバイス会議(IEDM：International Electron Devices Meeting)に、研究室の4名(岩室先生、矢野先生、D2安、張）が参加しました。

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「IEDM 2016」は12月3日からアメリカのサンフランシスコで始まり、3日と4日はチュートリアルなどのセミナーで、5日から7日までが講演でした。

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ホテルに到着後、私たちは非常に素敵なディナーをとり、私たちの研究室の一員であるアメリカ留学中のB4黒澤君と交流しました。

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12月6日に研究室からD2安俊傑が口頭発表しました。

“Experimental Demonstration of -730 V Vertical SiC p-MOSFET with High Short Circuit Withstand Capability for Complimentary Inverter Applications”

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232を超える口頭発表， 1600人を越える人が参加しました。IEDMは、International Solid-State Circuits Conference（ISSCC）, Symposia on VLSI Technology and Circuits（VLSIシンポジウム）とならび半導体分野の3大top国際学会の1つで、各研究機関の技術レベルを示す学会として注目されています。

来年のIEDM2017はサンフランシスコです。

締め切りは8月の中旬だそうなので興味がある方は応募してみてはいかがでしょうか。