筑波大学パワーエレクトロニクス研究室ならびに産総研、富士電機㈱、TPECとの共同研究テーマ ”ショットキーバリアダイオード内蔵SiCトレンチMOSFET（SWITCH-MOS)に関する研究”に対し、このたび、日経エレクトロニクス パワーエレクトロニクスアワード2020 最優秀賞が授与されることとなりました。
この賞は、内蔵するショットキーバリアダイオードの金属にニッケル(Ni)を適用するという独創的な提案と、その素子を実際に試作し、特性を実証したことで、高性能SiCトレンチMOSFET実用化に大きな道筋を示した研究成果を顕彰するものです。
本研究に携わったパワエレ研の先生方、学生のみならず、日ごろから筑波大学パワエレ研にご支援をくださっております産総研、富士電機㈱、ならびにTPECの皆様に厚く御礼申し上げます。
なお、授賞式は12月10日オンラインで開催されます「日経エレクトロニクス パワーエレエレクトロニクスサミット2020」にて公開されます。
https://project.nikkeibp.co.jp/event/ne201210/
