本日は、予定していた最後のパワーデバイス基礎実験を行いました。
M1の3班の方々にSi-IGBTとSiC-MOSFETの静特性に関して実験してもらいました。
本日の基礎実験は、筆者が担当しましたが「配線は単純だからきっとできているんだろう」と勝手に思い込んでいて、配線ミスを途中で気付くという失態をおかしてしまいました。本当に申し訳なかったです。これから、先入観をなくし、指導する必要があるなと改めて感じました。
しかし、今回は時間をかけてそれぞれ最低限の説明のみで実験を行ってもらったため、きっと素子の特性を身をもって感じてもらったと思っています。
今回の実験では、SiC-MOSFETの素子が破壊される等のトラブルに見舞われましたが、無事に実験が終了しました。
これからの実験に役立てていただきたいです。
筆者：田邉（M1）
